CIP-2021 : H01L 27/20 : con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/20 · con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Módulo microelectrónico, conjunto modular y procedimiento para influir en un flujo.
(03/05/2019). Solicitante/s: Airbus Defence and Space GmbH. Inventor/es: BAUER, KARIN, CASPARI,RALF, WEICHWALD,ROBERT, ERMANN,EMANUEL.
Módulo microelectrónico para influir en un flujo de un fluido que presenta:
al menos un transformador de tensión para la conversión de una primera tensión (V1) puesta a disposición en una segunda tensión (V2) más alta o más baja;
al menos un elemento activo que influye en el flujo para influir en la dirección y/o en la velocidad de un fluido que fluye alrededor del y/o sobre el elemento activo para influir en el flujo ;
disponiéndose al menos el transformador de tensión y el elemento activo para influir en el flujo en un sustrato plano de capa fina ; y
dependiendo la influencia en la dirección y/o en la velocidad del fluido de una aceleración hidrodinámica en función de la segunda tensión (V2) puesta a disposición por el transformador de tensión en el elemento activo para influir en el flujo.
PDF original: ES-2711312_T3.pdf
MATRIZ DE ESPEJOS ACCIONADOS DE PELICULA DELGADA Y SU METODO DE FABRICACION.
(01/03/2000) SE PROPORCIONA UNA SERIE IMPRESIONANTE DE ESPEJOS ACCIONADOS DE PELICULA FINA M X N PARA USAR EN UN SISTEMA DE PROYECCION OPTICA QUE CONSTA DE UNA MATRIZ ACTIVA, UNA SERIE IMPRESIONANTE DE ESTRUCTURAS ACCIONADORAS DE PELICULA FINA M X N, INCLUYENDO CADA UNA DE LAS ESTRUCTURAS ACCIONADORAS DE PELICULA FINA AL MENOS UNA CAPA DE PELICULA FINA DE UNA MATERIAL CON MOVIMIENTO INDUCIDO, UN PAR DE ELECTRODOS, ESTANDO PROVISTOS CADA UNO DE LOS ELECTRODOS EN LA PARTE SUPERIOR E INFERIOR DE LA CAPA CON MOVIMIENTO INDUCIDO DE PELICULA FINA, UNA SERIE IMPRESIONANTE DE MIEMBROS DE APOYO M X N, ESTANDO CADA UNO DE LOS MIEMBROS DE APOYO USADO PARA SUJETAR…
MATRIZ DE ESPEJOS ACCIONADOS DE PELICULA DELGADA DESTINADA A UN SISTEMA DE PROYECCION OPTICO Y SU METODO DE FABRICACION.
(01/03/2000) UN DISPOSITIVO DE M X N ESPEJOS ACCIONADOS POR MEMBRANAS FINAS PARA UTILIZAR EN UN SISTEMA DE PROYECCION OPTICA COMPRENDE UNA MATRIZ ACTIVA; UN DISPOSITIVO DE M X N ESTRUCTURAS DE ACCIONAMIENTO POR MEMBRANAS FINAS, CADA UNA DE LAS CUALES INCLUYE AL MENOS UNA CAPA DE MEMBRANA FINA DE UN MATERIAL INDUCTOR DE MOVIMIENTO; UN PAR DE ELECTRODOS CADA UNO DE LOS CUALES ESTA PROVISTO SOBRE LA PARTE SUPERIOR E INFERIOR DE LA CAPA INDUCTORA DE MOVIMIENTO DE MEMBRANA FINA; UN DISPOSITIVO DE M X N MIEMBROS DE SOPORTE CADA UNO DE LOS CUALES SE UTILIZA PARA SUJETAR LAS ESTRUCTURAS DE ACCIONAMIENTO EN SU LUGAR POR MEDIO DE RESORTES CANTILEVER, Y TAMBIEN…
CAPTADOR CON ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.
(16/02/1995). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES. Inventor/es: MOSSER, VINCENT, SUSKI, IAN.
LA INVENCION SE REFIERE A LOS DETECTORES DE SEMICONDUCTORES CON EFECTO DE CAMPO. EL DETECTOR SEGUN LA INVENCION COMPRENDE UN OSCILADOR DE ANILLO FORMADO A PARTIR DE UN NUMERO IMPAR DE INVERSORES CMOS Y DISPUESTO EN UNA ZONA SENSIBLE A LA MAGNITUD FISICA QUE SE DESEA MEDIR. PARA AUMENTAR LA SENSIBILIDAD DEL DETECTOR, SE DISPONE PARA CADA INVERSOR CMOS EL CANAL N DEL TRANSISTOR NMOS PERPENDICULARMENTE AL CANAL P DEL TRANSISTOR PMOS.