CIP-2021 : C30B 15/10 : Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 15/10 · Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método de impregnación de crisoles y artículos refractarios.
(13/04/2016). Solicitante/s: Zircoa Inc. Inventor/es: JUST,ARDEN L.
Un método de sellado de una superficie y una estructura de un artículo refractario con una cerámica, que comprende las etapas de:
(a) calentar un artículo refractario a una temperatura entre 100 ºC y 150 ºC;
(b) aplicar un agente humectante a una superficie de dicho artículo;
(c) aplicar una barbotina cerámica que tiene una viscosidad de 0,1 a 3,5 Ns/m2 (100 a 3.500 centipoise) a lo largo de la superficie de dicho artículo, estando dicha barbotina cerámica compuesta de agua, de un agente humectante/dispersante y de un 20 % a un 80 % en peso de polvo cerámico, teniendo al menos el 90 % de dicho polvo cerámico un tamaño de partícula de menos de 1 micrómetro;
(d) aplicar un vacío a dicho artículo;
(e) eliminar el exceso de barbotina de la superficie de dicho artículo; y
(f) calentar dicho artículo para eliminar la humedad del mismo.
PDF original: ES-2623215_T3.pdf
Procedimiento y dispositivo para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor.
(27/11/2013) Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central de este inductor plano, caracterizado por que el material semiconductor granulado seencuentra en un…
CRUCIBLE FOR THE TREATMENT OF MOLTEN SILICON.
(28/12/2010) Un crisol para el tratamiento de silicio fundido que comprende un cuerpo básico con una superficie de fondo y paredes laterales que definen un volumen interior, el cuerpo básico comprende: - por lo menos 65% en peso de carburo de silicio; - de 12 a 30% en peso de un constituyente seleccionado de óxido o nitruro de silicio, el cuerpo básico también comprende por lo menos un revestimiento de óxido y/o nitruro de silicio, por lo menos sobre las superficies que definen el volumen interior del crisol
CRISOL MEJORADO PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO.
(26/07/2010) Crisol para la cristalización de silicio que comprende
a) un cuerpo base que comprende una superficie inferior y paredes laterales que definen un volumen interior;
b) una capa de sustrato que comprende entre el 80% y el 100% en peso de nitruro de silicio en la superficie de las paredes laterales que miran hacia el volumen interior;
c) una capa intermedia que comprende entre el 50% y el 100% en peso de sílice sobre la capa de sustrato ; y
d) una capa superficial que comprende entre el 50% y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia
CRISOL DE SOPORTE DE MULTIPLES PARTES.
(01/08/1995). Solicitante/s: RINGSDORFF-WERKE GMBH. Inventor/es: SCHMIDT, BERND, DR., WEGMETH, JULIUS.
SE PROPONE UN CRISOL SOPORTE COMPUESTO DE SEGMENTO PARA SU UTILIZACION EN CRISOLES DE FUNDICION EN INSTALACIONES DE EXTRACCION DE CRISTAL. LA SUPERFICIES QUE DELIMITAN LOS SEGMENTOS CON RESPECTO A LOS SEGMENTOS VECINOS RESPECTIVOS SE SOLAPAN AL MENOS EN LA ZONA DE LA PARED DE CRISOL. SE EVITA CON ELLO LA EXPOSICION DIRECTA DE LA PARED DEL CRISOL DE FUSION A LA EMANACION DE RADIACIONES TERMICAS DE LOS ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO. DE ACUERDO CON EL PROCESO DE FABRICACION REFERIDO, EL CRISOL SOPORTE ESTA PRODUCIDO MEDIANTE CORTES PARALELOS CON RESPECTO A LA LINEA CENTRAL DE UN CRISOL NO SEGMENTADO EN UN ANGULO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE CUBIERTA QUE SE EXTIENDE EN FORMA CURVA DESDE EL PUNTO DE ARRANQUE EN LA CUBIERTA DEL CRISOL A LA LINEA CENTRAL DEL CRISOL.
UN SISTEMA DE CRISOL/ SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENTRIFICA.
(16/08/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION. Inventor/es: KOCHKA, EDGAR LEONARD, PIOTROWSKI, PAUL ANTHONY, DUNCAN, CHARLES STUART.
UN SISTEMA DE CRISOL/SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENDRITICA, EN EL QUE LAS PAREDES LATERALES DEL CRISOL Y DE LA CAVIDAD DEL SUSCEPTOR ESTAN INCLINADAS HACIA FUERA SEGUN UN ANGULO SUFICIENTE PARA QUE LA FUERZA DE LA GRAVEDAD SUPERE A LAS FUERZAS QUE TIRAN HACIA DENTRO, CREADAS POR LA ELEVADA TENSION SUPERFICIAL DEL SILICIO FUNDIDO, QUE PERMITE QUE LAS PAREDES ABLANDADAS DEL CRISOL DE CUARZO SE APLIQUEN Y ADAPTEN A LAS PAREDES INCLINADAS DEL SUSCEPTOR, CON LO QUE SE MEJORA LA TRANSFERENCIA DE CALOR DESDE EL SUSCEPTOR AL SILICIO FUNDIDO Y SE MEJORA LA REPRODUCTIBILIDAD DEL SISTEMA.
