CIP-2021 : G11C 11/15 : que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad).
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/15 · · · que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación.
(06/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: KANG,Seung H, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA.
Un aparato que comprende:
un dispositivo de unión túnel magnética que comprende:
una capa libre ; y
una capa de realce de fuerza de par de giro , sensible a la capa libre ,
en el que
la capa de realce de fuerza de par de giro comprende una capa de nano-óxido y el dispositivo de unión túnel magnética comprende además una capa de culminación adyacente a la capa de realce de fuerza de par de giro , caracterizado porque la capa de nano-óxido incluye una capa de oxidación de una aleación metálica no magnética.
PDF original: ES-2567028_T3.pdf
Unión túnel magnética (MTJ) y procedimiento de formación de la misma.
(18/06/2014) Una unión túnel magnética, MTJ, en una memoria magnética de acceso aleatorio, MRAM, que comprende:
un primer electrodo y un segundo electrodo ;
una barrera túnel entre el primer electrodo y el segundo electrodo ;
una capa libre entre el segundo electrodo y la barrera túnel ; y
una capa inmovilizada entre el primer electrodo y la barrera túnel ;
en la que la capa inmovilizada se extiende más allá de la capa libre en todas las direcciones paralelas a la capa libre y caracterizada porque el área superficial de la capa inmovilizada es al menos un diez por ciento mayor que el área superficial de la capa libre .
SOPORTE MAGNÉTICO PARA LA GRABACIÓN Y LECTURA DE INFORMACIÓN, MÉTODO DE ALMACENAMIENTO Y LECTURA DE INFORMACIÓN Y SU USO.
(05/06/2013) Soporte magnético para la grabación y lectura de información, método de almacenamiento y lectura de información y su uso. El soporte magnético comprende un circuito magnético definido en una lámina delgada magnética con anisotropía uniaxial y un nanocomposite constituido por una red bidimensional de nanopozos asimétricos rellenos de otro material magnético de mayor coercitividad y/o anisotropía que la lámina delgada magnética. También es objeto de la invención un método de almacenamiento y lectura de información simultáneo mediante desplazamiento de paredes magnéticas y su uso en la encriptación de información. De aplicación en los sectores en los que se diseñen, produzcan o utilicen dispositivos magnéticos para el almacenamiento…
MATERIAL PARA MEMORIA Y METODO PARA SU FABRICACION.
(16/10/2003). Solicitante/s: KAPPA NUMERICS INC.; IRWIN M. ROSENTHAL. Inventor/es: GENDLIN, SHIMON.
SE REVELA UNA COMPOSICION DE MATERIALES QUE TIENE UNAS CARACTERISTICAS FERROMAGNETICAS Y PIEZOELECTRICAS. EN LA EJECUCION PREFERIDA, LA COMPOSICION DE MATERIALES ABARCA UNA PRIMERA CAPA DE PB{SUB,1-X-Y}CD{SUB,X}FE{SUB ,Y} Y UNA SEGUNDA CAPA DE CR{SUB,1-Z-W}ZN{SUB,Z}TE{SUB ,W}, EN DONDE X, Y, Z Y W SON VALORES DENTRO DE LOS MARGENES DE 0.38 < X < 0.042, 0.08 < Y < 0.094, 0.38 < Z < 0.41, 0.28 < W < 0.31 Y 0.25 < (1-Z-W) < 0.32. ADICIONALMENTE, CADA UNA DE LAS CAPAS CONTIENE LOS ELEMENTOS BI, O Y S.
