CIP-2021 : C30B 29/08 : Germanio.
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Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54: - En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.
C30B 29/08 · · Germanio.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio.
(08/06/2016). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: SOFIN,MIKHAIL,DR, FABRY,Laszlo.
Un procedimiento para producción de una barra con una longitud de 0,5 m a 4 m y con un diámetro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada a base de silicio o de silicio aleado con germanio, sobre la que se deposita una aleación policristalina muy pura a base de germanio y silicio, conduciendo en un reactor de Siemens un gas de eductos que se compone de hidrógeno y de una mezcla de monosilano y monogermanio y contiene una proporción de germanio de menos que 20 % en moles, y poniéndolo en contacto allí con la barra delgada, que tiene una temperatura entre 400°C y 1.000°C, llegándose sobre la barra delgada a una deposición desde el gas de eductos, componiéndose la aleación depositada de 0,1 hasta menos que 20 % en moles de germanio y de 99,9 a 80 10 % en moles de silicio.
PDF original: ES-2589960_T3.pdf
PROCEDIMIENTO DE CRISTALIZACIÓN.
(22/11/2011) Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior de un sustrato , b) depósito de al menos una capa metálica , de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada , estando constituida la parte superior del sustrato , después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada , que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte superior…