CIP-2021 : H01L 33/16 : con una estructura cristalina o una orientación particular,

p. ej. policristalina, amorfa o porosa.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Un procedimiento para producir estructuras de columna UV que emiten luz y las estructuras producidas usando este procedimiento.

(29/04/2020) Un procedimiento para producir estructuras de columna UV emisoras de luz usando la epitaxia de los compuestos organometálicos de la fase gaseosa en una placa de Sustrato de Zafiro con Patrón (PSS) que tiene una superficie para epitaxia provista con salientes con una forma regular, que tiene una punta y una superficie lateral, en particular salientes con una forma cónica, caracterizado porque comprende las etapas de: A. depositar una capa de nucleación de AIN de baja temperatura (también llamada nucleica) en los salientes del sustrato PSS, en particular sobre la superficie lateral de un saliente y sobre la punta de un saliente en la que en una temperatura de 600 °C a 750 °C, preferiblemente 680 °C, con una presión dentro de un intervalo de 0 a 20 kPa, preferiblemente 5 kPa, se…

Diodo de emisión de luz mejorado.

(10/09/2014) Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende: una primera capa compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP; una segunda capa formada sobre dicha primera capa y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa; una tercera capa formada sobre dicha segunda capa y que consiste en un material conductor amorfo; y un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda y tercera capas hasta dicha primera capa para formar conexiones óhmicas con dichas segunda y tercera capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa .