CIP-2021 : H01L 31/105 : siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/105 · · · · · siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fotodetector con resonador de Helmholtz.
(19/02/2020) Fotodetector con resonador de Helmholtz, eficaz para detectar al menos una radiación (R) electromagnética que tiene una longitud de onda comprendida entre 0,3 μm y 15 μm, el resonador de Helmholtz que comprende:
- un volumen aislante eléctricamente; y
- caras metálicas que rodean el volumen aislante a lo largo de al menos un recorrido en bucle alrededor de dicho volumen aislante, fuera de dos interrupciones del recorrido en bucle, de manera que las caras metálicas constituyen dos electrodos que están separados entre sí por al menos un intervalo, denominado intervalo (ZC) de concentración del campo eléctrico y que contienen las interrupciones del recorrido en bucle;
dicho intervalo (ZC) de concentración de campo eléctrico que tiene un espesor entre los dos electrodos que es más pequeño…
Fotodiodo y otras estructuras de sensores en generadores de imágenes de rayos X de panel plano y método para mejorar la uniformidad topológica del fotodiodo y otras estructuras de sensores en impresoras de rayos X de panel plano basadas en electrónica de película delgada.
(23/04/2019) Un sensor de radiación, que comprende:
una capa de centelleo configurada para emitir fotones al interactuar con radiación ionizante;
un fotodetector que incluye, en orden, un primer electrodo, una capa fotosensible y un segundo electrodo transmisor de fotones dispuesto cerca de la capa de centelleo;
estando dicha capa fotosensible configurada para generar pares de huecos de electrones al interactuar con una parte de dichos fotones;
circuitos de píxeles conectados eléctricamente al primer electrodo y configurados para medir una señal de formación de imágenes indicativa de dichos pares de huecos de electrones generados en la capa fotosensible; una capa de aplanado dispuesta en el circuito de píxeles entre el primer electrodo y el circuito de píxeles, de manera…
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.
(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende:
una primera capa semiconductora tipo p;
una capa semiconductora tipo n;
una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada;
un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ;
una capa de ánodo para recolectar agujeros;
una capa de cátodo para recolectar electrones;
en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…
(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende:
una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ;
una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ;
una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y
una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
DISPOSITIVO DE RETINA ARTIFICIAL.
(16/02/1998). Solicitante/s: CHOW, ALAN Y. Inventor/es: CHOW, ALAN Y..
UN DISPOSITIVO DE CHIP DE SILICONA COMPUESTO DE UNA GRAN CANTIDAD DE MICROFOTODIODOS DENSAMENTE EMPACADOS SE IMPLANTA ENTRE LAS CAPAS INTERIOR Y EXTERIOR DE LA RETINA, EN PACIENTES CON OJOS DE VISION DEFICIENTE QUE SUFREN DE DISFUNCIONES DE LA RETINA, PARA PERMITIR UNA VISION FORMADA UTIL. LA SUPERFICIE FOTOACTIVA DE CADA FOTODIODO, CON SU SILICONA DEPOSITADA O UN ELECTRODO GRABADO, SE DIRIGEN HACIA LA LUZ INCIDENTAL. EL DISPOSITIVO PRODUCE UNA CORRIENTE MODULADA AMPLIFICADA PARA ESTIMULAR LA CAPA INTERIOR DE LA RETINA. EL DISPOSITIVO ESTA INTRINSECAMENTE INERTE DEBIDO A SU NATURALEZA DE SUSTRATO DE SILICONA ESTUPEFACIENTE.
