CIP-2021 : C30B 31/02 : por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido.
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Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 31/00 Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.
C30B 31/02 · por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE OXIDO DE FOSFORO-SILICATO-CRISTAL SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO DE SILICIO.
(01/02/1983). Solicitante/s: SOLAREX CORPORATION.
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR SOBRE UNA LAMINA DE SILICIO UNA PELICULA ESENCIALMENTE CONTINUA DE ACIDO FOSFORICO, LA CUAL MEDIANTE UN TRATAMIENTO ULTERIOR FORMA UNA UNION ELECTRICA P-N. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE VAPORIZA ACIDO FOSFORICO MEDIANTE LA PULVERIZACION DE ACIDO FOSFORICO EN UN TUBO CALENTADO A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 400 Y 800 GRADOS, SIENDO PORTADO DICHO ACIDO FOSFORICO POR UN GAS INERTE; SEGUNDA, SE CONDENSA EL MENCIONADO VAPOR SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SILICIO PAR FORMAR UNA PELICULA CONTINUA; Y POR ULTIMO, SE CALIENTA LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SILICIO PARA FORMAR UNA CAPA DE OXIDO DE FOSFORO-SILICATO-CRISTAL , CON UN ESPESOR COMPRENDIDO ENTRE 90 Y 200 A. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, TALES COMO CELULAS SOLARES. L.
PROCEDIMIENTO PARA INTRODUCIR IMPUREZAS APRECIABLES O INFLUYENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTIVO SÓLIDO.
(16/05/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Procedimiento para introducir impurezas apreciables o influyentes en un cuerpo semiconductivo sólido, especialmente en un cuerpo de silicio, el cual comprende la fase de poner el cuerpo en contacto con una atmósfera que contiene la impureza apreciable en estado de vapor; caracterizado porque ese contacto se mantiene a una temperatura y durante un lapso adecuados para producir una capa vítrea en la superficie del citado cuerpo, y una capa difusa de impureza apreciable en el cuerpo mismo; se ataca éste para quitar la capa vitrea, y se calienta luego a una temperatura y durante un lapso convenientes para que la impureza apreciable de la capa difusa se difunda más hacia el interior del cuerpo referido.
