CIP-2021 : C23C 16/54 : Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/54 · · Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO Y APARATO PARA FORMAR PIROLITICAMENTE UN REVESTIMIENTO DE OXIDO SOBRE UN SUSTRATO DE VIDRIO CALIENTE.
(01/08/1991) METODO Y APARATO PARA FORMAR PIROLITICAMENTE UN REVESTIMIENTO DE OXIDO SOBRE UN SUBSTRATO DE VIDRIO CALIENTE. EL METODO CONSISTE EN CONTACTAR EL SUBSTRATO CON UN MATERIAL PERCURSOR DE REVESTIMIENTO QUE CONTIENE SILANO, EN PRESENCIA DE OXIGENO. EL PRECURSOR QUE CONTIENE SILANO ESTA EN LA FASE VAPOR, Y ES MEZCLADO INTIMAMENTE CON OXIGENO GASEOSO, ANTES DE ENTRAR EN UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO PARA CONTACTAR CON EL SUBSTRATO. EL SILANO PUEDE SER CONDUCIDO COMO PRECURSOR HACIA LA CAMARA EN FASE VAPOR DENTRO DE UAN CORRIENTE DE GAS PORTADOR INERTE, Y SE INTRODUCE OXIGENO EN ESTA CORRIENTE ANTES DE QUE ENTRE EN LA CAMARA DE REVESTIMIENTO. LA OPERACION DE REVESTIMIENTO PUEDE TENER LUGAR EN…
UN APARATO PARA LA DEPOSICION EN CONTINUO DE MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA.
(01/09/1987). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.
APARATO PARA LA DEPOSICION EN CONTINUO DE MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA. CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION INTERCONECTADAS EN CADA UNA DE LAS CUALES PUEDE DEPOSITARSE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR; DE AL MENOS UNA CAMARA DE DEPOSICION QUE CONTIENE UNA PLACA DE CATODO , GENERALMENTE VERTICAL, QUE TIENE CARAS OPUESTAS PARA ESTABLECER UN PLASMA CON UN SUSTRATOI CONTINUO QUE PASA A TRAVES DE LA CAMARA DE MANERA CONTINUA PARA DEPOSITAR UN MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA SOBRE EL SUSTRATO; DE MEDIOS PARA HACER AVANZAR DE MANERA CONTINUA EL SUSTRATO A TRAVES DE LAS CAMARAS; Y DE MODULOS DE AISLAMIENTO QUE INTERCONECTAN CAMARAS ADYACENTES PARA EL PASO DEL SUSTRATO.
UN MODULO DE AISLAMIENTO EXTERNO PARA USARSE CON UN APARATO DE DEPOSICION ADAPTADO PARA DEPOSITAR MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUBSTRATO.
(16/05/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
DISPOSITIVO DE ESTANQUEIDAD ENTRE DOS CAMARAS QUE CONTIENEN REACTIVOS QUE SE HAN DE MEZCLAR. INCLUYE: UN PASAJE ALARGADO, A TRAVES DEL CUAL PASA EL ALMA DEL MATERIAL EN TRATAMIENTO, CON DOS COMPARTIMENTOS, UNO SUPERIOR ANGOSTO (44A) Y OTRO INFERIOR (44B) MAS ANCHO; DOS PLACAS (46 Y 48) ALARGADAS QUE FORMAN EL PASAJE ENTRE LAS DOS CAMARAS ADYACENTES (28 Y 30); UN RESALTO CON UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS, QUE JUNTAMENTE PROPORCIONAN UNA MANIJA PARA SUJETAR Y LEVANTAR LA PLACA SUPERIOR ; UNAS CAVIDADES RECEPTORAS DE IMANES DE CERAMICA QUE ESTAN LO SUFICIENTEMENTE CERCA DE LA PARED (46B) PARA ATRAER EL ALMA MAGNETICA DEL MATERIAL.
MEJORAS INTRODUCIDAS EN UNA VALVULA DESTINADA A EVITAR LA DIFUSION DE GASES ENTRE CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES.
(16/11/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
VALVULA DESTINADA A EVITAR LA DIFUSION DE GASES ENTRE CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES.CONSTAN DE UN PASO RELATIVAMENTE ESTRECHO PARA INTERCONECTAR OPERATIVAMENTE UN PAR DE CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES Y REDUCIR SUSTANCIALMENTE LA DISFUNCION ENTRE DICHO PAR DE CAMARAS; DE MEDIOS QUE FACILITAN EL PASO DE MATERIAL DE SUSTRATO DESDE UNA DE LAS DOS CAMARAS A LA OTRA CAMARA; Y DE CANALES DE FLUJO QUE MANTIENEN UNA COMUNICACION HIDRAULICA CON AMBAS CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES.
METODO PARA LA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL DE SILICIO AMORFO EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO.
(16/09/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL AMORFO DE SILICIO, EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO, TENIENDO DICHO CUERPO POR LO MENOS DOS CAPAS DE COMPOSICION DIFERENTES.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, EN DOS CAMARAS APROPIADAS SE INTRODUCEN UNOS MATERIALES DE INICIACION, A PARTIR DE LOS CUALES SE OBTIENEN LAS CAPAS DE MATERIAL DEPOSITADAS, SIENDO LOS MATERIALES DEPOSITADOS EN CADA UNA DE LAS CAMARAS DE COMPOSICION DIFERENTE; SEGUNDA, SE TRANSFIERE EL SUSTRATO DEPOSITADO SOBRE LA SEGUNDA CAMARA A LA PRIMERA CAMARA, DEPOSITANDOLOENCIMA DEL SUSTRATO DEPOSITADO EN DICHA PRIMERA CAMARA; Y POR ULTIMO, SE ESTABLECE UNA CIRCULACION DE GAS DESDE LA PRIMERA HASTA LA SEGUNDA CAMARA.
COMPUERTA DE GAS MEJORADA PARA REDUCIR SUSTANCIALMENTE LA RETROCIRCULACION DE LOS GASES.
(03/04/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
COMPUERTA MAGNETICA DE GAS PARA REDUCIR LA RETROCIRCULACION DE GASES.LA COMPUERTA (42A, 42B) CONECTA DOS CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES UTILIZADAS PARA DEPOSITAR CAPAS SUCESUVAS SOBRE UNA HOJA DE MATERIAL DE SUSTRATO A PARTIR DE GASES INTRODUCIDOS SEPARADAMENTE EN CADA CAMARA. PARA IMPEDIR LA CONTAMINACION MUTUA DE LA ATMOSFERA DE LAS CAMARAS POR DIFUSION A TRAVES DE LA COMPUERTA DE GAS, ESTA UTILIZA UN CAMPO MAGNETICO, ADAPTADO PARA EMPUJAR A LA SUPERFICIE NO PROVISTA DE LA CAPA DE SUSTRATO MAGNETICO, EN CONTACTO DESLIZANTE CON UNA DE LAS PAREDES DEL PASO FORMADOEN LA COMPUERTA DE GAS.
SISTEMA PARA LA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL DE SILICIO AMORFO EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO.
(16/10/1983). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
SISTEMA PARA LA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL DE SILICIO AMORFO EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO. COMPRENDE UNA PRIMERA CAMARA QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR SOBRE EL SUSTRATO UNA PRIMERA CAPA DE MATERIAL, UNA SEGUNDA CAMARA QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR SOBRE DICHO SUSTRATO UNA SEGUNDA CAPA DE MATERIAL QUE TIENE UNA COMPOSICION, QUE DIFIERE DE LA COMPOSICION DE LA PRIMERA CAPA POR LA AUSENCIA DE AL MENOS UN ELEMENTO, UN DISPOSITIVO PARA TRANSFERIR EL SUSTRATO DESDE LA PRIMERA CAMARA A LA SEGUNDA, UN DISPOSITIVO DE FUENTE PARA SUMINISTRARA LA SEGUNDA CAMARA AL MENOS UN GAS Y UN DISPOSITIVO DE AISLAMIENTO DE LA SEGUNDA CAMARA RESPECTO AL ELEMENTO AL MENOS EN EL INTERIOR DE LA PRIMERA CAMARA, QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA ESTABLECER UNA CIRCULACION UNIDIRECCIONAL DEL GAS AL MENOS A PARTIR DE LA SEGUNDA CAMARA HASTA LA PRIMERA CAMARA.SE UTILIZA PARA LA PRODUCCION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS.