CIP-2021 : H01L 21/3205 : Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas,
sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de visualización.
(25/05/2016). Solicitante/s: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Inventor/es: HUITEMA,HJALMAR E. A, KUIJK,KAREL E.
Un dispositivo de visualización que comprende un sustrato con una matriz de píxeles sobre el sustrato, electrodos de fila, electrodos de columna que cruzan los electrodos de fila, elementos de conmutación que son seleccionables por medio de los electrodos de fila para presentar datos, que han sido presentados mediante los electrodos de columna, a los píxeles, en los que partes de los electrodos de columna están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor, o partes de los electrodos de fila están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor caracterizado porque el sustrato es flexible y porque las bandas mutuamente separadas forman derivaciones con los electrodos (6, 5 respectivamente) con respecto a los que están dispuestas paralelas.
PDF original: ES-2587906_T3.pdf
Método de fabricación de dispositivos semiconductores sobre un sustrato del grupo IV con propiedades de superficie de contacto y colas de difusión controladas.
(27/06/2012) Dispositivo semiconductor que comprende:
una capa de germanio de tipo p ;
una capa de nucleación sobre la capa de germanio de tipo p , incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP;
en el que la capa de germanio de tipo p incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V , siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p una función del grosor de la capa de nucleación ;
y en el…
POLIMEROS ORGANICOS SEMICONDUCTORES PARA SENSORES DE GAS.
(01/01/1999). Solicitante/s: AROMASCAN PLC. Inventor/es: PERSAUD, KRISHNA, CHANDRA, PELOSI, PAOLO.
SE PRESENTA UN METODO PARA DEPOSITAR UNA CAPA MULTIPLE DE POLIMEROS ORGANICOS SEMICONDUCTORES EN DONDE LA PRIMERA CAPA DE POLIMERO ORGANICO SEMICONDUCTOR SE POLIMERIZA MEDIANTE LA EXPOSICION DE UN AGENTE OXIDANTE A UN VAPOR QUE CONTIENE EL MONOMERO Y AL MENOS UNA CAPA DE POLIMERO ORGANICO SEMICONDUCTOR SE POLIMERIZA ELECTROQUIMICAMENTE. APLICACION: SENSORES DE GAS.
RESINA POLIMERA PARA EL DEPOSITO DE PD CATALITICO SOBRE UN SUBSTRATO.
(01/08/1998). Solicitante/s: BLUE CHIPS HOLDING. Inventor/es: DUPUIS, OLIVIER, DELVAUX, MARY-HELENE, DUFOUR, PASCALE, MALNERO FERNANDEZ, MARIE-CARMEN, SOUMILLION, JEAN-PHILIPPE, SENDROWICZ, HENRI.
RESINA POLIMERICA CON VISCOSIDAD Y PH AJUSTABLES PARA LA DEPOSICION DE PALADIO CATALITICO SOBRE UN SUSTRATO QUE COMPRENDE, EN COMBINACION, UNA SAL DE PALADIO, UN AGENTE COMPLEXANTE DEL TIPO ACIDO CARBOXILICO O CLORURO, UN POLIMERO QUE CONTIENE GRUPOS HIDROXILO Y/O CARBOXILO SOLUBLE EN AGUA, UN COMPUESTO BASICO Y UN SOLVENTE ELEGIDO ENTRE EL AGUA, EL METANOL Y EL ETANOL, SU PROCESO DE PREPARACION Y SUS APLICACIONES.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CAPA PLANA QUE CONTIENE AL SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURA PERFORADA EN SU SUPERFICIE.
(01/07/1998). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WILLER, JOSEF, LEHMANN, VOLKER, WENDT, HERMANN, DR.
UNA CAPA QUE CONTIENE AL SE SEPARA SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURA PERFORADA EN LA SUPERFICIE EN UN PROCEDIMIENTO APRESURADO, CON LO QUE EL SUBSTRATO MANTENIDO A TEMPERATURA ELEVADA ES SOMETIDO A PROCESO DE REALIZACION EN VACIO. EL PROCEDIMIENTO ES ESPECIALMENTE APROPIADO PARA LA FABRICACION DE CONTACTOS PARA CONDENSADORES, QUE SON REALIZADOS EN UN SUBSTRATO DE SILICIO, CUYA SUPERFICIE SE SOMETE A UN ATAQUE ELECTROQUIMICO ANODICO EN UN ELECTROLITO ACIDO QUE CONTIENE FLUOR DONDE LA SUPERFICIE ES AGRANDADA Y DONDE SOBRE ESTA SUPERFICIE AGRANDADA SE HA APLICADO UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DOTADA DE POLISILICIO COMO CONTRAELECTRODO.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE LAMINAS DELGADAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO.
(01/07/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO DUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: CALZADA COCO, M. LOURDES, CARMONA GONZALEZ, FRANCISCO, SIRERA BEJARANO, RAFAEL, JIMENEZ DIAZ, BASILIO.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE LAMINAS DELGADAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO. PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SOLUCIONES PRECURSORAS CON COMPOSICIONES BASADAS EN EL TITANATO DE PLOMO MODIFICADO, UTILIZADAS PARA LA DEPOSICION DE LAMINAS DELGADAS FERROELECTRICAS. PARA LA PREPARACION DE LAS SOLUCIONES, SE PROCEDE A LA SINTESIS DE UN GEL DE PLOMO Y TITANIO, A TROVES DE UNA RUTA SOL-GEL BASADA EN LA UTILIZACION DE ALCOXIDOS DE TITANIO MODIFICADOS Y DE DIOLES COMO DISOLVENTES. ESTE GEL PRESENTA LA PROPIEDAD DE REHIDRATARSE EN EXCESO DE AGUA, AL INCORPORAR AL SISTEMA EL ION MODIFICADOR EN FORMA DE DISOLUCION ACUOSA DE ALGUNA DE SUS SALES. ASI, SE OBTIENEN SOLUCIONES HIDRO-ALCOHOLICAS ESTABLES PRECURSORAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO. CON ESTE PROCESADO SE SIMPLIFICA Y FACILITA LA FABRICACION, A PARTIR DE SOLUCIONES, DE LAMINAS DELGADAS FERROELECTRICAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO, ASI COMO SU INTEGRACION CON LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES UTILIZADOS EN DISPOSITIVOS PARA MICROELECTRONICA.
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.
(16/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.
PROCESO DE PULVERIZACION PARA FORMAR UNA CAPA DE ALUMINIO SOBRE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA ESCALONADA.
(01/05/1997) ES UN PROCESO DE PULVERIZACION DE ALUMINIO ESCALONADO, EL ALUMINIO SE PULVERIZA SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA Y CAPAS BAJAS ENTRE LAS PARTES LEVANTADAS DE POCO PASO DE LA PLAQUITA , DE MODO QUE LOS ESCALONES SEPARADOS DE POCO PASO, ZANJAS ESTRECHAS, O VIAS DE PEQUEÑO DIAMETRO, QUEDAN COMPLETAMENTE RELLENADAS CON EL ALUMINIO PULVERIZADO . ESTO DA COMO RESULTADO EL QUE SE FORME UNA CAPA DE ALUMINIO QUE NO PUEDA MAS FINA EN TALES ZONAS MAS BAJAS, Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE VARIA ENTRE UNA PENDIENTE PLANA Y UNA PENDIENTE POSITIVA TAL Y COMO SE MUESTRA EN (24') Y (26') EN LA FIGURA 2. EL PRIMER PASO SE LLEVA A CABO PULVERIZANDO DE UNOS 20 A UNOS 200 NM (DE UNOS 200 A UNOS 2000 ANGSTROMS) DE ALUMINIO MIENTRAS QUE LA TEMPERATURA DE LA PLAQUITA…
PROCESO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA UTILIZANDO UNA DEPOSICION SELECTIVA MEDIANTE HIDRURO DE ALUMINIO ALQUIL.
(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.
AL OFRECER UN METODO DE FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA EN LA QUE EL ALUMINIO O EL METAL COMPUESTO DE PRINCIPALMENTE ALUMINIO DE BUENA CALIDAD SE DEPOSITA SELECTIVAMENTE DE ACUERDO CON EL METODO CVD QUE UTILIZA UN HYDRIDE DE ALUMINIO ALQUIL E HIDROGENO, Y LUEGO ALUMINIO PURO O UN METAL COMPUESTO DE EL ES DEPOSITADO NO SELECTIVAMENTE LO QUE HACE POSIBLE FORMAR UNA PELICULA ELECTROCONDUCTORA DE BUENA CALIDAD DENTRO DE PEQUEÑAS ABERTURAS EN UNA CAPA AISLANTE.
METODO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS CON SILICIURO.
(01/01/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LU, CHIH-YUAN, LIU, RUICHEN, PAI, CHIEN-SHING, TSAI, NUN-SIAN.
SE DESCRIBE UN PROCESO DE FORMACION DE SILICIUROS DE METAL CON RESISTENCIA UNIFORME EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SE DEPOSITA UNA CAPA DE METAL, COMO TITANIO, SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICE. LA CAPA DE METAL SE AISLA CON UNA CAPA DE NITRIDO DE TITANIO O DE NITRIDO DE SILICE. LA CAPA AISLANTE IMPIDE LA INTRUSION DE OXIGENO DURANTE UN PROCESO DE CALENTAMIENTO SUBSIGUIENTE. (LA INTRUSION DE OXIGENO ALCANZA INDESEABLEMENTE LA RESISTENCIA DEL SILICIURO). ADEMAS, CUANDO SE USA EL RECOCIDO TERMICO RAPIDO PARA EL CALENTAMIENTO, SE OBTIENE TIPICAMENTE LA UNIFORMIDAD MEJORADA EN EL ESPESOR DEL SILICIURO. LA CAPA AISLANTE PUEDE QUITARSE DESPUES O PUEDE RETENERSE EN ALGUNAS CIRCUNSTANCIAS PARA PROPORCIONAR INTERCONEXIONES LOCALES.
