CIP-2021 : H01L 21/033 : incluyendo capas inorgánicas.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/033[3] › incluyendo capas inorgánicas.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE DOPADO PARA PRODUCIR HOMOUNIONES EN SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES.
(16/09/2002). Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es: SCHINDLER, ROLAND.
LA INVENCION DESCRIBE UN METODO DE IMPURIFICACION PARA FABRICAR HOMOUNIONES EN SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES EN LOS QUE LAS SUSTANCIAS DE IMPURIFICACION PENETRAN POR DIFUSION, QUE INCLUYE UNA FUENTE LUMINOSA CUYO ESPECTRO DE EMISION CONTIENE COMPONENTES ULTRAVIOLETAS Y QUE INCIDE SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR. LA INVENCION SE CARACTERIZA PORQUE ENTRE EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR Y LA FUENTE LUMINOSA SE INTRODUCE UNA MASCARA QUE, DEPENDIENDO DE LAS ZONAS A IMPURIFICAR CON SIMILAR CONCENTRACION DE IMPUREZAS, PRESENTA AREAS DE GROSOR VARIABLE HASTA LOS ORIFICIOS DE PASO DE LA MISMA; ENTRE LA MASCARA Y EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR SE INSERTAN ATOMOS DE IMPUREZAS; Y PARA INTRODUCIR LAS IMPUREZAS POR DIFUSION EN EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR SE ILUMINA LA SUPERFICIE DE LA MASCARA CON LA FUENTE LUMINOSA UTILIZANDO RAPID THERMAL PROCESSING (TRATAMIENTO TERMICO RAPIDO).
FORMACION DE PUERTAS EN TRANSISTORES.
(16/06/2001). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.
SE PRESENTA UN METODO PARA LA FORMACION DE TRANSISTORES QUE TENGAN ELEMENTOS SUBLITOGRAFICOS, POR EJEMPLO, COMPUERTAS. SE CREA UNA MASCARA DURA MODELADA (FORMADA, POR EJEMPLO, A PARTIR DE PETEOS) DE MODO QUE QUEDE SUPERPUESTA A UNAS CAPAS DE OXIDO Y DE POLISILICIO. LAS DIMENSIONES DE LA MASCARA DURA SE REDUCEN MEDIANTE ATAQUE ISOTROPICO. LA MASCARA DURA DE DIMENSIONES REDUCIDAS SE UTILIZA EN UN PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO PARA DEFINIR UN ELEMENTO DE DIMENSIONES REDUCIDAS TAL COMO UNA COMPUERTA.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON ESPACIADOR DE PUERTA.
(01/10/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE, LU, CHIH-YUAN.
SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.
UN PROCESO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/12/1985). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..
PROCESO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. COMPRENDE UNA PRIMERA ETAPA DE PREDEPOSICION E INTRODUCCION FORZADA POR DIFUSION DE MATERIAL IMPURO DE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD EN UN SUSTRATO DE OTRO TIPO DE CONDUCTIVIDAD EN EL MISMO, Y UNA SEGUNDA ETAPA DE PREDEPOSICION Y FORMACION POR DIFUSION DE MATERIAL IMPURO, PARA FORMAR UNA REGION SEPARADA DEL BORDE DEL DEPOSITO POR UNA ZONA DE CANAL. DICHA ZONA DE CANAL ESTA FORMADA BAJO UNA PUERTA DE POLISILICIO QUE, AL MENOS, DURANTE LA PRIMERA ETAPA DE FORMACION ESTA CUBIERTA POR UNA CAPA DE NITRITO DE SILICIO.
UN METODO PARA FORMAR UNA REGION DE DIMENSION ESTRECHA EN UN CUERPO DE SILICIO.
(01/09/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Un método para formar una región de dimensión estrecha en un cuerpo de silicio, que comprende las etapas de: disponer un cuerpo de silicio, formar en dicho cuerpo unas regiones dotadas de superficies substancialmente horizontales y superficies substancialmente verticales, formar una capa tanto en dicha superficie substancialmente horizontal como en dicha superficie substancialmente vertical, y atacar químicamente dicha capa con iones reactivos, con el fin de eliminar substancialmente dicha capa horizontal y habilitar dicha región de dimensión estrecha en dicho cuerpo de silicio.
PROCEDIMIENTO PARA HACER UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO.
(16/06/1980) Procedimiento para hacer una estructura de transistor semiconductor de óxido metálico, caracterizado porque comprende las fases de: proporcionar un sustrato semiconductor de un primer tipo de conductividad, formar una primera capa aislante de dióxido de silicio en una superficie activa del substrato, formar una segunda capa aislante de nitruro de silicio sobre la primera capa aislante; colocar una máscara fotoprotectora sobre la segunda capa aislante para definir áreas elegidas; eliminar las áreas elegidas de la máscara fotoprotectora por una técnica fotográfica para exponer la segunda capa aislante por debajo del área elegida; mordentar las áreas expuestas de la segunda capa aislante; injertar iones del primer tipo de conductividad a través de las regiones expuestas; desarrollar regiones…
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTO RENDIMIENTO.
(16/04/1979) Un dispositivo semiconductor de alto rendimiento, con pequeña separación entre emisor y base, que comprende: un cuerpo semiconductor de silicio, que tiene regiones de silicio monocristalino aisladas una de otra mediante regiones aislantes; una región de subcolector dentro de por lo menos una de dichas regiones de silicio monocristalino; un pasante de colector que conecta la superficie de dichas por lo menos una región de silicio monocristalino, con dicha región de subcolector; una región de base separada de dicho pasante de colector, que se extiende dentro de dicho cuerpo desde la superficie de dicho cuerpo; una región de emisor dentro de dicha región de base, que se extiende desde la superficie de dicho cuerpo dentro de dicha región de base; un contacto óhmico de emisor con dicha región de emisor; un contacto…
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/11/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.
UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/11/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/01/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.