(25/01/2017) Reactor para la producción de polisilicio granulado mediante precipitación de silicio policristalino sobre partículas de germinación de silicio, que comprende un depósito de reactor, un tubo de reactor interno para un lecho turbulento con polisilicio granulado y un fondo de reactor dentro del depósito del reactor, un dispositivo de calefacción para el calentamiento del lecho turbulento en el tubo de reactor interno, al menos una tobera de gas de fondo para la alimentación de gas de fluidización, así como al menos una tobera de gas de reacción para la alimentación de gas de reacción, una instalación de alimentación para alimentar partículas de germinación de…

(02/03/2016) Procedimiento para la producción de octaclorotrisilano, exponiéndose clorosilanos, que comprenden al menos un clorosilano monómero de la fórmula general I HxSiCl4-x (I) con x, independientemente entre sí, seleccionado a partir de 0, 1, 2 o 3, a un plasma térmico, siendo el plasma térmico un plasma de arco voltaico, en el que los electrones y los iones poseen aproximadamente la misma temperatura, caracterizado por que el procedimiento se lleva a cabo en un dispositivo que comprende un reactor de descarga de gases con dos columnas (2a, 2b), y - esta prevista una primera columna (2a) con una entrada de columna (3a) para la separación de octaclorotrisilano aguas arriba antes del reactor…

(30/10/2013) Procedimiento para la purificación de un silicio policristalino, en el que, por introducción de unos gases dereacción que contienen un componente, que contiene silicio, e hidrógeno, se deposita silicio en unos reactores, en elque un material condensado purificado, procedente de un primer proceso de deposición en un primer reactor, seaporta a un segundo reactor, y se utiliza en un segundo proceso de deposición en ese segundo reactor,caracterizado porque el primer y el segundo reactores comprenden en cada caso un circuito de hidrógeno separadoy el hidrógeno no consumido en los procesos de deposición se purifica en cada caso y se devuelve de retorno alcorrespondiente circuito de hidrógeno.

(21/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino en forma de granulados, en cuyo caso en un reactorde capa turbulenta con una superficie caliente, un gas de reacción, que contiene un compuesto gaseoso de silicio sedeposita a una temperatura de reacción de 600 a 1.100°C, en forma de silicio metálico, sobre unas partículas desilicio, que han sido fluidizadas mediante un gas de fluidización para formar una capa turbulenta, y las partículasprovistas del silicio depositado, así como el gas de reacción que no ha reaccionado y el gas de fluidización, seretiran desde el reactor, presentándose junto a la superficie del reactor una composición gaseosa que contiene de99,5 a 95 % en moles de hidrógeno y de 0,5 a 5 % en moles del compuesto gaseoso de silicio, y teniendo…

(23/05/2012) Granulado de silicio policristalino, que está caracterizado porque se compone de unas partículas que poseen una densidad mayor que 99,9 % de la densidad teórica del material sólido y por consiguiente poseen una proporción de poros menor que 0,1 % así como una aspereza superficial Ra menor que 150 nm.

(25/01/2011) Aparato para la producción de silicio policristalino, que comprende: (a) un recipiente cilíndrico con una abertura en el extremo inferior que constituye una salida para la extracción de silicio; (b) un calentador para elevar la temperatura de la pared interior desde el extremo inferior hasta la altura que se pretenda del recipiente cilíndrico a una temperatura igual o mayor que la del punto de fusión de silicio; (c) un conducto de alimentación de clorosilano que comprende un tubo interior cuyo diámetro exterior sea menor que el diámetro interior del recipiente cilíndrico y diseñado de tal modo que una abertura del conducto interior esté orientada hacia abajo en un espacio que quede delimitado por la pared interior, de modo que cuando el aparato esté en funcionamiento, se caliente a una temperatura igual o mayor que la del punto de fusión…