CIP-2021 : H01L 29/45 : Electrodos de contacto óhmico.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/45 · · · Electrodos de contacto óhmico.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de mantenimiento de espacio multi-pared.

(16/03/2016) Un dispositivo de mantenimiento de espacio para la implantación en un cuerpo humano o animal, comprendiendo el dispositivo de mantenimiento de espacio: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de camisa con una pluralidad de aberturas para el crecimiento intersticial del tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de camisa con una pluralidad de aberturas, estando el segundo cuerpo tubular dispuesto en el interior del primer cuerpo tubular, con los extremos de los cuerpos tubulares alineándose para formar un dispositivo de mantenimiento de espacio multi-pared, caracterizado por que el segundo cuerpo está dispuesto directamente o a través de uno o más elementos…

Marcador de posición de múltiples paredes.

(29/04/2015) Un marcador de posición para su implantación en cuerpo humano o de animal, comprendiendo el marcador de posición: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas para el crecimiento infiltrante de tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas, estando dispuesto el segundo cuerpo tubular al menos parcialmente dentro del primer cuerpo tubular, caracterizado por que al menos dos segundos cuerpos tubulares (3', 3" y 3"') están alojados lado a lado uno junto a otro en el primer cuerpo .

Marcador de posición de múltiples paredes.

(08/04/2015) Un marcador de posición para su implantación en cuerpo humano o de animal, comprendiendo el marcador de posición: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas para el crecimiento infiltrante de tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas, estando dispuesto el segundo cuerpo tubular al menos parcialmente dentro del primer cuerpo tubular, caracterizado por el hecho de que el primer cuerpo tiene una conformación en sección transversal arriñonada y el segundo cuerpo/cuerpos tiene/tienen…

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN CONTACTO OHMICO PARA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: KRONLUND, BERTIL, KARL.

EN UN METODO PARA LA PRODUCCION DE UN CONTACTO OHMICO A UNA CAPA DE {AL} -SIC TIPO P (3B) EN UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR , LAS CAPAS DE ALUMINIO, TITANIO Y SILICIO SE DEPOSITAN SOBRE DICHA CAPA DE {AL} ANTEDICHAS SE RECUECEN PARA CONVERTIR AL MENOS PARTE DE DICHAS CAPAS DEPOSITADAS EN ALUMINIO.