CIP-2021 : C30B 28/04 : a partir de líquidos.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.
C30B 28/04 · a partir de líquidos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de suspensiones.
(24/10/2018). Solicitante/s: THE UNIVERSITY OF QUEENSLAND. Inventor/es: LU,GAOQING, XU,ZHIPING.
Método para preparar una suspensión de partículas de LDH que comprende las etapas de:
a) preparar precipitados de LDH mediante coprecipitación para formar una mezcla de precipitados de LDH y disolución;
b) separar los precipitados de LDH de la disolución;
c) lavar los precipitados de LDH para eliminar iones residuales;
d) mezclar los precipitados de LDH con agua; y
e) someter la mezcla de partículas de LDH y agua de la etapa (d) a una etapa de tratamiento hidrotérmico calentando hasta una temperatura de desde más de 80 °C hasta 150 °C durante un periodo de aproximadamente 1 hora a aproximadamente 144 horas para formar una suspensión bien dispersada de partículas de LDH en agua, en el que dichas partículas de LDH en suspensión comprenden laminillas que tienen una dimensión de partícula máxima de desde 20 nm hasta 400 nm.
PDF original: ES-2687187_T3.pdf
Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido.
(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie;
b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación;
c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido;
d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación;
e. provocar el movimiento de la superficie de formación…