CIP-2021 : H01L 27/04 : el sustrato común es un cuerpo semiconductor.

CIP-2021HH01H01LH01L 27/00H01L 27/04[2] › el sustrato común es un cuerpo semiconductor.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/04 · · el sustrato común es un cuerpo semiconductor.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

CIRCUITO INTEGRADO CON MEDIOS INTERNOS PARA LA MEDICIÓN DE LA CORRIENTE DE CARGA.

(26/10/2012). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT DE BARCELONA. Inventor/es: COLOMER FARRARONS,Jordi, MIRIBEL CATALÀ,Pedro Luis.

Comprende un pin de corriente de salida y medios internos de medición de la corriente de carga con uno o más sensores de espejo de corriente dispuestos para detectar la corriente que circula a través de una carga conectada al pin de salida de corriente. Los medios internos además comprenden una unidad de evaluación integrada conectada a los espejos sensores de corriente para recibir las señales detectadas de ellos, destinada a procesar las señales de corrientes detectadas y a generar la señal de salida representando la corriente de carga medida. El circuito integrado además comprende un pin de salida de medida de la corriente conectado a una salida de la unidad de evaluación integrada para proporcionar la señal de salida generada al exterior del circuito integrado como una medida de corriente directa proporcional a la corriente de la carga.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y SU FABRICACION.

(01/03/2006) Un procedimiento de producción de dispositivos semiconductores para producir un dispositivo semiconductor que está encapsulado y en el que se forma un circuito ajustable sobre un chip semiconductor , teniendo el circuito ajustable un elemento del circuito con propiedades eléctricas que pueden ajustarse a través de un ajuste por láser, comprendiendo el procedimiento de producción las etapas de: encapsulado del chip semiconductor con un material transparente permitiendo la penetración de un haz de láser dentro de un intervalo predeterminado de longitudes de onda con la suficiente energía para cortar…

SISTEMA DE BAJO COSTE PARA EFECTUAR INTERCONEXION DE ALTA DENSIDAD ENTRE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

(01/03/2003). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HAYES, ROBERT STEPHEN.

UN SISTEMA DE CONEXION EN CASCADA ADAPTADO PARA USARLO CON CIRCUITOS INTEGRADOS Y DISPOSITIVOS QUE ACOMPAÑAN. EL SISTEMA INVENTADO INCLUYE UNA MATRIZ DE DISPOSITIVOS EMISORES DE CAMPO QUE EMITEN ELECTRONES EN RESPUESTA A SEÑALES DE ENTRADA DESDE MULTIPLES PRIMEROS CIRCUITOS EN UN PRIMER SUBSTRATO . LOS DISPOSITIVOS EMISORES DE CAMPO ESTAN LOCALIZADOS EN EL PRIMER SUBSTRATO . UNA MATRIZ DE DETECTORES EN UN SEGUNDO SUBSTRATO RECIBEN LOS ELECTRONES A TRAVES DE UNA ABERTURA ENTRE EL PRIMER SUBSTRATO Y EL SEGUNDO SUBSTRATO . UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL EN RESPUESTA A UNA FUENTE DE POTENCIAL ENTRE EL PRIMER SUBSTRATO Y EL SEGUNDO SUBSTRATO ACELERA LOS ELECTRONES A TRAVES DE UNA CAMARA DE VACIO . EL SISTEMA DE CONEXION EN CASCADA PUEDE SER CONSTRUIDO CON UN DIAMETRO MENOR QUE DIEZ MICROMETROS. POR LO TANTO, DOS SUBSTRATOS CON MULTIPLES CIRCUITOS PUEDEN SER CONECTADOS EN CASCADA CON CIENTOS DE CONEXIONES PARCIALES POR CENTIMETRO CUADRADO SIN LA NECESIDAD DE MULTIPLEXAR.

METODO PARA COMBINAR UNA MATRIZ DE PUERTAS LOGICAS Y CIRCUITOS DE ELEMENTOS STANDARD SOBRE UN CHIP SEMICONDUCTOR COMUN.

(16/03/1993). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: GOULD, ELLIOT L., KEMERER, DOUGLAS W., PIRO, RONALD A., RICHARDSON, GUY R., WELLBURN, DEBORAH A., MCALLISTER, LANCE A.

SE SUMINISTRA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA PARA ENTREMEZCLAR CIRCUITOS DE DOS O MAS CLASES DIFERENTES DE ELEMENTOS, TALES COMO ELEMENTOS STARDARD Y ELEMENTOS DE MATRIZ DE PUERTAS LOGICAS , SOBRE UN CHIP COMUN O UN SUBSTRATO CON UNA MINIMA SEPARACION ENTRE LOS ELEMENTOS ADYACENTES DE CLASES DIFERENTES. LAS UBICACIONES DE LOS ELEMENTOS SE DEFINEN CON ENLACES DADOS Y DISPUESTOS DE MANERA CONTIGUA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN CHIP SEMICONDUCTOR,, Y ASI TANTO LOS TIPOS DE ELEMENTOS STANDARD COMO LOS CIRCUITOS DE TIPO DE MATRIZ DE PUERTAS LOGICAS SE FORMAN DENTRO DE CUALQUIERA DE LOS LUGARES PARA LOS ELEMENTOS SUMINISTRANDO ASI UNA ESTRUCTURA EQUILIBRADORA DE LA DENSIDAD DEL CHIP.

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