CIP-2021 : H01L 31/12 : estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común,

con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).

CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/12[1] › estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/12 · estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Disposición de sensor.

(18/12/2019). Solicitante/s: VISHAY SEMICONDUCTOR GMBH. Inventor/es: SCHMIDT,Manuel, FIGUERIA,ROBERT.

Disposición de sensor, en particular como parte de una barrera de luz de reflexión, con un soporte , sobre el cual están dispuestos un fotodiodo , un primer diodo luminoso para la emisión de un haz de luz de medición pulsado y un segundo diodo luminoso para la emisión de un haz de luz de referencia pulsado desfasado en el tiempo con respecto al haz de luz de medición, así como una carcasa permeable a la luz que rodea el fotodiodo y los dos diodos luminosos , en donde el segundo diodo luminoso está dispuesto de tal modo sobre el soporte que la luz de referencia emitida por él no incide esencialmente a los lados en el fotodiodo , caracterizada por que el haz de luz de referencia emitido por el segundo diodo luminoso incide esencialmente en el fotodiodo debido a la reflexión total en la pared de la carcasa.

PDF original: ES-2772876_T3.pdf

Espacio de estacionamiento modular bajo cubierta.

(19/04/2017) Espacio de estacionamiento modular bajo cubierta , en particular para vehículos, formado por módulos individuales, que pueden ensamblarse con medios de unión para formar el espacio de estacionamiento bajo cubierta, comprendiendo los módulos individuales: - una placa de fondo , - dos paredes laterales que pueden disponerse de forma perpendicular en la placa de fondo y que pueden unirse con la placa de fondo y - un techo que se apoya en las paredes laterales y que puede unirse con las paredes laterales, comprendiendo la placa de fondo un número determinado de módulos de placa de fondo , que pueden unirse unos con otros para obtener la placa de fondo, caracterizado porque - el techo comprende un número determinado de módulos solares , que pueden unirse unos…

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ELECTRO-OPTICOS Y METODO PARA FABRICARLOS.

(01/07/2003). Solicitante/s: THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE. Inventor/es: MARTIN, TREVOR, KANE, MICHAEL JOHN.

Un dispositivo semiconductor electroóptico que comprende una guía de ondas semiconductora con una región de núcleo dentro de la cual está situada al menos un área activa (31, 31’) caracterizada porque: el núcleo de la guía de ondas fuera del área o las áreas activas (31, 31’) no está contaminado por material de área activa difuso; el área o las áreas activas (31, 31’) y la guía de ondas son monolíticas; y el área o las áreas activas (31, 31’) y la guía de ondas se desarrollan mediante un procedimiento de desarrollo aditivo sin operación intermedia alguna en la que se elimine material.

ARQUITECTURA RESISTENTE A LOS DEFECTOS BASADA EN CELDAS CON USO BENEFICIOSO DE CELDAS DE RESERVA NO ASIGNADAS.

(16/03/2001). Solicitante/s: HYPERCHIP INC. Inventor/es: NORMAN, RICHARD S.

UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE DATOS QUE CONTIENE UNA RED MONOLITICA DE CELULAS CON REDUNDANCIA SUFICIENTE PROVISTA A TRAVES DE LA SUSTITUCION LOGICA DIRECTA DE CELULAS DEFECTUOSAS POR CELULAS LIBRES PARA PERMITIR QUE SEA ORGANIZADA UNA RED MONOLITICA GRANDE DE CELULAS SIN DEFECTOS INCORREGIBLES, DONDE LAS CELULAS TIENEN UNA VARIEDAD DE PROPIEDADES UTILES. EL SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE DATOS DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION SUPERA EL LIMITE DE TAMAÑO DE PORCION DE MEMORIA Y CUELLOS DE BOTELLA DE CONEXION SIN PORCION DE MEMORIA DE ARQUITECTURAS BASADAS EN PORCION DE MEMORIA, EL CUELLO DE BOTELLA VON NEUMANN DE ARQUITECTURAS DE UNIPROCESADOR, LA MEMORIA Y CUELLOS DE BOTELLA DE E/S DE ARQUITECTURAS DE PROCESAMIENTO PARALELAS, Y EL CUELLO DE BOTELLA DE ANCHO DE BANDA DE ENTRADA DE PANTALLAS DE ALTA RESOLUCION, Y SOPORTA LA INTEGRACION DE HASTA UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE DATOS PARALELO SOLIDAMENTE COMPLETO EN UNA ENTIDAD MONOLITICA UNICA.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DIODO LASER DFB CON GUIA DE ONDAS ACOPLADA Y ESTRUCTURADA DE CAPA DE DIODO LASER DFB.

(01/08/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: STEGMULLER, BERNHARD, MATZ, RICHARD.

CON EL PROCEDIMIENTO CONFORME A LA INVENCION PUEDEN GENERARSE EN CUATRO PASOS DE EPITAXIA UNOS DIODOS LASER DE ALTA TEMPERATURA MRCW CON GUIA DE ONDAS OPTICA ACOPLADAS, CONSISTIENDO LA VENTAJA EN QUE DE LAS CUATRO EPITAXIAS LAS DOS PRIMERAS Y LAS DOS ULTIMAS SE HAN EJECUTADO PRACTICAMENTE DE FORMA DIRECTA UNA DETRAS DE LA OTRA Y SOLO SE PRECISA UNA INTERRUPCION PARA GENERAR UNA REJILLA. CON EL PROCEDIMIENTO CONFORME A LA INVENCION TAMBIEN PUEDEN FABRICARSE OTRAS PIEZAS CONSTRUCTIVAS, P.EJ., FOTODIODOS.

CONTACTOS OHMICOS ESTABLES PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P.

(16/05/1995) UN CONTACTO OHMICO ESTABLE PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P, Y DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS QUE INCORPORAN TALES CONTACTOS. UN CONTACTO OHMICO DE ACUERDO CON LA INVENCION COMPRENDE UNA CAPA FORMADORA DE CONTACTO DEPOSITADA SOBRE UNA PELICULA DELGADA DE TIPO P DE UN SEMICONDUCTOR II-VI QUE CONTIENE TELURO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE FORMA CONTACTO ES COBRE QUE TIENE UN ESPESOR DE 2 NM APROXIMADAMENTE. SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE EN LA FORMADORA DE CONTACTO PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS SUBSIGUIENTEMENTE DE LA PELICULA DELGADA. LA CAPA AISLANTE PUEDE SER CARBONO O UNA CAPA DELGADA…

SUBGRUPOS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS HIBRIDOS OPTOELECTRONICOS.

(01/11/1994). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BLONDER, GREG E.

CHIPS OPTOELECTRONICOS, COMO LASERES COMPUESTOS DEL GRUPO III-V Y FOTODIODOS , QUE SON MONTADOS SOBRE UNA BASE DE SILICIO DE CRISTAL SENCILLO , Y SON INTERCONECTADOS OPTICAMENTE ENTRE SI MEDIANTE GUIAS DE ONDAS DE SILICE Y ACOPLADORES FORMADOS INTEGRAMENTE EN LA BASE. UNOS CHIPS DE CIRCUITO INTEGRADO QUE PROPORCIONAN FUNCIONES ELECTRONICAS ESTAN ASIMISMO MONTADOS EN LA BASE. SE DESCRIBEN VARIOS ESQUEMAS PARA ACOPLAR OPTICAMENTE Y ALINEAR LASERES, FOTODIODOS Y FIBRAS OPTICAS A LAS GUIAS DE ONDAS. TAMBIEN SE DESCRIBE EL USO DE UNA TAPA DE SILICIO DE CRISTAL SENCILLO, QUE SIRVE PARA PROPORCIONAR UN AISLAMIENTO OPTICO Y ELECTRICO ENTRE LOS CHIPS QUE ESTAN EN LA BASE, ASI COMO ACOPLAMIENTOS EN LOS QUE LOS BORDES DE LA BASE ESTAN ADAPTADOS PARA RECIBIR BARRAS DE GUIA PARALELAS.

UN CONMUTADOR ELECTRONICO QUE COMPRENDE UN SEMICONDUCTOR FOTOSENSIBLE.

(01/11/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: CHAMPION SPARK PLUG EUROPE S.A.. Inventor/es: HOWSON, PETER.

UN CONMUTADOR ELECTRONICO QUE COMPRENDE UN SEMICONDUCTOR FOTOSENSIBLE Y UNA FUENTE LUMINOSA LA CUAL, CUANDO SE ACTIVA, ILUMINA AL SEMICONDUCTOR Y HACE QUE ESTE ULTIMO LLEGUE A SER CONDUCTOR, CONSISTIENDO EL SEMICONDUCTOR FOTOSENSIBLE EN UNA MEZCLA SINTERIZADA QUE COMPRENDE, EN PESO, 63-74% DE CADMIO, 16-24% DE SELENIO, 8-14% DE AZUFRE, 0,1-1% DE CLORO Y 0,005-1% DE COBRE.

UN PERCEPTOR DE CAMPO MAGNETICO.

(16/05/1984). Solicitante/s: LGZ LANDIS & GYR ZUG AG.

PERCEPTOR DE CAMPO MAGNETICO.CONSTA DE DOS TRANSMISORES EN LOS QUE CADA CAPA SEMICONDUCTORA CONSISTE EN DOS CAPAS PARCIALES DE POLARIDAD OPUESTA, ESTANDO UNA PRIMERA CAPA PARCIAL DEL PRIMERO DE ESTOS TRANSISTORES, UNIDA CON LA SEGUNDA CAPA PARCIAL DEL SEGUNDO DE LOS TRANSISTORES, Y LA SEGUNDA CAPA PARCIAL DEL PRIMERO, SE ENCUENTRA UNIDA CON LA PRIMERA CAPA PARCIAL DEL SEGUNDO.

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