CIP-2021 : C30B 13/34 : caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).
C30B 13/34 · caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE UN LINGOTE CRISTALINO DE HG1-XO CDXO TE.
(01/12/1991). Solicitante/s: SAT (SOCIETE ANONYME DE TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es: DURAND,ALAIN RENE LUCIEN, DESSUS,JEAN-LUC, ROYER,MICHEL.
ANTES DE DESPLAZAR UNA ZONA DE DISOLVENTE CALENTADA PARA DISOLVER PROGRESIVAMENTE LINGOTES-FUENTE Y DAR NACIMIENTO A UN LINGOTE UNICO , SE CREA UNA ZONA DE ADAPTACION A PARTIR DE UN GERMEN MONOCRISTALINO , MEDIANTE CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO DEL DISOLVENTE EN CONTACTO CON EL GERMEN . EL LINGOTE OBTENIDO ES MONOCRISTALINO. EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION PERMITE, EN PARTICULAR, REDUCIR LOS COSTES DE FABRICACION DE COMPUESTOS COMO LOS DETECTORES DE INFRARROJOS O LOS DIODOS DE AVALANCHA.