CIP 2015 : H01L 25/07 : siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042).

H01L 25/07 · · · siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una alimentación eléctrica que comprende medios para reducir una inductancia de circuito cerrado entre un primer y un segundo terminal.

(11/03/2020) Dispositivo para la interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una fuente de alimentación eléctrica, del tipo que comprende, durante el funcionamiento, - un primer terminal , un segundo terminal y un circuito cerrado para hacer circular la corriente entre el primer terminal y el segundo terminal , - un primer sustrato aislante que comprende una superficie plana superior y una superficie plana inferior que son sustancialmente paralelas, - una primera capa conductora de la electricidad dispuesta en contacto con la superficie superior del primer sustrato aislante y que comprende pistas para la circulación de la corriente eléctrica y almohadillas para la conexión del componente o de cada componente electrónico , la primera capa conductora forma un primer plano (P1) de circulación de la corriente, …

Sistema que comprende al menos un módulo de potencia que comprende al menos un chip de potencia que se refrigera con una barra colectora refrigerada por líquido.

(27/11/2019). Solicitante/s: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. Inventor/es: MRAD,ROBERTO, MOLLOV,STEFAN, EWANCHUK,JEFFREY.

Sistema que comprende al menos un módulo de potencia que comprende al menos un chip de potencia que se refrigera mediante un sistema refrigerado por líquido, estando el sistema refrigerado por líquido dispuesto para proporcionar al menos un potencial eléctrico a cada chip de potencia del módulo de potencia, en el que el sistema refrigerado por líquido está compuesto por una primera y una segunda barras conductoras de corriente conectadas entre sí por un conducto eléctricamente no conductor, caracterizado por que la primera barra está situada en la parte superior del módulo de potencia y proporciona un primer potencial eléctrico al chip de potencia y la segunda barra está situada en la parte inferior del módulo de potencia y proporciona un segundo potencial eléctrico a los chips de potencia, el refrigerante líquido es eléctricamente conductor y las superficies de los canales están cubiertas por una capa de aislamiento eléctrico.

PDF original: ES-2773479_T3.pdf

Placa de circuito impreso, en particular para un módulo de electrónica de potencia, que comprende un sustrato eléctricamente conductor.

(12/06/2019). Solicitante/s: A.B. Mikroelektronik Gesellschaft mit beschränkter Haftung. Inventor/es: HAEGELE,Bernd, BURNS,ROBERT CHRISTOPHER, TUSLER,WOLFGANG.

Placa de circuito impreso (1a, 1b, 1c), en particular para un módulo de electrónica de potencia , que comprende un sustrato eléctricamente conductor con un elemento de conexión para conectar la placa de circuito impreso (1a, 1b, 1c) a una fuente de tensión de CC o a un motor trifásico, en la que el sustrato se compone al menos parcialmente, preferentemente por completo, de aluminio y/o una aleación de aluminio, caracterizada porque sobre al menos una superficie (3a, 3b) del sustrato eléctricamente conductor está dispuesta al menos una superficie conductora (4a, 4b) en forma de una capa eléctricamente conductora, preferentemente aplicada mediante un procedimiento de impresión, de manera especialmente preferente mediante un procedimiento de serigrafía, estando la superficie conductora (4a, 4b) en contacto eléctrico directamente con el sustrato eléctricamente conductor.

PDF original: ES-2744490_T3.pdf

Módulo de semiconductor de potencia.

(22/03/2019) Módulo de semiconductor de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia interconectadas entre sí, las cuales presentan respectivamente una carcasa de unidad, en la cual están dispuestos los semiconductores de potencia activables, donde a cada unidad de semiconductores de potencia está asociada una placa de refrigeración , con la cual los semiconductores de potencia activables están conectados con conductividad térmica, donde los semiconductores de potencia son chips semiconductores de potencia; y con una carcasa de módulo, en la cual están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia, donde las placas de refrigeración conforman un lado superior y uno inferior de la carcasa de módulo; donde la carcasa de módulo …

Circuito convertidor de corriente.

(22/02/2019) Disposición de circuito convertidor de corriente para una corriente de alta intensidad (I), particularmente para soldadura a resistencia, industrial; con un soporte de componentes y con un primer y un segundo medio de conmutación controlables para corriente de alta intensidad (I), cada uno con una conexión de control propia; donde los medios de conmutación están integrados al menos parcialmente, de manera preferida totalmente en el soporte de componentes ; donde el soporte de componentes está dispuesto entre una primera placa conductora de corriente de conductividad eléctrica, y una segunda placa conductora de corriente de conductividad eléctrica (23a, 23b), esencialmente en paralelo…

Célula de disco mejorada para múltiples componentes semiconductores puestos en contacto a presión.

(04/01/2017) Celda de disco para la puesta en contacto a presión de múltiples componentes semiconductores mediante medios de sujeción que producen una fuerza de sujeción (F), que presenta: una carcasa ; al menos un primer componente semiconductor del primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; al menos un segundo componente semiconductor de un tipo de construcción diferente al primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; comprendiendo la carcasa al menos una placa de presión metálica que engrana sobre el primer y el segundo componentes semiconductores y que está orientada sustancialmente en ángulo recto con respecto a la fuerza de…

Dispositivo semiconductor de puerta aislada de potencia de conmutación rápida.

(27/04/2016). Solicitante/s: AMBIXTRA (PTY) LTD. Inventor/es: VISSER, BAREND, DE JAGER,OCKER CORNELIS.

Un dispositivo de puerta aislada que comprende una fuente conectada a un terminal de fuente de una puerta conectado a un terminal de puerta y medios de capacitancia de entrada que proporcionan la capacidad de entrada (CG) entre el terminal de puerta y el terminal de fuente, los medios de capacidad de entrada comprendiendo o bien un condensador en serie entre la puerta y el terminal de puerta o una capa de aislamiento que tiene un espesor suficiente (dins) entre la puerta y un canal del dispositivo de tal manera que cuando el dispositivo es conmutado entre un estado apagado y un estado encendido, una relación de (Cfiss/Ciiss) entre un valor final de la capacitancia de entrada (Cfiss) cuando el dispositivo está encendido y un valor inicial de la capacitancia de entrada (Ciiss) cuando el dispositivo está apagado es de 1 < Cfiss/Ciiss <2,0.

PDF original: ES-2578678_T3.pdf

Módulo convertidor de corriente con barras colectoras de corriente refrigeradas.

(22/10/2013) Módulo convertidor de corriente con al menos un módulo de semiconductores de potencia , que estáconectado mecánicamente de forma conductora de calor con un cuerpo de refrigeración por líquido y que estáconectado de forma conductora de electricidad por medio de un encarrilado laminado , que presenta al menosdos barras colectoras aisladas una de la otra, con conexiones del módulo convertidor de corriente, caracterizadoporque este encarrilado laminado está conectado por aplicación de fuerza y/o en unión positiva con otro cuerpode refrigeración de líquido , en el que entre una barra colectora superior del encarrilado laminado y el otrocuerpo de refrigeración por líquido está dispuesta una capa conductora de calor y aislante de electricidad .

Dispositivos de carburo de silicio de gran superficie y métodos de fabricación para los mismos.

(27/05/2013) Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente…

Módulo de semiconductores de potencia con paredes laterales aislantes estructuradas en capas.

(21/03/2013) Módulo de semiconductores de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia y que presenta una pared lateral eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión que se extiende a través de la pared lateral y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia , caracterizado porque la pared lateral aislante está configurada como apilamiento de elementos parciales aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales hacen contacto en yuxtaposición con regiones de contacto.

Configuración con al menos un componente semiconductor, en particular un componente semiconductor de potencia para el control de la potencia de corrientes de alta intensidad.

(29/08/2012) Configuración con al menos un primer y un segundo componente semiconductor , que enparticular son componentes semiconductores de potencia para el control de la potencia de corrientes de elevadaintensidad, en la que - el componente semiconductor , de los que al menos hay uno, presenta en cada casoal menos dos superficies de conexión eléctrica dispuestas separadas entre sí y está dispuesto sobre uncuerpo de substrato común eléctricamente aislado del mismo, - sobre el cuerpo de substrato están fijadas, además del componente semiconductor , de los que al menos hay uno, y aisladas eléctricamente de este componente semiconductor , de los que al menos hay uno, una primera y una segunda barra conductora…

Conjuntos de elementos apilados que contienen dispositivos semiconductores.

(08/08/2012) Un conjunto de elementos apilados que comprende: al menos un dispositivo semiconductor (2a - 2d) intercalado entre disipadores de calor (20a - 20e) y adaptado para estar sumergido al menos parcialmente en un dieléctrico líquido; incluyendo el al menos un dispositivo semiconductor (2a - 2d) un cuerpo u oblea semiconductor y las placas de contacto eléctrico , y un medio de contacto por presión para aplicar una fuerza de compresión por contacto sustancialmente a lo largo del eje del conjunto de elementos apilados para mantener el contacto térmico y eléctrico adecuado entre el al menos un dispositivo semiconductor (2a - 2d) y los disipadores de calor adyacentes (20a - 20e) y entre el cuerpo u oblea semiconductor y las placas de contacto eléctrico; que se caracteriza porque el al menos un dispositivo…

Módulo de semiconductor de potencia con contacto de presión con un acumulador de presión híbrido.

(04/07/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con contacto por presión con por lo menos un sustrato que tiene componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga que conducen al exterior y con un dispositivo de presión que comprende un elemento de presión , en el que el sustrato en su primera superficie principal encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, comprende pistas conductoras con un potencial de carga, en el que un primer y por lo menos un elemento de conexión de la carga adicional están formados como un moldeado de plástico con una sección de transferencia de la presión Y por lo…

Montaje en contacto con presión con un módulo de semiconductor de potencia.

(16/05/2012) Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso , un módulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeración , en la que la tarjeta de circuito impreso tiene un cuerpo de material aislante y vías de conducción instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plástico aislante en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta que tiene orificios , un sustrato que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento con por lo menos una vía de conducción y por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con el circuito en cuestión y también resortes de contacto , los cuales pasan a través de los orificios del alojamiento…

Módulo de semiconductor de potencia con resorte de contacto auxiliar previamente cargado.

(24/04/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , un elemento de presión , un sustrato con por lo menos una superficie de contacto y por lo menos un elemento de conexión dirigido hacia fuera en el que el elemento de conexión está diseñado como un resorte de contacto , con un primer dispositivo de contacto , una sección elástica y un segundo dispositivo de contacto , en el que el elemento de presión tiene por lo menos dos elementos de tope por elemento de conexión , en el que el primer dispositivo de contacto del resorte de contacto está conectado con las superficies de contacto del sustrato de una manera eléctricamente conductora, en el que el segundo dispositivo de contacto del resorte de contacto está diseñado en forma de un semicírculo, caracterizado porque al principio y al final de la forma semicircular del…

Módulo de semiconductor de potencia.

(20/04/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , cuya cara superior está poblada con por lo menos un componente del semiconductor de potencia y un alojamiento en forma de bandeja , en el que el borde de la bandeja del alojamiento está diseñado para que sea escalonado con un borde exterior elevado periférico y un borde interior bajo con respecto al borde exterior , bordes los cuales están conectados uno con el otro por medio de una superficie escalonada , en el que el sustrato con su zona del borde de su cara superior adyacente a su borde exterior se asienta contra el alojamiento y en el que zonas de las esquinas relacionadas del borde de la bandeja del alojamiento están destinadas…

Módulo de semiconductor de potencia con elementos de conexión.

(07/03/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , por lo menos un sustrato , por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto y conectado de una manera apropiada para el circuito, elementos de conexión para las conexiones de carga y las conexiones auxiliares que tienen una conexión eléctricamente conductora a dicho componente del semiconductor de potencia y que están dirigidas hacia fuera, en donde por lo menos un elemento de conexión está formado a partir de una primera sección de línea cargada por resorte y una segunda sección de línea rígida y a partir de un moldeado de…

DERIVADOS DE BENCILMORFOLINA.

(16/12/2006). Solicitante/s: ELI LILLY AND COMPANY. Inventor/es: GREALISH, PATRICK, FRANCIS, ROWLINSON, SCOTT, WILLIAM.

Un compuesto de fórmula (I) (Ver fórmula) en la que: R es H; Ar es un grupo aromático seleccionado entre fenilo sin sustituir o fenilo sustituido con 1, 2, 3, 4 ó 5 sustituyentes seleccionados entre alquilo C1-C4, O(alquilo C1-C4), S(alquilo C1-C4), halo y fenilo opcionalmente sustituido por halo, alquilo C1-C4 u O(alquilo C1-C4); X es fenilo sustituido o sin sustituir con 1, 2, 3, 4 ó 5 sustituyentes seleccionados entre alquilo C1-C4, O(alquilo C1-C4) y halo; R’ es H o alquilo C1-C4; cada R1 es independientemente H o alquilo C1-C4; en la que cada grupo alquilo C1-C4 mencionado anteriormente está opcionalmente sustituido por uno o más átomos halo; o una sal farmacéuticamente aceptable del mismo.

SISTEMA CON COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA PARA EL CONTROL DE POTENCIA DE ELEVADAS INTESIDADES Y APLICACION DEL SISTEMA.

(16/03/2006) Sistema con uno o varios componentes semiconductores de potencia para el control de la potencia con elevadas intensidades, sucediendo que - cada componente semiconductor de potencia está fijado sobre una superficie eléctricamente conductora de un cuerpo de soporte común, fijado eléctricamente aislado de la superficie y presentando cada uno al menos dos superficies de conexión eléctricas dispuestas separadas entre sí, sucediendo que - sobre esta superficie del cuerpo de soporte , además del o de los componentes semiconductores de potencia y eléctricamente aislado de cada componente semiconductor…

DISPOSITIVOS DE CARBURO DE SILICIO DE GRAN SUPERFICIE Y METODOS DE FABRICACION PARA LOS MISMOS.

(01/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: RYU, SEI-HYUNG, AGARWAL, ANANT, CAPELL, CRAIG, PALMOUR, JOHN, W.

Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente el primer contacto de los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio, aplicando selectivamente un fotorrepetidor de modo que se proporcione interconexión entre los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio.

MODULO DE ELECTRONICA DE POTENCIA Y DISPOSITIVO ELECTRONICO DE POTENCIA PROVISTO DE TALES MODULOS.

(01/05/2005) LA INVENCION SE REFIERE A UN MODULO ELECTRONICO DE POTENCIA QUE CONSTA DE DOS MODULOS ELEMENTALES , CADA UNO DE LOS CUALES COMPRENDE AL MENOS UN COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA CON AL MENOS UNA CARA DE CONTACTO MONTADA SOBRE UNA CARA METALICA DE UN SUSTRATO , CONEXIONES DE MANDO PARA CONECTAR EL COMPONENTE A UN MODULO DE MANDO, CONEXIONES DE POTENCIA PARA TRANSMITIR LA POTENCIA ENTRE COMPONENTES Y/O A OTROS MODULOS ELEMENTALES , Y AL MENOS UN CAMBIADOR TERMICO METALICO PARA EVACUAR LAS DISIPACIONES DE POTENCIA POR EFECTO DE JULIO DEL COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA . EL CAMBIADOR TERMICO METALICO VA MONTADO SOBRE LA OTRA CARA DEL SUSTRATO . SEGUN LA INVENCION, LOS DOS MODULOS ELEMENTALES SE SITUAN FRENTE A FRENTE: EL COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA DE UN MODULO ELEMENTAL FRENTE AL…

DIODO DE RELAJACION DE ALTA TENSION.

(01/08/1999). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: VOGEL, MANFRED, SPITZ, RICHARD, HERDEN, WERNER, KONRAD, JOHANN, GOEBEL, HERBERT.

SE PROPONE UN DIODO DE RELAJACION DE ALTA TENSION, QUE TOMA LA FUNCION DE UN DISTRIBUIDOR DE TENSION DE ENCENDIDO DE UN MOTOR DE COMBUSTION INTERNA CON DISTRIBUCION DE ALTA TENSION CONSTANTE. EL DIODO DE RELAJACION DE ALTA TENSION COMPRENDE UNA CASCADA DE CHIPS, DONDE ENTRE ESTOS CHIPS DE DIODO DE RELAJACION DE ELABORACION PLANAR SE DISPONE DE UNA CAPA DE POLIAMIDA CON CAVIDADES EN LA REGION DEL CATODO TERMINAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL DIODO DE RELAJACION. LOS CHIPS INDIVIDUALES ESTAN CONECTADOS DE MANERA ELECTRICA Y MECANICA POR MEDIO DE UN ADHESIVO CONDUCTOR.

MODULO SEMICONDUCTOR.

(16/02/1998) LA FABRICACION DE UN MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA SE BASA EN UNA PLACA BASE DE CERAMICA 10 SOBRE LA CUAL SE PUEDEN FIJAR VIAS CONDUCTORAS DE COBRE Y VIAS CONDUCTORAS DE CHAPA DE COBRE 2, 3, 20, 20', 22, 22' CON LA AYUDA DE UN METODO APROPIADO. POSTERIORMENTE, SE RAYA LA PLACA DE BASE DE CERAMICA Y SE ROMPE. CON ESTO SE ORIGINAN PLACAS LATERALES DE CERAMICA 11, 11', 12, 12', LAS CUALES ESTAN UNIDAS A LA PLACA BASE 10 MEDIANTE LAS CINTAS CONDUCTORAS 20, 21, 22, 23. POSTERIORMENTE, SE PLIEGAN HACIA ARRIBA LAS PLACAS LATERALES 11, 12, 11', 12'. LAS CINTAS CONDUCTORAS 22, 22' SE FIJAN SOBRE LAS PLACAS LATERALES, 11, 12, 11', 12' DENTRO DEL PLANO QUE ESTA POR ENCIMA DEL PLANO BASE. MEDIANTE ROTURAS Y PLIEGUES VARIAS DE LAS PLACAS LATERALES 11, 12, 11', 12' Y LA FORMACION ADECUADA DE LOS EXTREMOS 25, 25' DE LAS…

MONTAJE EN CASCADA DE ETAPAS DE TRANSISTORES EN PARALELO REALIZADO EN CIRCUITO HIBRIDO.

(01/06/1994). Solicitante/s: GEC ALSTHOM SA. Inventor/es: CHAVE, JACQUES.

ESTE MONTAJE ES TAL QUE LAS PASTILLAS DE SEMICONDUCTORES QUE FORMAN LOS DIFERENTES TRANSISTORES DE ESTE MONTAJE ESTAN ORGANIZADAS EN MATRIZ CUYAS DIFERENTES COLUMNAS SON REALIZADAS SOBRE UNA PRIMERA RED DE PISTAS CONDUCTORAS Y SEPARADAS POR UNA SEGUNDA Y UNA TERCERA RED DE PISTAS CONDUCTORAS, DICHAS REDES ESTAN RESPECTIVAMENTE CONECTADAS A LOS DIFERENTES PLOTS DE CONEXION DE LAS PASTILLAS CONDUCTORAS.

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