CIP-2021 : H01L 21/8242 : Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.
(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende:
formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes:
formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ;
formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ;
atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ;
eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y
atacar químicamente tres de dichas cuatro…
FRENO DE DISCO QUE COMPRENDE UN PORTA-GUARNICION.
(16/04/2007). Solicitante/s: GOLDBACH AUTOMOBILE CONSULTING GMBH. Inventor/es: GOLDBACH, DIETER, SPUKTI, MICHAEL.
Freno de disco, en particular pastilla de freno con un soporte de revestimiento y un revestimiento de fricción , en cuyo caso al menos un perno está colocado por encima del soporte de revestimiento para la incorporación del revestimiento de fricción , caracterizado en que, el perno penetra en el revestimiento de fricción , partiendo desde el soporte de revestimiento , desde aproximadamente el centro hasta aproximadamente la superficie del revestimiento , en cuyo caso el perno está fabricado con un metal no ferroso, y el perno se rebaja con el revestimiento de fricción durante el funcionamiento del frenado.
DISPOSITIVO DE MEMORIA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE UN CONDENSADOR Y METODO PARA FABRICAR EL MISMO.
(01/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: NAKAMURA, YOSHIO, INOUE, SHUNSUKE, SAKASHITA, YUKIHIKO, KIKUCHI, SHIN, YUZURIHARA, HIROSHI.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UN CONDENSADOR QUE CONSTA DE UNA REGION AL FORMADA SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR. UNA PELICULA DE OXIDO AL FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE DE DICHA ZONA AL Y ELECTRODOS OPUESTOS A DICHA ZONA AL CON LA INTERPOSICION DE DICHA PELICULA DE OXIDO AL.