MEMORIA SEMICONDUCTORA CON ALTA DENSIDAD DE CELULAS.
(01/08/1995) SE PROPORCIONA UNA CELULA DE MEMORIA MUY PEQUEÑA QUE UTILIZA SOLO DOS CUADRADOS EN LA SUPERFICIE MAYOR, E INCLUYE, UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR CON UNA SUPERFICIE Y UN FOSO DENTRO; UN CONDENSADOR DE CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO , CON UN MODO DE ALMACENAMIENTO SITUADO DENTRO DE LA PARED LATERAL DEL FOSO ; UN INTERRUPTOR ACOPLADO AL CONDENSADOR DE CAPACIDAD , CON UN ELEMENTO TRANSPORTADOR DE CORRIENTE DENTRO DE LA PARED LATERAL CITADA, TENIENDO SU DIRECCION LONGITUDINAL, PARALELA AL EJE LONGITUDINAL DEL FOSO ; UN ELEMENTO DE CONTROL SITUADO EN LA PARED LATERAL DEL FOSO , ENTRE EL CONDENSADOR DE CAPACIDAD Y EL ELEMENTO TRANSPORTADOR DE CORRIENTE Y UNA LINEA CONDUCTORA DE ELECTRICIDAD SITUADA EN LA SUPERFICIE MAYOR DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN LA DIRECCION ORTOGONAL AL EJE LONGITUDINAL DEL FOSO Y EN CONTACTO CON EL ELEMENTO…