CIP-2021 : H01L 29/04 : caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina,
cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/04 · · caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Detector de radiación y procedimiento para producir el mismo.
(01/07/2020) Detector de radiación que comprende:
a) una estructura de antena ; y
b) una estructura de transistor de efecto de campo, FET con una región de fuente , una región de compuerta y una región de drenaje ,
c) estando dispuestas estas regiones sobre un sustrato y formando estructuras de electrodo eléctricamente conductoras independientes entre sí a través de metalización;
caracterizado porque
d) la estructura de electrodo de compuerta envuelve completamente la estructura de electrodo de fuente o la estructura de electrodo de drenaje en un primer plano (E1);
e) la estructura de electrodo envuelta …
Dispositivos electrónicos flexibles, de gran área, basados en semiconductores, sobre sustratos orientados de {110}.
(05/11/2014) Un dispositivo electrónico policristalino, que comprende;
a. un sustrato flexible, de metal o de aleación, recocido, con una textura de recristalización primaria o secundaria correspondiente a {110} , con un mosaico o nitidez de textura de menos de 10 grados, que tiene un tamaño medio de grano más grande que 1 mm;
b. al menos una capa epitaxial de un material semiconductor policristalino en la parte superior de una capa tampón, seleccionado de un grupo que comprende semiconductores de banda prohibida indirecta, tales como Si, Ge, GaP;
semiconductores de banda prohibida directa tales como CdTe, CuInGaSe2 (CIGS), GaAs, AlGaAs, GaInP y AlInP;
semiconductores de multibanda tales como materiales de II-O-VI como Zn1-yMnyOxTe1-x y semiconductores de multibanda de III-N-V, tales como GaNxAs1-x-yPy, y combinaciones de los mismos, incluyendo…
CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.
(01/04/2004). Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es: ROBERTS, ELLIS E.
SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.
MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR.
(01/07/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SCHULTE, ROLF, KAMMERMAIER, JOHANN, DR.
NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR. EL NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR SE DEBERA PODER OBTENER SEGUN LA TECNOLOGIA DE CAPA DELGADA EMPLEANDO PROCESOS DE BANDA Y PRESENTAR UNA MOTILIDAD DE LOS PORTADORES DE CARGA DE COMO MINIMO 1 C.
MEJORAS INTRODUCIDAS EN UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR AMORFO.
(16/10/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
Mejoras introducidas en un elemento conductor amorfo constituido por un material semiconductor amorgo caracterizadas porque incluyen una composición de una pluralidad de elementos, de los cuales uno por lo menos es un elemento de peso atómico constituido por boro, carbono, nitrógeno y oxígeno, que tiene la forma de una matriz de recepción amorfa sólida teniendo configuraciones estructurales de orden localizada en lugar de largo alcance y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo de energía y una energía eléctrica de activación, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene órbitas que reaccionan con la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo de energía estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa a la temperatura ambiente y a temperaturas superiores.
ELEMENTO SEMICONDUCTOR AMORFO.
(16/09/1979) Elemento semiconductor amorfo que incluye un material semiconductor amorfo inicialmente de pares aislados que tiene órbitas formadas en una matriz de recepción amorfa sólida que presenta configuraciones estructurales localizadas en lugar de extensas y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo, energético y una energía de activación eléctrica importante, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene unas órbitas que interactúan con las órbitas de la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo energético estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa, reduciendo sustancialmente la energía de activación eléctrica de la misma y, por tanto, aumentando sustancialmente la conductividad eléctrica del elemento semiconductor…
