CIP-2021 : H01L 29/94 : Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/94 · · · · Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
(04/06/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
(29/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo.
La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.
PDF original: ES-2763702_B2.pdf
PDF original: ES-2763702_A1.pdf
Dispositivo eléctrico que comprende una capacitancia o capacidad dependiente del voltaje o tensión y método de fabricación del mismo.
(04/04/2013) Un método para fabricar un dispositivo eléctrico que tiene una capacitancia o capacidad dependiente de voltaje otensión por medio de un proceso CMOS convencional que comprende las operaciones de:
formar una región de pozo en un sustrato semiconductor ;
formar una primera capa de aislamiento sobre la superficie de la región de pozo;
formar una primera capa de poli-silicio sobre la capa de aislamiento;
formar una primera capa de máscara sobre la capa de poli-silicio;
exponer la primera capa de máscara y atacar químicamente la capa de máscara;
atacar químicamente el poli-silicio en áreas donde la primera capa de mascara ha sido atacada químicamentepara formar…
ESTRUCTURA DE ALTA CAPACIDAD Y BAJA RESISTENCIA SERIE EQUIVALENTE EN TECNOLOGIA INTEGRADA CMOS ESTANDAR.
(16/06/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Inventor/es: VILLAR PIQUE,GERARD, ALARCON COT,EDUARD, GUINJOAN GISPERT,FRANCESC, POVEDA LOPEZ,ALBERTO.
Estructura de alta capacidad y baja resistencia serie equivalente en tecnología integrada CMOS estándar. La presente invención consiste en una estructura modular de elevada densidad capacitiva y baja resistencia serie equivalente implementada en tecnología CMOS estándar, para su aplicación en el ámbito de los circuitos integrados, en particular para los subcircuitos de gestión de potencia dentro de un chip. La estructura capacitiva propuesta está formada por uno o más condensadores basados en transistores MOSFET con terminales de drenador y fuente cortocircuitados, que presentan unas dimensiones óptimas con objeto de exhibir un ESR mínima. Relacionado con dicha estructura, se describe asimismo un procedimiento de diseño para la obtención por parte de la estructura de una cierta impedancia objetivo a una frecuencia de operación, con la mínima ocupación de área de silicio.
MEMORIA CON CELULA DE MEMORIA EEPROM DE EFECTO CAPACITIVO Y PROCESO DE LECTURA DE TAL CELULA DE MEMORIA.
(16/04/1999). Solicitante/s: GEMPLUS. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.
EN UNA CELULA DE MEMORIA DE UNA MEMORIA EEPROM O FLASH-EEPROM, SE CONECTAN JUNTOS LA FUENTE Y EL DRENAJE DE UN TRANSISTOR DE REJILLA FLOTANTE FORMANDO EL DISPOSITIVO DE MEMORIZACION NO VOLATIL. SE MUESTRA QUE ENTONCES EL COMPORTAMIENTO CAPACITIVO DE LA CELULA SE DIFERENCIA EN EL MOMENTO DE LA LECTURA SEGUN ESTE EN UN ESTADO PROGRAMADO O BORRADO. ESTA DIFERENCIA DE COMPORTAMIENTO SIRVE PARA DIFERENCIAR LOS ESTADOS LOGICOS.
