(01/07/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO DUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: CALZADA COCO, M. LOURDES, CARMONA GONZALEZ, FRANCISCO, SIRERA BEJARANO, RAFAEL, JIMENEZ DIAZ, BASILIO.

PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE LAMINAS DELGADAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO. PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SOLUCIONES PRECURSORAS CON COMPOSICIONES BASADAS EN EL TITANATO DE PLOMO MODIFICADO, UTILIZADAS PARA LA DEPOSICION DE LAMINAS DELGADAS FERROELECTRICAS. PARA LA PREPARACION DE LAS SOLUCIONES, SE PROCEDE A LA SINTESIS DE UN GEL DE PLOMO Y TITANIO, A TROVES DE UNA RUTA SOL-GEL BASADA EN LA UTILIZACION DE ALCOXIDOS DE TITANIO MODIFICADOS Y DE DIOLES COMO DISOLVENTES. ESTE GEL PRESENTA LA PROPIEDAD DE REHIDRATARSE EN EXCESO DE AGUA, AL INCORPORAR AL SISTEMA EL ION MODIFICADOR EN FORMA DE DISOLUCION ACUOSA DE ALGUNA DE SUS SALES. ASI, SE OBTIENEN SOLUCIONES HIDRO-ALCOHOLICAS ESTABLES PRECURSORAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO. CON ESTE PROCESADO SE SIMPLIFICA Y FACILITA LA FABRICACION, A PARTIR DE SOLUCIONES, DE LAMINAS DELGADAS FERROELECTRICAS DE TITANATO DE PLOMO MODIFICADO, ASI COMO SU INTEGRACION CON LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES UTILIZADOS EN DISPOSITIVOS PARA MICROELECTRONICA.

(16/03/1997). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN REVESTIMIENTO CERAMICO O SIMILAR AL CERAMICO SOBRE UN SUBSTRATO ESPECIALMENTE SOBRE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ASI COMO AL SUBSTRATO REVESTIDO POR EL MISMO. EL METODO COMPRENDE EL REVESTIMIENTO DE DICHO SUBSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN SOLVENTE, RESINA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO Y UN PRECURSOR DE OXIDO CERAMICO MODIFICADOR SELECCIONADO ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE PRECURSORES DE OXIDO DE TANTALIO, PRECURSORES DE OXIDO DE NIOBIO, PRECURSORES DE OXIDO DE BORO. EL SOLVENTE SE EVAPORA PARA DE ESTA MANERA DEPOSITAR UN RECUBRIMIENTO PRECERAMICO SOBRE EL SUBSTRATO. EL REVESTIMIENTO PRECERAMICO SE CERAMIFICA ENTONCES CALENTANDOLO HASTA UNA TEMPERATURA DE ENTRE 40 Y 1000 C. ESTE REVESTIMIENTO, ADEMAS PUEDE SER RECUBIERTO POR RECUBRIMIENTOS DE PASIVIDAD ADICIONAL Y PROTECTORES.

(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

(16/03/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: LAW, KAM SHING, LEUNG, CISSY, TANG, CHING CHEONG, COLLINS, KENNETH STUART, CHANG, MEI, WONG, JERRY YUEN KUI, WANG, DAVID NIN-KOU.

EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.

(01/07/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DOKLAN, RAYMOND H., MARTIN, EDWARD PAUL, JR., ROY, PRADIP KUMAR, SHIVE, SCOTT FRANCIS, SINHA, ASHOK KUMAR.

SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.

(01/04/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON, ANDREW, LOREN.

UN PROCEDIMIENTO PARA FORMAR SOBRE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO, UN REVESTIMIENTO DE CAPAS MULTIPLES DEL TIPO DE CERAMICA O PARECIDO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS MEDIANTE DILUCION EN UN DISOLVENTE DE UNA MEZCLA DE PRECERAMICA DE UN ESTER DE SILICATO PARCIALMENTE HIDROLIZADO QUE SE APLICA A SU SUBSTRATO Y SE TRANSFORMA EN CERAMICA MEDIANTE CALENTAMIENTO. UNO O VARIOS REVESTIMIENTOS DE CERAMICA CONTENIENDO SILICIO CARBONO, SILICIO NITROGENO O SILICIO CARBONO NITROGENO PUEDEN APLICARSE SOBRE REVESTIMIENTO DE SIO2 TRANFORMADO EN CERAMICA. UN REVESTIMIENTO SUPERIOR DE CVD O PECVD PUEDE SER APLICADO PARA OBTENER UNA PROTECCION SUPLEMENTARIA. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA RECUBRIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORTATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON.

ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA SOLUCION EN DISOLVENTE DE RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO, QUE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR ACCION DEL CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2 CERAMIFICADO, SE PUEDE APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO-CARBONO, SILICIO-NITROGENO O SILICIO-CARBONO-NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, TAMBIEN PUEDE APLICARSE UNA ULTIMA CAPA CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA RECUBRIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, KEITH WINTON, MICHAEL.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS MEDIANTE LA DILUCION EN UN DISOLVENTE DE UNA MEZCLA DE PRECERAMICA DE RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO CATALIZADA CON PLATINO O RODIO. LA SOLUCION EN DISOLVENTE DE LA MEZCLA DE PRECERAMICA SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE TRANSFORMA EN CERAMICA MEDIANTE CALENTAMIENTO. UNO O VARIOS REVESTIMIENTOS CERAMICOS CONTENIENDO SILICIO-CARBONO, SILICIO-NITROGENO, O SILICIO-CARBONO-NITROGENO PUEDEN APLICARSE SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2 TRANSFORMADO EN CERAMICA. UN REVESTIMIENTO SUPERIOR DE CVD O DE PECVD PUEDE SER APLICADO PARA OBTENER UNA PROTECCION SUPLEMENTARIA. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/03/1989). Solicitante/s: S DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON.

ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA MEZCLA PRECERAMICA DE UN ESTER DE SILICATO PARCIALMENTE HIDROLIZADO Y UN PRECURSOR DE UN OXIDO METALICO ELEGIDO ENTRE UN ALCOXIDO DE ALUMINIO, UN ALCOXIDO DE TITANIO Y UN ALCOXIDO DE CIRCONIO. LA SOLUCION DE LA MEZCLA PRECERAMICA EN EL DISOLVENTE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR APLICACION DE CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2/OXIDO METALICO CERAMIFICADO, SE PUEDEN APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO Y CARBONO, SILICIO Y NITROGENO O SILICIO, CARBONO Y NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, SE PUEDE APLICAR UN ULTIMO REVESTIMIENTO POR CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/01/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: KOZE, JEFFREY THOMAS.

EL SELLADO DEL LADO POSTERIOR DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA IMPIDE LA EVAPORACION DEL DOPANTE (NORMALMENTE BORO) CUANDO SE DESARROLLA UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE EL LADO FRONTAL (ACTIVO), EVITANDO CON ELLO EL AUTODOPADO DE LA CAPA EPITAXIAL CON DOPANTE EN EXCESO. LA PRESENTE TECNICA DEPOSITA UNA CAPA DE OXIDO DURANTE EL PERIODO DE SUBIDA DE LA TEMPERATURA DEL HORNO, DURANTE EL CUAL SE DEPOSITA ASIMISMO LA CAPERUZA DE NITRURO, EVITANDO CON ELLO UNA ETAPA DE PROCESO EXTRA. IGUALMENTE, SE EVITAN LAS MAYORES TEMPERATURAS REQUERIDAS EN LAS TECNICAS CONOCIDAS DE DESARROLLO DE LA CAPA DE OXIDO, LO CUAL SE TRADUCE EN UNA MENOR PRECIPITACION DE OXIGENO DERIVADA DEL PROCESO DE FORMACION DE LA CAPERUZA Y EN UN MAYOR RENDIMIENTO DE LAMINAS UTILIZABLES.

(16/03/1988). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.

PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA BARRERA O SELLO CONTRA LA PENETRACION DE IMPUREZAS, EN UN CIRCUITO INTEGRADO A BASE DE NITROXIDO DE SILICIO. SE SOMETE UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO, A UN RECOCIDO TERMICO RAPIDO, A TEMPERATURA ENTRE 1.200 Y 1.300JC, EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE NITROGENO, POR EJEMPLO EN FORMA DE AMONIACO. SE OBTIENE ASI UNA CAPA DE SILICIO NITRURADO ENTRE 40 Y 400 A, EN CUYOS PRIMEROS 30 A SE ALCANZA UNA FRACCION DE NITROGENO DE 0,13.

(01/12/1977). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

(16/04/1977). Solicitante/s: SONY CORPORATION.

Resumen no disponible.

(01/09/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.

Procedimiento para recubrir, total o parcialmente un elemento de circuito eléctrico con una composición vítrea monofásica, caracterizado porque dicho elemento se pone en contacto con una composición vítrea que comprende arsénico, azufre y al menos un elemento elegido del grupo formado por yodo y bromo.

(01/12/1959). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Resumen no disponible.