CIP-2021 : H01L 21/473 : compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO DE OBTENCION DE PASIVACION DE DIOXIDO DE SILICIO DE ALTA CALIDAD SOBRE CARBURO DE SILICIO.
(01/06/2001). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W.
UN METODO PARA OBTENER CAPAS DE PASIVACION DE GRAN CALIDAD, SOBRE SUPERFICIES DE CARBURO DE SILICIO, MEDIANTE OXIDACION DE UNA CAPA SACRIFICIAL DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO, SOBRE UNA PORCION DE CARBURO DE SILICIO, DE UNA ESTRUCTURA DE DISPOSITIVO, PARA CONSUMIR SUSTANCIALMENTE LA CAPA SACRIFICIAL Y OBTENER UNA CAPA DE PASIVACION DE OXIDO SOBRE LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO QUE ESTA SUSTANCIALMENTE LIBRE DE ADULTERANTES QUE, DE OTRO MODO, DEGRADARIAN LA INTEGRIDAD ELECTRICA DE LA CAPA DE OXIDO. LA OXIDACION DE LA CAPA SACRIFICIAL SE OBTIENE PREFERENTEMENTE MEDIANTE OXIDACION TERMICA. LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO PUEDE SER CARBURO DE SILICIO DEL TIPO P, QUE ES ALUMINIO IMPURIFICADO.