CIP-2021 : H01L 29/76 : Dispositivos unipolares.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/76 · · · Dispositivos unipolares.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.
(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende:
formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes:
formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ;
formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ;
atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ;
eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y
atacar químicamente tres de dichas cuatro…
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES VDMOS.
(01/05/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL STANDARD ELECTRICA, S.A.. Inventor/es: FERNANDEZ GARCIA, JUAN, MONTSERRAT MARTI, JOSEP, VELLVEHI HERNANDEZ, MIQUEL, CABRUJA CASAS, ENRIC, FARRES BERENGUER, ESTEVE, REBOLLO PALACIOS, JOSE ANDRES, MILLAN GOMEZ, JOSE.
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES VDMOS. SE PRESENTAN LAS ETAPAS BASICAS DEL PROCESO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO VDMOS DE POTENCIA DE BAJA TENSION Y BAJA RESISTENCIA EN CONDUCCION. ESTE COMPORTAMIENTO ELECTRICO SE CON SIGUE MEDIANTE UNA TRIPLE IMPLANTACION JONICA PARA LA FORMACION DE LAS REGIONES DE FUENTE , POZO Y DIFUSION P+ DE CORTOCIRCUITO ENTRE AMBOS, SEGUIDAS DE LOS CORRESPONDIENTES TRATAMIENTOS TERMICOS POSTERIORES. LA DIFUSION DE BORO EN LA REGLON DE POZO SE REALIZA CON UN NIVEL TAL QUE, MANTENIENDO LA MAYOR RESISTIVIDAD POSIBLE DE LA MISMA, LA TENSION DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO NO DECREZCA SUBSTANCIALMENTE. ADEMAS, CON OBJETO DE EVITAR LA ACTIVACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR PARASITO INHERENTE A LA ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR VDMOS, LA DIFUSION P+ ENTRE FUENTE Y POZO ES TIPO SUPERFICIAL, LO CUAL NO DEGRADA LA TENSION DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO PARA UN MISMO ESPESOR DE LA CAPA EPITAXIAL , POR LO QUE LA RESISTENCIA DEL DISPOSITIVO NO SE MODIFICA.
METODO DE FABRICAR HILOS CUANTICOS DE SILICIO.
(16/09/1995). Solicitante/s: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRIT. MAJESTY'S GOVERN. OF UNITED KINGDOM OF GB AND N. IRELAND. Inventor/es: CANHAM, LEIGH, TREVOR, LEONG, WENG, YEE, KEEN, JOHN, MICHAEL.
UN METODO PARA LA FABRICACION DE CABLES CUANTICOS SEMICONDUCTORES EN QUE SU UTILIZA UN PLAQUITA SEMICONDUCTORA COMO EL MATERIAL INICIAL. LA PLAQUITA ES DEL TIPO P DEBILMENTE DOPADA CON UNA CAPA P DELGADA MUY DOPADA DENTRO PARA QUE LA CORRIENTE FLUYA DE MANERA UNIFORME. LA PLAQUITA SE ANODIZA EN ACIDO FLUORHIDRICO ACUSOSO AL 20% PARA PRODUCIR UNA CAPA GRUESA EN MICRAS CON UNA POROSIDAD DEL 70% Y BUENA CRISTALINIDAD. A CONTINUACION SE GRABA LA CAPA CON ACIDO FLUORHIDRICO CONCENTRADO, LO CUAL PROPORCIONA UNA VELOCIDAD DE ATAQUE LENTA. EL ATAQUE HACE QUE AUMENTE LA POROSIDAD A UN NIVEL DEL 80% EN LA REGION O SUPERIOR. A TAL NIVEL, LOS POROS SE SUPERPONEN Y SE ESPERA QUE SE FORMEN CABLES CUANTICOS AISLADOS CON DIAMETROS MENORES O IGUALES A 3 NM. LA CAPA GRABADA PRESENTA UNA EMISION FOTOLUMINISCENTE A ENERGIAS FOTONICAS MUY POR ENCIMA DEL HUECO DE BANDA DE SILICIO (1,1 EV) Y QUE SE EXTIENDE HASTA LA REGION ROJA (1,6 - 2,0 EV) DEL ESPECTRO VISIBLE.
METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.
(01/11/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.
UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.
DISPOSITIVO DE MANDO DE TIRISTORES U OTROS ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.
(16/05/1976). Solicitante/s: ATELIERS DE CONSTRUCTIONS ELECTRIQUES CHARLEROI.
Resumen no disponible.
