CIP-2021 : C23C 16/14 : Deposición de solo otro elemento metálico.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/14 · · · Deposición de solo otro elemento metálico.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Recubrimiento de Pt-Al-Hf/Zr y método.
(14/03/2019). Solicitante/s: HOWMET CORPORATION. Inventor/es: MURPHY,KENNETH S.
Un recubrimiento de aluminuro para un componente hecho de una superaleación de níquel, incluyendo el recubrimiento una fase X-Pt/Pd-Ni, en donde la fase comprende X, que es Hf y/o Zr, uno o ambos de Pt/Pd, y Ni, y en donde la fase X-Pt/Pd-Ni está presente en una fase ß NiAl del recubrimiento,
en donde la fase comprende X2Pt3Nix, donde x es 5 o menos, o en donde la fase comprende XPdNix donde x es 4 o 5 menos, y en donde la fase X2Pt3Nix está presente en la fase ß (Ni, Pt)Al, y en donde la fase XPdNix está presente en la fase ß (Ni, Pd)AI.
PDF original: ES-2704138_T3.pdf
PIEZA DE CORTE PARA ARRANCAR VIRUTAS DE MATERIALES METALICOS CON UN REVESTIMIENTO QUE CONTIENE SULFURO DE MOLIBDENO Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(01/01/2004) Procedimiento para fabricar mediante CVD un revestimiento, que contiene sulfuro de molibdeno, sobre una herramienta de un cuerpo de base de metal duro, cermet, cerámica o acero, en especial acero rápido, caracterizado porque a) el cuerpo de base o el cuerpo de base revestido con TiN se calienta primero en una mezcla gaseosa no reactiva, de hidrógeno y argón, a una temperatura comprendida entre 500 °C y 900 °C, preferentemente comprendida entre 600 °C y 750 °C, b) se ajusta una presión comprendida entre 0, 1 kPa y 50 kPa, preferentemente comprendida entre 0, 1 kPa y 1 kPa, c) a continuación, una mezcla gaseosa de un halogenuro de molibdeno, preferentemente cloruro de molibdeno, hidrógeno y argón con una porción en volumen del halogenuro de molibdeno de 0, 5 % a 5 %, preferentemente…
METALIZACION DE TUNGSTENO DE DIAMANTE CVD.
(16/07/1998). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: ZARNOCH, KENNETH PAUL, IACOVANGELO, CHARLES DOMINIC.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA MEJORAR SIGNIFICANTEMENTE LA ADHESION DE UN METAL REFRACTARIO DEPOSITADO SOBRE UN DIAMANTE. EL PROCESO IMPLICA LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO DE METAL DELGADO INICIAL A TRAVES DE UNA DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA PRESION SOBRE EL DIAMANTE, TRATAMIENTO DEL CALOR EN UN MEDIO NO OXIDANTE , Y CONTINUANDO LA DEPOSICION DE EL REVESTIMIENTO DE METAL INICIAL HASTA QUE SE CONSIGUE EL GROSOR DESEADO. LAMINAS DE DIAMANTE QUE HAN EXPERIMENTADO EL PROCESO DE LA INVENCION DONDE SE DEPOSITAN 15 MICROMETROS DE TUNGSTENO, MUESTRAN VALORES ADHESIVOS DE TUNGSTENO EN EXCESO DE 10.000 POUNDS POR PULGADA CUADRADA.
ENVIO DE UN GAS REACTIVO DESDE LAS FUENTES DE SUMINISTRO AL LUGAR DE PROCESO.
(16/02/1996). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: GEORGE, MARK ALLEN.
SE DESCRIBE UN SISTEMA ENVIO POR CONTROL REMOTO PARA UN GAS DE PROCESO, SENSIBLE A LA HUMEDAD Y POTENCIALMENTE TOXICO AL PUNTO DE UTILIZACION (POR EJEMPLO UN SISTEMA CVD).
METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.
(01/11/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.
UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.