PROCEDIMIENTO PARA LA PASIVACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES.

(16/01/1978). Solicitante/s: PIHER SEMICONDUCTORES, S.A..

Procedimiento para la pasivación de materiales semiconductores, caracterizado por la deposición de una capa pasivadora constituida por una asociación homogénea de óxido de silicio y pentóxido de fósforo, en un espesor del orden de los 3.000 amperios, obtenida en el interior de un reactor de características apropiadas, practicándose seguidamente sobre las dos deposiciones anteriores unas aberturas destinadas al establecimiento de los contactos de conexión con las zonas de difusión negativa y positiva, respectivamente.