CIP-2021 : H01L 29/47 : Electrodos de barrera Schottky.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/47 · · · Electrodos de barrera Schottky.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky sobre un sustrato de diamante.
(02/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: EON,DAVID, GHEERAERT,ETIENNE, MURET,PIERRE, PERNOT,JULIEN, TRAORE,ABOULAYE.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky, que incluye las etapas siguientes:
a) oxigenar la superficie de una capa semiconductora de diamante monocristalino, de manera que sustituya unas terminaciones superficiales de hidrógeno de la capa semiconductora por unas terminaciones superficiales de oxígeno; y
b) formar, por depósito físico en fase de vapor, una primera capa conductora de óxido de indio-estaño en la superficie de la capa semiconductora.
PDF original: ES-2625384_T3.pdf
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, AUTOALINEADO, PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA.
(16/07/2002). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: ALLEN, SCOTT, T.
SE REVELA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR METALICO (MESFET) QUE MUESTRA UNA RESISTENCIA DE FUENTE REDUCIDA Y FRECUENCIAS DE OPERACION SUPERIORES. EL MESFET COMPRENDE UNA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO Y UNA ZANJA DE PUERTA EN LA CAPA EPITAXIAL QUE EXPONE UNA SUPERFICIE DE PUERTA DE CARBURO DE SILICIO ENTRE LOS DOS BORDES RESPECTIVOS DE LA ZANJA. UN CONTACTO DE PUERTA SE REALIZA PARA LA SUPERFICIE DE PUERTA Y CON LA ZANJA DEFINE ADEMAS LAS REGIONES DE ORIGEN Y DE DRENAJE DEL TRANSISTOR. LAS SUPERFICIES METALICAS OHMICAS RESPECTIVAS FORMAN CONTACTOS OHMICOS SOBRE LAS REGIONES DE ORIGEN Y DRENAJE DE LA CAPA EPITAXIAL, Y LOS BORDES DE LAS CAPAS DE METALICAS EN LA ZANJA ESTAN ESPECIFICAMENTE ALINEADOS CON LOS BORDES DE LA CAPA EPITAXIAL EN LA ZANJA.
