CIP 2015 : H01L 21/208 : utilizando un depósito líquido.

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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino.

(12/10/2016) Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante: moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio; calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y …

Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina.

(17/06/2015) Un MS-FET de película fina o dispositivo semiconductor de célula fotovoltaica que comprende: i) un substrato que comprende celulosa; ii) una primera capa que consiste en una capa conductora metálica en contacto con el substrato; iii) una segunda capa semiconductora que comprende silicio nanocristalino coloidal y un aglutinante en contacto con la primera capa; iv) una tercera capa que consiste en el caso de un MS-FET, en una capa conductora metálica o, en el caso de una célula fotovoltaica, en un conductor tipo-p transparente en contacto con la segunda capa.

FABRICACION DE PARTICULAS QUE PRESENTAN UNA DIMENSION UNIFORME DE PUNTOS CUANTICOS.

(01/10/1998). Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER JAMES, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, SMARTS COTTAGE, HULL, PETER JAMES, HUTCHISON, JOHN LAIRD, 56 COVERLEY ROAD.

PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO CRISTALITOS CERO-DIMENSIONALES DE UN METAL O COMPUESTO DE METAL QUE SE FABRICAN MEDIANTE UN METODO QUE PROPORCIONA UNA SOLUCION EN UN SOLVENTE EVAPORABLE EN UNA CONCENTRACION PREDETERMINADA DE UN METAL ELEGIDO, Y QUE FORMA GOTAS DE LA SOLUCION CON UN TAMAÑO PREDETERMINADO SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LAS GOTAS SE PONEN ENTONCES EN CONTACTO CON UN REAGENTE DE FASE GASEOSA FORMANDO ASI LAS PARTICULAS DE COMPUESTO DE METAL DESEADAS. EL SOLVENTE PUEDE EXTRAERSE ANTES, DURANTE O DESPUES DEL CONTACTO DE LAS GOTAS CON EL REAGENTE DE FASE GASEOSA. LAS PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO DEL COMPUESTO DE METAL ASI FORMADAS SE DEPOSITAN SOBRE UN SUSTRATO. ESTAS PUEDEN CONTENERSE DENTRO DE UN POLIMERO COMO UNA PELICULA. MEDIANTE EL CONTROL DE LA CONCENTRACION DE LA SOLUCION Y DEL TAMAÑO DE LAS GOTAS, EL TAMAÑO DE LAS PARTICULAS PUEDE CONTROLARSE ESTRECHAMENTE.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER SILICIO DE GRADO SOLAR.

(01/04/1982). Solicitante/s: EMPRESA AUXILIAR DE LA INDUSTRIA SA.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER SICILIO DE GRADO SOLAR. CONSISTE EN SOMETER EL SILICIO DE GRADO METALURGICO A VOLATILIZACION QUMICA POR FORMACION DE UN COMPUESTO GASEOSO DE SILICIO CAPAZ DE DISOCIARSE POR PIROLISIS. A CONTINUACION SE AÑADE TAMBIEN SILICIO DE GRADO SOLAR. LA FASE GASEOSA REMANENTE SE ENFRIA Y SE PURIFICA DEPOSITANDO POR DESPROPORCION, SEGUN UNA REACCION DE TRANSPORTE INTERMEDIO, UNA CANTIDAD ADICIONAL DE SILICIO. POR ULTIMO, SE RECICLA LA FASE FLUIDA RESTANTE PARA VOLATIZAR CON ELLA OTRAS CANTIDADES DE SILICIO DE GRADO METALURGICO, EL CUAL SE ENCUENTRA INICIALMENTE AL TRATAMIENTO A 1.400 C EN FORMA LIQUIDA.

METODO PARA LA OBTENCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/12/1975) Método para la obtención de un dispositivo semiconductor que comprende una capa cristalina delgada de un material semiconductor formada sobre un substrato cristalino por crecimiento epitaxial a partir de una solución, que comprende las etapas de poner en contacto una zona de un substrato cristalino con una solución saturada del material semiconductor de un depósito mantenido a la temperatura de solución del material semiconductor o a temperatura superior, reducir la temperatura de la solución a una temperatura final durante un periodo prefijado de tiempo para efectuar el crecimiento de una capa cristalina delgada sobre el substrato, y retirar la solución agotada de la capa cristalina así crecida, caracterizado porque antes de la etapa de reducción de temperatura…

 

Patentes más consultadas

 

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