CIP-2021 : G02F 1/025 : en una estructura de guía de ondas óptica (G02F 1/017 tiene prioridad).
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G FISICA.
G02 OPTICA.
G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES.
G02F 1/00 Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal.
G02F 1/025 · · · en una estructura de guía de ondas óptica (G02F 1/017 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Modulador de portadora óptica mediante plasmones de superficie, a base de materiales semiconductores.
(13/11/2013) Modulador de portadora óptica mediante plasmones de superficie, a base de materiales semiconductores, quecomprende:
- un conjunto de capas semiconductoras que comprende una estructura de guiado para una onda óptica incidente introducida en dicha estructura de guiado, garantizando dicha estructura de guiado unconfinamiento asimétrico de dicha onda óptica;
- una capa metálica denominada superior que forma un contacto de tipo Schottky con dicho conjunto decapas semiconductoras y destinada a recibir, en particular, dicha onda óptica guiada por dicho conjunto de capassemiconductoras de tal modo que permite la generación de una onda plasmónica de superficie en la interfazmetal/semiconductor; y
- unos medios adaptados…
MODULADOR DE FASE ELECTROOPTICO AUTOOSCILANTE.
(16/02/2005) Modulador de fase electroóptico autooscilante. La presente invención se refiere a moduladores ópticos de fase formados por un dieléctrico con propiedades electroópticas por el que viaja, usualmente confinada en una guía , una señal luminosa sometida a la acción de un electrodo de material metálico mediante el que se aplica al dieléctrico una señal eléctrica a frecuencias de microondas, que modifica el índice de refracción óptico del dieléctrico y consecuentemente la fase de la señal óptica. Las modulaciones de fase sinusoidales a frecuencias ópticas son útiles en numerosas aplicaciones en las que hasta ahora el dispositivo oscilador y el modulador óptico constituyen circuitos independientes. En la presente invención, el electrodo del dispositivo modulador forma parte del circuito de inestabilización de un…
MODULADOR SEMICONDUCTOR ELECTROOPTICO Y CONEXION OPTICO QUE COMPRENDE ESTE MODULADOR.
(01/01/1999). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: LESTERLIN, DOMINIQUE, LANGANAY, JEROME, PROVOST, JEAN GUY.
UN MODULADOR SEMICONDUCTOR ELECTROOPTICO COMPRENDE DOS SEGMENTOS SUCESIVOS (SA, SD) QUE APLICAN CADA UNO A LA VEZ UNA ATENUACION Y UN DESFASE A UNA ONDA LUMINOSA EN RESPUESTA A UNA TENSION DE CONTROL DE ESTE SEGMENTO. ESTOS DOS SEGMENTOS PERTENECEN A UNA MISMA ESTRUCTURA DE POZOS CUANTICOS MULTIPLES. UN GENERADOR DE CONTROL ELABORA LAS COMPONENTES ALTERNATIVAS DE LAS DOS TENSIONES DE CONTROL (MA, MD) RESPECTIVAMENTE BAJO LA FORMA DE REFERENCIA (A) Y DE UN DESFASE DE REFERENICA (D) A APLICAR A LA ONDA LUMINOSA .PROPORCIONA POR OTRA PARTE DOS COMPONENTES CONTINUAS (VA, VD) DE ESTAS TENSIONES DE CONTROL CON DOS VALORES DIFERENTES ELEGIDOS PARA PERMITIR A ESTAS DOS COMBINACIONES APLICAR EFECTIVAMENTE ESTA ATENUACION (A) Y ESTE DESFASE (D), A ESTA ONDA. LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE A LA REALIZACION DE UNA CONEXION OPTICA DE GRAN CAUDAL DE INFORMACION.
DISPOSITIVO ELECTROOPTICO DE GUIAONDAS.
(16/07/1996). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: ZAMKOTSIAN, FREDERIC.
UN ELECTRODO DE LOCALIZACION ESTA FORMADO SOBRE UN SUSTRATO PARA LOCALIZAR UN FENOMENO ELECTRICO EN UN GUIAONDAS . COMPRENDE DOS ZONAS YUXTAPUESTAS: -UNA ZONA DE LOCALIZACION QUE ESTA RELATIVAMENTE CERCA DEL GUIAONDAS Y QUE PRESENTA UN COEFICIENTE DE RESISTENCIA ELECTRICA RELATIVAMENTE GRANDE, (SEMICONDUCTOR IMPURIFICADO). -Y UNA ZONA DE CONEXION QUE ESTA RELATIVAMENTE ALEJADA DE ESTA GUIA Y QUE PRESENTA UN COEFICIENTE DE RESISTENCIA ELECTRICA RELATIVAMENTE PEQUEÑO (METAL). ESTA YUXTAPOSICION PERMITE ELIMINAR, AL MENOS PARCIALMENTE, UNA DEFORMACION Y/O ATENUACION DE LAS ONDAS GUIADAS. LA INVENCION SE APLICA ENTRE OTROS A LA REALIZACION DE UN MODULADOR DE POLARIZACION.