Generación de un estado no reversible en una célula de bits que tiene una primera unión de túnel magnética y una segunda unión de túnel magnética.
(02/07/2019). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: YU, NICHOLAS, K., ASHKENAZI,ASAF, KANG,Seung H, NOWAK,MATTHEW MICHAEL, KIM,TAE HYUN, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA, LEE,KANGHO, KIM,JUNG PILL, RAO,HARI M, HSU,WAH NAM, HAO,WUYANG, SUH,JUNGWON, MILLENDORF,STEVEN M.
Un procedimiento que comprende: aplicar una tensión de programa a una primera unión de túnel magnética MTJ de una célula de bits sin aplicar la tensión de programa a una segunda MTJ de la célula de bits para generar un estado no reversible en la célula de bits ; caracterizado por detectar el estado no reversible comparando un primer valor leído en la primera MTJ y recibido en una primera entrada de un amplificador diferencial con un segundo valor leído en la segunda MTJ y recibido en una segunda entrada del amplificador diferencial , en el que el primer valor corresponde a una primera tensión de una primera línea de bits (230, 332BL) acoplada a la primera MTJ y el segundo valor corresponde a una segunda tensión de una segunda línea de bits (232, 332BL ) acoplada a la segunda MTJ.
PDF original: ES-2718487_T3.pdf
