CIP-2021 : C30B 31/04 : por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido.
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Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 31/00 Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.
C30B 31/04 · por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
DOPADO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARTICULADOS.
(19/12/2011) Un método para dopar partículas semiconductoras para cambiar la concentración de vehículo y/o el tipo del material semiconductor, comprendiendo el método mezclar una cantidad de partículas semiconductoras, que tienen un tamaño de partícula en el intervalo de 1 nm a 100 µm, con una sal iónica o una preparación de sales iónicas, de modo que capa partícula semiconductora como un todo se dopa mediante adsorción o absorción de una o más especies iónicas de la sal iónica o la preparación de sales iónicas
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES ASI COMO CRISTAL.
(16/12/1994). Solicitante/s: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT. TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM. Inventor/es: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT., TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM.
SE DESCRIBEN UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES Y CRISTALES COMO RESULTADO DE ESTE PROCEDIMIENTO. EL PROCEDIMIENTO SE REFIERE A CRISTALES QUE CONTIENEN UNA REJILLA RECEPTORA DE OXIDO DE (BETA)-ALUMINIO E IONES DE SODIO EN LOS PLANOS CONDUCTORES. ESTOS IONES DE SODIO SE SUSTITUYEN PARCIAL O COMPLETAMENTE POR IONES TRIVALENTES DE TIERRAS RARAS MEDIANTE UN INTERCAMBIADOR DE IONES. UNA CARACTERISTICA ESENCIAL DEL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN SUMERGIR CRISTALES-NA-(BETA)-AL SUB 2O SUB 3 DESHIDRATADOS EN UNA MASA FUNDIDA PURA DE SE X SUB 3-(X = CL, BR, L), MANTENIENDOLOS AHI A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN TIEMPO DE PROCESO PREFIJADOS.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.
(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.
