CIP-2021 : H01L 21/469 : para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej.
para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA PASIVACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES.
(16/01/1978). Solicitante/s: PIHER SEMICONDUCTORES, S.A..
Procedimiento para la pasivación de materiales semiconductores, caracterizado por la deposición de una capa pasivadora constituida por una asociación homogénea de óxido de silicio y pentóxido de fósforo, en un espesor del orden de los 3.000 amperios, obtenida en el interior de un reactor de características apropiadas, practicándose seguidamente sobre las dos deposiciones anteriores unas aberturas destinadas al establecimiento de los contactos de conexión con las zonas de difusión negativa y positiva, respectivamente.