CIP 2015 : C30B 33/00 : Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad).

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Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada

C30B 33/02 · Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).

C30B 33/04 · mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares.

C30B 33/06 · Ensamblaje de cristales.

C30B 33/08 · Grabado.

C30B 33/10 · · en soluciones o en baños fundidos.

C30B 33/12 · · en atmósfera gaseosa o en plasma.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE TRANSFERENCIA DE NANOCAPAS Y APARATO DE REALIZACIÓN DEL MISMO.

(25/05/2015) Procedimiento de transferencia de nanocapas y aparato de realización del mismo, que se refiere a un procedimiento para la transferencia de una nanocapa desde un soporte inicial a un substrato final , y a un aparato para realizar dicha transferencia. El procedimiento comprende a) introducir dicha nanocapa adherida en su cara inferior a un soporte inicial en un líquido , dicho líquido contenido en un primer recipiente cuya cara interior comprende un recubrimiento hidrófilo y cargado eléctricamente; b) separar la nanocapa del soporte inicial ; y c) retirar el líquido hasta depositar la nanocapa…

UTILIZACION DE UN SUSTRATO ADAPTADO PARA LA FABRICACION DE MONOCAPAS MOLECULARES ORGANIZADAS Y ESTRUCTURAS ASI OBTENIDAS.

(01/05/2007). Solicitante/s: EUROPEAN SYNCHROTRON RADIATION FACILITY CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Inventor/es: STRUTH, BERND, RIEUTORD, FRANCOIS, TERECH, PIERRE.

Utilización para el injerto químico de una monocapa molecular ordenada de un substrato cristalino que pertenece al grupo que comprende el topacio y la diasporita cuya formula comprende un grupo hidroxilo, siendo este cristal escindido de manera que unos grupos hidroxilos aparezcan en el plano de escisión.

CRISTALES FOTONICOS CON ESTRUCURA DE ESQUELO.

(16/03/2007). Solicitante/s: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG. Inventor/es: SEITZ, KARLHEINZ, SCHULZ, CHRISTIAN.

Cristal fotónico cuya estructura es topológicamente equivalente a la estructura inversa de un cuerpo de molde convexo en su mayor parte, caracterizado porque - posee una estructura convexa en su mayor parte y - presenta un vacío energético o pseudovacío energético entre la 5ª y 6ª banda y/o - un vacío energético o pseudovacío energético entre la 8ª y 9ª banda, en el que al menos un vacío energético o pseudovacío energético es mayor que el de la estructura inversa compuesta por el mismo material que el cristal fotónico del cuerpo de molde convexo en su mayor parte.

CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA.

(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, MARTINEAU, PHILIP MAURICE, DORN, BARBEL SUSANNE CHARLOTTE, COOPER, ANDREW MICHAEL, COLLINS, JOHN LLOYD, WHITEHEAD, ANDREW JOHN, TWITCHEN, DANIEL JAMES.

Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características: 1) una gran distancia de recolección de carga a 300 K de al menos 100 ìm medida a un campo aplicado de 1 V/ìm; 2) un valor elevado para el producto de la movilidad media y duración de portadores ìô tal que supera 1, 0 x 10-6 cm2/V a 300 K; 3) una movilidad de electrones (ìe) medida a 300 K mayor de 2400cm2V-1s-1; 4) una movilidad de huecos (ìh) medida a 300 K mayor de 2100 cm2V-1s-1; y 5) en el estado desactivado, una resistividad a 300 K mayor de 1012 Ùcm a un campo aplicado de 50 V/ìm.

DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA.

(16/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: D\'EVELYN, MARK P., PARK, DONG-SIL, ANTHONY, THOMAS RICHARD, SPIRO, CLIFFORD LAWRENCE, MENG, YUE.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN CRISTAL DE DIAMANTE IMPURIFICADO CON ELEMENTOS QUE POSEE UNA MAYOR RESISTENCIA A LA FRACTURA COMPRENSIVA AUMENTANDO LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE IMPURIFICACION DEL ELEMENTO ENTRE EL CENTRO Y LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE, GENERANDO ASI UNOS ESFUERZOS COMPRESIVOS TANGENCIALES EN LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE. LA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A METODOS PARA LA PRODUCCION DEL CRISTAL DE DIAMANTE.

ENCAPSULACION DE CRISTALES POR MEDIO DE RECUBRIMIENTOS MULTICAPA.

(16/04/2003). Solicitante/s: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Inventor/es: CARUSO, FRANK, MIHWALD, HELMUTH, TRAU, DIETER, RENNEBERG, REINHARD.

Un proceso para preparar cristales recubiertos que comprende los pasos: (a) proporcionar una dispersión de partículas molde cristalinas en un disolvente y (b) recubrir dichas partículas con una multicapa que comprende capas alternantes de polielectrólitos y/o manopartículas con carga opuesta.

PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO TERMICO PARA CUERPOS DE MATERIAL CONSTITUIDOS POR SUPERALEACIONES A BASE DE NIQUEL.

(01/12/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: ABB RESEARCH LTD.. Inventor/es: KONTER, MAXIM.

METODO DE TRATAMIENTO TERMICO PARA MATERIALES A BASE DE SUPERALEACIONES DE NIQUEL, EN PARTICULAR PARA MONOCRISTALES A BASE DE SUPERALEACIONES DE NIQUEL, EN EL QUE EL TRATAMIENTO TERMICO DEL MATERIAL INCLUYE LOS PASOS SIGUIENTES: CALCINADO DE 850 (GRADOS) C A 1100 (GRADOS) C, CALENTAMIENTO A 1200 (GRADOS) C, CALENTAMIENTO A UNA TEMPERATURA 1200 (GRADOS) C < T 1300 (GRADOS) C CON UNA VELOCIDAD DE CALENTAMIENTO DE 1 (GRADOS) C/MIN, UN PROCESO DE HOMOGENEIZACION Y DISOLUCION DE VARIAS ETAPAS A UNA TEMPERATURA 1300 (GRADOS) C T 1315 (GRADOS) C.

METODO PARA PREPARAR FIBRAS CRISTALINAS PARA INFRARROJOS Y PRODUCTO.

(16/10/2001). Solicitante/s: CERAMOPTEC GMBH. Inventor/es: NABATOV, ALEXEY, KUZIN, EUGENY, ARTJUSHENKO, VJACHESLAV, DR., NEUBERGER, WOLFGANG, DR..

EN UNA DE SUS REALIZACIONES, LA PRESENTE INVENCION IMPLICA REDUCIR LA TURBULENCIA Y LA FRICCION DURANTE LA EXTRUSION MOVIENDO UN TROQUEL DE EXTRUSION EN UNA DIRECCION OPUESTA A LA DE LA FIBRA EXTRUIDA Y CONTRA UNA DISPOSICION PREFORMADA ESTACIONARIA DENTRO DE LA CAMARA DE EXTRUSION. EN OTRA FORMACION, UNA PREFORMA AGCLXBR1-X (X DE 0 A 1) SE LUBRICA CON AGL O CON UN COMPUESTO DE LA FORMULA: -MY, DONDE M ESTA SELECCIONADO A PARTIR DE LI, NA, K, RB, CS; O MY2, DONDE M ESTA SELECCIONADO A PARTIR DE MG, CA, SR, PB, BA, CD O HG; Y DONDE Y ESTA SELECCIONADO A PARTIR DE CL, BR O I. LA FIBRA RESULTANTE TIENE UNA INTERFAZ NUCLEO/REVESTIMIENTO MAS IGUALADA CON UNA DISMINUCION DEL TAMAÑO DE GRANO HACIA LA SUPERFICIE DE LA FIBRA Y UNA TEXTURA DE GRANO ALARGADO A LO LARGO DEL EJE DE FIBRA. ESTA ESTRUCTURA, JUNTO A LUBRICANTES ESTABILIZADORES Y ENDURECEDORES, OFRECE PERDIDAS OPTICAS ESTABILIZADAS Y DISMINUIDAS Y UNA MAS ALTA ELASTICIDAD DE FIBRAS.

PROCEDIMIENTO PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA DE DIAMANTES MANUFACTURADOS.

(16/08/2001). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: PARK, DONG-SIL, JACKSON, WILLIAM E.

LA PUREZA Y DUREZA DE UN BAÑO DE GRANOS DE DIAMANTES SE AUMENTA SEPARANDO UNA PARTE QUE CONTIENE INCLUSIONES INDESEABLES DE LA PARTE RESTANTE DE MAS ELEVADA PUREZA Y RECOCIENDO LA PARTE DE MAS ELEVADA PUREZA EN UNA ATMOSFERA REDUCTORA DURANTE UN PERIODO SUFICIENTE DE TIEMPO PARA MEJORAR LA DUREZA DE LA PARTE DE PUREZA MAS ELEVADA.

UN METODO PARA FORMAR PELICULAS Y RECUBRIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO POLIMERICO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO.

(16/08/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: SHARP, KENNETH, GEORGE.

UN METODO PARA FORMAR PELICULAS Y RECUBRIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO POLIMERICO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. COMPRENDE: DESCOMPONER UN DIHALOSILANO O MEZCLA DE DIHALOSILANOS EN FASE DE VAPOR, A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 400 Y 600GC EN UNA CAMARA DE REACCION QUE CONTIENE EL SUSTRATO, CON LO QUE SE FORMA LA PELICULA O EL RECUBRIMIENTO SOBRE EL SUSTRATO. LOS DIHALOSILANOS EMPLEADOS SE SELECCIONAN ENTRE DIFLUOROSILANO, DICLOROSILANO, DIBROMOSILANO, Y DIYODOSILANO. EL RECUBRIMIENTO OBTENIDO ES UN RECUBRIMIENTO PROTECTOR RESISTENTE AL RAYADO O A LA CORROSION O UN RECUBRIMIENTO BARRERA HERMETICO. APLICACION EN EL CAMPO DE LOS SEMICONDUCTORES Y EN LA FORMACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ELECTROOPTICOS Y FOTOVOLTAICOS.