CIP-2021 : C30B 23/02 : Crecimiento de un lecho epitaxial.
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Notas[g] desde C30B 23/00 hasta C30B 25/00: Crecimiento de monocristales a partir de vapores
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.
C30B 23/02 · Crecimiento de un lecho epitaxial.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos.
(08/01/2020). Solicitante/s: UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA. Inventor/es: NOETZEL,RICHARD, SANGUINETTI,STEFANO.
Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de:
a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre una superficie de un sustrato de silicio exponiendo una cara de cristal , de tal modo que la capa de InGaN crece epitaxialmente a lo largo del eje c y, en consecuencia, expone el plano c;
b) separar el depósito de InGaN del sustrato;
c) fragmentar el depósito de InGaN;
d) transferir los fragmentos de InGaN obtenidos de este modo sobre un soporte conductor con una estructura unidimensional, bidimensional o tridimensional.
PDF original: ES-2784436_T3.pdf
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Aparato y método de crecimiento cristalino.
(08/07/2015) Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende:
una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ;
una cámara de crecimiento ;
un paso para el transporte de vapor desde la cámara de aporte hasta la cámara de crecimiento ;
un soporte , dispuesto dentro de la cámara de crecimiento y configurado para soportar un cristal seminal ; y
un espacio de separación , definido entre la cámara de crecimiento y el soporte ;
de tal modo que el coeficiente de dilatación térmica del soporte es mayor que el coeficiente de dilatación térmica de la cámara de crecimiento, y de forma que los materiales y dimensiones del soporte y de la cámara de crecimiento se han seleccionado…
Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor.
(29/08/2012) Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor que comprende un sustrato cubierto por una capa de material, comprendiendo además dicho dispositivo:
- una cámara de crecimiento que rodea un área de procesado , comprendiendo dicha cámara de crecimiento una pared lateral , una pared inferior y una pared superior , presentando cada una de ellas una superficie interior,
- un panel criogénico principal que tiene al menos una parte lateral que cubre la superficie interior de dicha pared lateral ,
- un soporte de muestras apto para soportar dicho sustrato, comprendiendo dicho soporte de muestras unos medios de calentamiento,
- por lo menos una celda de efusión apta para evaporar átomos o moléculas de elementos o compuestos,
- un inyector de gas apto para…
EQUIPO DE EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR.
(16/06/2005). Solicitante/s: ADDON. Inventor/es: BOUCHA B, PIERRE, STEMMELEN, FRANCK.
Equipo de epitaxia que comprende un recinto de epitaxia al vacío que contiene un soporte de substrato y, al menos, una célula de evaporación al vacío del material de epitaxia cerrada por un diafragma que presenta, al menos, un orificio y que comunica con el recinto de epitaxia por una brida de unión, que comprende, además, una placa colocada frente al citado diafragma perforado, caracterizado porque la citada placa es móvil de modo que la distancia de la placa a la superficie exterior del diafragma es variable y presenta una sección correspondiente a la sección del citado diafragma: formándose el haz molecular a nivel de una zona que rodea la placa.
APARATO Y CRISOL PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR.
(01/06/1995). Solicitante/s: SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION. Inventor/es: VALENTIAN, DOMINIQUE.
EL APARATO PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR A ALTA TEMPERATURA COMPRENDE UN RECINTO TERMICAMENTE AISLANTE, UN PRIMER, UN SEGUNDO Y UN TERCER DIFUSOR PARA CONSTITUIR UNA PRIMERA, UNA SEGUNDA Y UNA TERCERA ZONA DE CALENTAMIENTO ISOTERMICO RESPECTIVAMENTE ALREDEDOR DEL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO DE UN CRISOL CERRADO AMOVIBLE DESTINADO A CONTENER UN MATERIAL FUERTE EN EL PRIMER COMPARTIMENTO Y UN SUSTRATO EN EL SEGUNDO COMPARTIMENTO . EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER DIFUSOR SON POR CONSTRUCCION INDEPENDIENTES TERMICAMENTE UNOS DE OTROS Y PRESENTAN CADA UNO UNA SECCION EN FORMA DE U PARA CONTENER RESPECTIVAMENTE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) DEL CRISOL. ESTE PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) ESTAN DISPUESTOS DE MANERA NO ALINEADA, SEGUN UNA LINEA QUEBRADA, DE TAL MANERA QUE LOS DECALAJES ANGULARES ASEGURAN UN DESACOPLAMIENTO TERMICO RADIACTIVO ENTRE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23).
METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO.
(01/03/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, NARUSE, YASUHIRO.
LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE SOBRE LA CUAL ESTAN DISPUESTAS ADYACENTES UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDS) CON UNA PEQUEÑA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDS) Y UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDL) QUE TIENE UN AREA SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA PARA QUE CREZCA EL CRISTAL SOLAMENTE A PARTIR DE UN UNICO NUCLEO, Y QUE TIENE UNA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDL) MAYOR QUE LA DE LA SUPERFICIE (SNDS), DANDO ASI LUGAR AL CRECIMIENTO DE UN MONOCRISTAL A PARTIR DE DICHO UNICO NUCLEO.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DEL TIAZOL.
(16/05/1975). Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DE TIAZOL.
(16/03/1975). Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DE ALTIAZOL.
(01/01/1975). Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..
Resumen no disponible.