CIP-2021 : H01S 5/183 : que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).

H01S 5/183 · · · que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Láser de disco semiconductor con auto bloqueo de modos.

(29/04/2020) Un láser con auto bloqueo de modos, el láser comprendiendo un resonador (2, 2b, 2c) que termina en un primer y un segundo espejo y plegado por un tercer espejo , el tercer espejo coronado por un medio de ganancia semiconductor de múltiples capas que incluye al menos una capa de pozo cuántico, y una capa de lente Kerr óptica. caracterizado por que la longitud del resonador (2, 2b, 2c) se selecciona de tal manera que un tiempo de desplazamiento de ida y vuelta de un modo de la cavidad se corresponde con un tiempo de vida del nivel superior de uno o más portadores de semiconductores situados dentro del medio de ganancia para introducir una perturbación en una intensidad de un campo de salida del láser causando que la capa de lente Kerr óptica induzca…

PROCESO PARA LA GENERACIÓN FÍSICA DE NÚMEROS ALEATORIOS UTILIZANDO UN LÁSER EMISOR DE SUPERFICIE DE CAVIDAD VERTICAL.

(09/05/2019). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: PRUNERI,VALERIO, MITCHELL,MORGAN, ABELLAN SANCHEZ,Carlos, AMAYA,Waldimar.

Procedimiento para la generación física de números aleatorios que comprende los pasos de: - modular la ganancia de un láser emisor de superficie de cavidad vertical periódicamente desde el umbral inferior hasta el umbral superior y atrás; - mantener la ganancia de ida y vuelta positiva durante un período más largo que el tiempo de ida y vuelta de la cavidad; - mantener la ganancia neta por ida y vuelta negativa durante un período más largo que el tiempo de ida y vuelta de la cavidad, para crear pulsos de amplitud aleatoria; - detectar los pulsos ópticos; - convertir los pulsos ópticos en pulsos analógicos eléctricos; - digitalizar los pulsos analógicos eléctricos en números aleatorios.

Procedimiento y aparato para montar un láser de disco semiconductor (SDL).

(12/02/2019) Conjunto de aparato de refrigeración para montar un láser de disco semiconductor (SDL) , comprendiendo el conjunto de aparato de refrigeración : un difusor térmico cristalino que presenta un primer y un segundo lados opuestos, estando el primer lado del difusor térmico cristalino en contacto óptico con el SDL ; un disipador térmico que comprende un rebaje situado en una primera superficie del mismo; un material de relleno mecánicamente adaptable situado dentro del rebaje ; caracterizado por que una placa de sellado está fijada al disipador térmico para estar en contacto con la segunda superficie del difusor térmico cristalino y sumergir el SDL dentro del…

Dispositivo de láser con haz provisto de un momento angular orbital controlado.

(28/02/2018) Un dispositivo de láser , para generar una onda óptica de fase de forma helicoidal que comprende: - una región de ganancia , situada entre un primer extremo definido por un primer espejo y un segundo extremo definido por una región de salida, - un segundo espejo , dispuesto para formar con el primer espejo una cavidad óptica que incluye la región de ganancia y un espacio entre la región de salida y el segundo espejo , - un medio para bombear la región de ganancia para generar la onda óptica, y - por lo menos un medio para conformar los perfiles de la intensidad de la luz y/o la fase de la onda óptica, y dispuesto para seleccionar, por lo menos, un modo transversal rotatorio - simétrico de la onda óptica, siendo elegido dicho modo transversal rotatorio - simétrico de entre…

Aparato láser y método para el procesamiento por láser de un material diana.

(01/02/2017) Aparato láser para crear una incisión en un tejido de un ojo humano , comprendiendo: - un adaptador de paciente configurado para establecer una interfaz con la córnea del ojo humano ; - una fuente de láser configurada para generar radiación láser pulsada en impulsiones de duración ultracorta; - un selector configurado para seleccionar grupos de impulsos de la radiación láser, comprendiendo cada grupo de impulsos una pluralidad de impulsos con una frecuencia de repetición de impulsos de al menos 100 MHz, en el que los grupos de impulsos tienen una frecuencia de repetición de grupo de no más de aproximadamente 1 MHz; - un dispositivo de escáner configurado para escanear un punto focal…

DISPOSITIVO LÁSER DE CAVIDAD EXTERNA QUE EMITE EN SUPERFICIE.

(17/11/2011) Dispositivo láser de cavidad externa que emite en superficie con conversión de frecuencia intracavidad que comprende: al menos un elemento láser que emite en superficie con múltiples capas, en el que están dispuestas al menos una capa (1a) de ganancia y una capa (1b) reflectante para obtener luz láser a una frecuencia fundamental, medios reflectores, espaciados del elemento láser que emite en superficie para formar una cavidad externa, un dispositivo de conversión de frecuencia, dispuesto en el interior de la cavidad externa para generar luz a una segunda frecuencia, que es diferente de la frecuencia fundamental, y caracterizado por medios de filtro…

LASER DE CAVIDAD VERTICAL Y DE EMISION POR SUPERFICIE.

(01/11/2005) Una estructura de dispositivo láser de cavidad vertical y emisión en superficie (VCSEL) que comprende una estructura de material semiconductor de cavidad activa intercalada entre pilas de reflectores de Bragg distribuidos (DBR) superior e inferior (12a, 12b), incluyendo el DBR superior (12b) al menos una capa de semiconductor de tipo n, y que define una región activa para generar luz en respuesta a la aplicación de un voltaje continuo a contactos del dispositivo en la que: dicho material de la cavidad activa comprende una pila de capas de pozos cuánticos múltiples intercalada entre regiones separadoras inferior y superior (16a y 16b), terminando la región separadora superior (16b) con una capa p y una unión de túnel p++/n++…

LASER DE SEMICONDUCTOR DE EMISION SUPERFICIAL.

(16/10/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: VERTILAS GMBH. Inventor/es: AMANN, MARKUS-CHRISTIAN, ORTSIEFER, MARKUS.

Láser de semiconductor del tipo de emisión superficial, que comprende una zona activa que presenta una unión-pn, una primera capa de semiconductor dopada-n sobre el lado- n de la zona activa, un contacto túnel estructurado sobre el lado-p de la zona activa, el cual forma una unión conductora hacia una segunda capa de semiconductor dopada-n sobre el lado-p de la zona activa, un espejo dieléctrico estructurado, el cual está aplicado sobre la segunda capa de semiconductor dopada-n, con una capa de contacto, que forma un contacto con la segunda capa de semiconductor dopada-n en el punto en el que el espejo dieléctrico no está aplicado, caracterizado porque presenta una barrera de difusión entre la capa de contacto y la segunda capa de semiconductor dopada-n, solapanado el espejo dieléctrico en parte la barrera de difusión.

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