CIP-2021 : H01L 29/167 : caracterizados además por el material de dopado.
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Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/167 · · · · caracterizados además por el material de dopado.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, PARTICULARMENTE PARA USO COMO DIODO AMORTIGUADOR EN UN CIRCUITO DE DESVIACION HORIZONTAL DE UN RECEPTOR DE TELEVISION.
(01/03/1984). Solicitante/s: HITACHI, LTD..
DIODO SEMICONDUCTOR P-I-N, DE UTILIZACION COMO AMORTIGUADOR EN CIRCUITOS DE DESVIACION HORIZONTAL DE RECEPTORES DE TELEVISION.INCLUYE UN NODULO DE SILICIO DE UNA ESTRUCTURA P-I-N, EN LA QUE LA CAPA I (11A) TIENE UNA RESISTIVIDAD COMPRENDIDA EN EL INVERVALO DE 40 A 80 OHM.CM Y UN ESPESOR COMPRENDIDO EN EL INTERVALO DE 120 A 180 MICRAS, Y QUE TIENE UNA DIFUSION DE PLATINO DE CONCENTRACION COMPRENDIDA EN EL INTERVALO DE 2.1012 A 2.1014 ATOMOS/CM. EL DIODO PRESENTA BUENA RESISTENCIA A LA ALTA TENSION, Y BUENAS CARACTERISTICAS DE RECUPERACION DIRECTA E INVERSA.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.