CIP 2015 : C23C 16/04 : Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.

CIP2015CC23C23CC23C 16/00C23C 16/04[1] › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/04 · Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Recipiente de plástico dotado de una superficie interna tratada con carbono.

(16/03/2016) Recipiente de múltiples capas moldeado por soplado diseñado para contener bebidas carbonatadas, que incluye una porción de pared superior que presenta una abertura , una porción de pared lateral intermedia situada debajo de la porción de pared superior , y una porción de base situada debajo de la porción de pared lateral intermedia que está adaptada para soportar el recipiente , dicho recipiente comprende además: una capa moldeada exterior que tiene una superficie interior y una superficie exterior y que contiene al menos un 40% en peso de plástico reciclado; y que incluye un material de barrera y/o materiales que secuestran o reaccionan…

Procedimiento y dispositivo para el tratamiento con plasma por el lado interior de cuerpos huecos.

(30/06/2015) Procedimiento para el tratamiento con plasma de unas piezas de trabajo en forma de cuerpos huecos, en el que dentro de una cámara del reactor es puesta en vacío por lo menos parcialmente una zona de tratamiento, un gas de proceso se introduce en la zona de tratamiento, en particular en la pieza de trabajo, y mediante una energía electromagnética irradiada se genera un plasma en el entorno de por lo menos una parte de la superficie de la pieza de trabajo, caracterizado por que el plasma durante una excitación de un gas mediante una descarga de efluvios se inflama en un recinto separado de la cámara del reactor mediante…

Procedimiento de realización de al menos un microcomponente con una máscara única.

(20/11/2013) Procedimiento de realización de un microcomponente que comprende un apilamiento sobre un sustrato , incluyendo el apilamiento una primera capa depositada según un primer motivo y una segunda capa depositada según un segundo motivo, diferente del primer motivo, caracterizado porque el primer motivo está formado a través de una abertura de una máscara llevada a una primera temperatura (T1), y porque el segundo motivo está formado a través de la misma abertura de la misma máscara llevada a una segunda temperatura (T2), diferente de la primera temperatura.

Procedimiento para formar una película delgada, aparato para formar una película delgada, y procedimiento para controlar el proceso de formación de la película delgada.

(11/09/2013) Un procedimiento de formación de películas delgadas, para plasmatizar una mezcla de gases, consistiendo, lamezcla de gases, en un gas de monómero y un gas reactivo oxidante, y para la formación de una película delgada,sobre una superficie de un substrato, encontrándose formada, la película delgada, por un óxido, el cual comprende:una primera etapa de formación de una primera película delgada, mediante la plasmatización de una mezcla degases, al mismo tiempo que se varía el factor de relación de los caudales de flujo del gas monómero, con respecto algas reactivo, con la condición de que, el factor de relación de los caudales de flujo, se encuentre por lo menosdentro…

Máquina para el tratamiento de recipientes de material termoplástico.

(30/05/2012) Procedimiento de filtración que permite proteger, como mínimo, un instrumento (16, 16') de medida y control de los parámetros del proceso de tratamiento de los recipientes, utilizado en una máquina que realiza, en una zona de tratamiento, el depósito de un recubrimiento de partículas sobre la pared de dichos recipientes por formación de un plasma a partir de un gas precursor, cuyo instrumento de medición está sometido a un ciclo continuo de variaciones de presión que van de un valor que corresponde a casi vacío, durante la fase de tratamiento del recipiente, hasta un valor que corresponde a la presión atmosférica cuando tiene…

Procedimiento de protección por aluminización de piezas metálicas de turbomáquinas provisas de agujeros y cavidades.

(10/05/2012) Procedimiento de aluminización por depósito en fase vapor para la protección contra la oxidación a alta temperatura de una pieza metálica de turbomáquina que comprende agujeros y/o cavidades que comunican con el exterior, procedimiento de acuerdo con el cual al menos un precursor gaseoso del depósito que hay que realizar, que comprende un compuesto del aluminio, es llevado en contacto con las superficies de la pieza dispuesta en el interior del recinto, caracterizado porque comprende las etapas consistentes en: cargar la pieza metálica que hay que aluminizar en el interior de un recinto; purgar con argón la atmósfera en el interior del recinto y disminuir la presión por bombeo de manera que se lleve la presión en el interior del recinto a un valor inferior…

PROCEDIMIENTO E INSTALACION DE DENSIFICACION DE SUSTRATOS POROSOS POR INFILTRACION QUIMICA EN FASE GASEOSA.

(16/05/2007) Procedimiento de dosificación de substratos porosos por una matriz obtenida por infiltración química en fase gaseosa utilizando un gas reactivo que contiene por lo menos un precursor gaseoso del material de la matriz, comprendiendo el procedimiento: - la carga de substratos a densificar en una zona de carga de un horno, - el calentamiento de los substratos en el horno a fin de llevarlos a una temperatura a la cual el material de matriz deseado es formado a partir del o de los precursores gaseosos contenidos en el gas reactivo, - la admisión del gas reactivo por un extremo del horno, y - el calentamiento del gas reactivo, después de entrada en el horno, pasando por una zona de calentamiento de gas situada corriente arriba de la zona de carga, en el sentido de flujo del gas reactivo…

REVESTIMIENTO BARRERA.

(16/10/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: SIDEL S.A.. Inventor/es: BELDI, NASSER SIDEL, ADRIANSENS, ERIC SIDEL.

Revestimiento de barrera al gas dispuesto sobre un sustrato polimérico, comprendiendo el dicho revestimiento una capa barrera con base en óxido de silicio, que está recubierta de una capa protectora de carbono amorfo hidrogenado, caracterizado porque la capa barrera presenta un espesor comprendido entre 8 y 20 nanómetros y porque la capa protectora presenta un espesor inferior a 20 nanómetros.

METODO PARA DEPOSITAR UN REVESTIMIENTO DE BARRERA SOBRE UN SUBSTRATO PLASTICO.

(01/09/2006). Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es: KNORS, CHRISTOPHER JOHN.

LA PRESENTE INVENCION ES UN RECIPIENTE DE PLASTICO CUBIERTO CON UN REVESTIMIENTO DE BARRERA DE MULTIPLES CAPAS. EL REVESTIMIENTO DE BARRERA DE MULTIPLES CAPAS ES UTIL PARA PROPORCIONAR UNA BARRERA EFICAZ CONTRA PERMEABILIDAD DE GAS EN RECIPIENTES Y PARA AMPLIAR LA DURACION DE RECIPIENTES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE PLASTICO PARA RECOGIDA DE SANGRE EVACUADA.

CIRCUITO DE VACIO PARA UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON LA AYUDA DE UN PLASMA A BAJA PRESION.

(16/03/2006). Solicitante/s: SIDEL ACTIS SERVICES. Inventor/es: RIUS, JEAN-MICHEL.

La invención se relaciona con el dominio de dispositivos para el tratamiento de un recipiente con la ayuda de un plasma a baja presión en el cual el plasma es creado por excitación de un gas gracias a ondas electromagnéticas. El dispositivo en el cual el tratamiento por plasma a baja presión tiene por objeto efectuar un depósito de material sobre las paredes del recipiente. Por esto, es necesario aportar en la cavidad de tratamiento un gas precursor que será ionizado bajo forma de plasma. Ventajosamente, el dicho documento prevé entonces que los medios de inyección del gas precursor lleven un inyector montado sobre la tapa de la cavidad.

DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (III).

(16/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es: WILLIAMS, KEITH, FISHER, RONALD.

UN PROCEDIMIENTO PARA LA DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA QUE CONSISTE EN INCLUIR EN LA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIALES QUE COMPRENDA UN ELEMENTO SUSCEPTOR QUE SEA MAS SUSCEPTIBLE A CALENTARSE DEBIDO A UNA RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO, EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A UN GAS DE HIDROCARBUROS Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA CON LO QUE DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCARA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA A UNA TEMPERATURA EN LA QUE EL GAS QUE SE INFILTRA EN LA ESTRUCTURA POROSA DEPOSITE CARBONO DENTRO DE DICHA ESTRUCTURA POROSA.

METODO Y APARATO PARA EL TRATAMIENTO SECUENCIAL POR PLASMA.

(16/06/2004) Método para el tratamiento por plasma de un sustrato hueco , que comprende las etapas siguientes: a) situar una pluralidad de fuentes de ionización de energía (7 a 10; 107 a 112) todas ellas a lo largo de la parte del sustrato que se va a tratar, b) inyectar un gas de proceso en el interior del sustrato, conteniendo dicho gas un precursor para la creación de plasma, y c) mantener la presión en el interior del tubo dentro de un rango predeterminado, caracterizado porque comprende además la etapa de: d) energizar a partir de una única fuente de energía de frecuencia de radio las fuentes de ionización de energía, en secuencia, para crear…

DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON PLASMA DE MICROONDAS.

(01/04/2004) Dispositivo para el tratamiento superficial de un recipiente, del tipo en el que el tratamiento se realiza por medio de un plasma a baja presión por excitación de un fluido reactivo, merced a ondas electromagnéticas de tipo de microondas, y del tipo en el que el recipiente está colocado en un recinto de material conductor, en cuyo interior se introducen las microondas por intermedio de un dispositivo de acoplamiento, caracterizado porque el recinto es cilíndrico de revolución, alrededor de un eje principal (A1) del recipiente , porque el dispositivo de acoplamiento comprende un túnel para el guiado de las ondas que se…

DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (II).

(01/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es: WILLIAMS, KEITH, FISHER, RONALD.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA, QUE CONSISTE EN: PROPORCIONAR A DICHA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIAL QUE INCLUYE UN ELEMENTO SUSCEPTOR DE FIBRAS DE UN MATERIAL QUE ES MAS SUSCEPTIBLE AL CALENTAMIENTO POR RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO; EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A HIDROCARBURO GASEOSO Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA, CON LO CUAL DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA HASTA UNA TEMPERATURA A LA CUAL EL GAS QUE SE INFILTRA EN DICHA ESTRUCTURA DEPOSITA CARBONO EN EL INTERIOR DE LA CITADA ESTRUCTURA.

DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (I).

(01/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es: WILLIAMS, KEITH, FISHER, RONALD.

UN PROCEDIMIENTO PARA LA DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA QUE CONSISTE EN INCLUIR EN LA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIALES QUE COMPRENDA UNA HOJA DELGADA DE METAL DE UN ELEMENTO SUSCEPTOR QUE SEA MAS SUSCEPTIBLE A CALENTARSE DEBIDO A UNA RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO, EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A UN GAS DE HIDROCARBUROS Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA CON LO QUE DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCARA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA A UNA TEMPERATURA EN LA QUE EL GAS QUE SE INFILTRA EN LA ESTRUCTURA POROSA DEPOSITE CARBONO DENTRO DE DICHA ESTRUCTURA POROSA.

DESINFICACION DE CUERPOS POROSOS.

(01/03/2003) Procedimiento para la infiltración de un cuerpo poroso preformado (P) con carbono calentando el cuerpo (P) de distintas partes (A, B, C, ...) hasta alcanzar una temperatura a la cual un gas que contiene carbono puede descomponerse para depositar carbono en los poros de dicho cuerpo, comprendiendo el procedimiento colocar el cuerpo (P) adyacente a un elemento calentador de múltiples partes de modo que sus partes queden alineadas con las partes correspondientes del cuerpo, y alimentar energía al elemento calentador para calentar el cuerpo mientras que se expone dicho cuerpo a un gas que contiene carbono y que puede descomponerse; caracterizado porque se excitan de forma selectiva las distintas partes del elemento calentador…

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO MICROMECANICO.

(16/12/2002). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: HIRTREITER, JOSEF, ELSNER, BERNHARD.

Procedimiento para la fabricación de un dispositivo micromecánico con las etapas: preparación de un substrato con una región de anclaje , formación de una capa de sacrificio sobre el substrato dejando libre la región de anclaje ; deposición de una capa adhesiva sobre la capa de sacrificio y la región de anclaje ; formación de una máscara sobre la capa adhesiva ; deposición de una capa galvánica sobre la región no enmascarada de la capa adhesiva ; y retirada de la máscara y de la capa de sacrificio.

RECIPIENTES CON SUPERFICIE INTERIOR INERTE O IMPERMEABLE POR DEPOSITO, ASISTIDO CON PLASMA, DE UNA SUSTANCIA PRINCIPALMENTE INORGANICA.

(16/12/2001) LA DEPOSICION AYUDADA CON PLASMA DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERIOR MUY FINO DENTRO DE UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SE CONSIGUE UTILIZANDO SUBSTANCIAS INORGANICAS, INERTES, INSOLUBLES, TALES COMO SILICE, U OXIDOS DE METAL INSOLUBLES, O UTILIZANDO MEZCLAS DE SUBSTANCIAS, POR EJEMPLO DE METALES, OXIDOS DE METAL, SALES DE METAL Y RADICALES DE CARBONO Y/O ORGANICOS. DE MANERA QUE SE FORMA UNA CELOSIA O ESTRUCTURA FLEXIBLE, UTILIZANDO DIFERENTES CAPAS DE TALES ESTRUCTURAS. ESTO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO EN EL QUE SE HA OBTENIDO EL VACIO, LA COLOCACION DE UN VAPORIZADOR QUE CONTENGA EL MATERIAL INORGANICO, INERTE DE UNA CONSTITUCION PREDETERMINADA DENTRO DEL ENVASE, LA GENERACION DE UN VAPOR DE DICHO MATERIAL, LA FORMACION DE UN PLASMA DE DICHO VAPOR, LA DEPOSICION…

PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO DE PLASMA.

(01/09/2001). Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es: MARTIN, DAVID ALAN.

UN APARATO Y METODO PARA FACILITAR EL PROCESAMIENTO DE PLASMA Y EN PARTICULAR DEPOSICION DE VAPOR MEJORADO DE PLASMA QUIMICA, POLIMERIZACION DE PLASMA O TRATAMIENTO DE PLASMA DE MATERIALES DE BARRERA EN LA SUPERFICIE INTERIOR DE RECIPIENTES . LOS MATERIALES DE BARRERA SON UTILES PARA PROPORCIONAR UNA BARRERA EFECTIVA CONTRA PERMEABILIDAD DE GAS Y/O AGUA EN RECIPIENTES Y PARA AMPLIAR LA DURACION DE RECIPIENTES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE PLASTICO DE RECOGIDA DE SANGRE EVACUADA.

APARATO PARA SER UTILIZADO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO EN FASE DE VAPOR.

(16/12/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.

LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO PARA USO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION Y DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (CVI/CVD). EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A UN PRECALENTADOR PARA CALENTAR UN GAS REACTIVO EN EL INTERIOR DE UN HORNO DE CVI/CVD, Y A UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA MATRIZ EN UN GRUPO DE ESTRUCTURAS POROSAS MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CVI/CVD DE GRADIENTE DE PRESION. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

RECIPIENTES HUECOS CON SUPERFICIES INTERIORES INERTES O IMPERMEABLES PRODUCIDAS POR REACCION SUPERFICIAL ASISTIDA POR PLASMA O POLIMERIZACION SOBRE LA SUPERFICIE.

(01/08/1999) SE SUMINISTRA LA POLIMERIZACION ASISTIDA Y LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERNO MUY FINO EN UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SIN UN INCREMENTO INDESEABLE EN LA TEMPERATURA DE LA SUPERFICIE DEL ENVASE PARA CAMBIAR LAS PROPIEDADES SUPERFICIALES DE LA SUPERFICIE DE PLASTICO INTERNA DE UN ENVASE MEDIANTE LA REACCION DE LA SUPERFICIE CON UN GAS REACTIVO QUE HAYA SIDO ENERGIZADO PARA PRODUCIR PLASMA O LA SUPERFICIE SE ACTIVA MEDIANTE UN PLASMA O GAS REACTIVO DE MANERA QUE SE VUELVA RECEPTIVA A UNA REACCION SUPERFICIAL ADICIONAL. ELLO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO, LA INSERCION DE MEDIOS PARA EL SUMINISTRO DE UN GAS REACTANTE EN EL INTERIOR DEL ENVASE, EL CONTROL SELECTIVO DE LA PRESION DENTRO DEL CONTENEDOR Y DENTRO DEL ENVASE, LA LIMPIEZA DE LA SUPERFICIE DEL ENVASE A REVESTIR IN SITU,…

PRODUCTO, PROCEDIMIENTO Y APARATO DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO ENFASE VAPOR CON GRADIENTE DE PRESION.

(16/02/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.

LA INVENCION SE REFIERE AL CAMPO DE COMPUESTOS DE ALTA TEMPERATURA REALIZADOS MEDIANTE LA INFILTRACION DE VAPOR QUIMICO Y DEPOSICION DE UNA MATRIZ DE UNION EN UNA ESTRUCTURA POROSA. EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A PROCEDIMIENTOS DE GRADIENTE DE PRESION PARA FORZAR LA INFILTRACION DE UN GAS REACTIVO EN UNA ESTRUCTURA POROSA, A UN APARATO PARA LLEVAR A CABO ESTOS PROCEDIMIENTOS, Y A LOS PRODUCTOS RESULTANTES. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

APARATO Y METODO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.

(01/12/1997). Solicitante/s: COBRAIN N.V. Inventor/es: BRASSEUR, GUY JEAN JACQUES.

LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A UNA DETERMINADA TEMPERATURA CON GAS Y/O VAPOR, QUE COMPRENDE: UNA ESCLUSA DE SUMINISTRO PARA SUMINISTRAR UNA OBLEA (W) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; UN ESPACIO DE TRATAMIENTO EN EL CUAL PUEDE SER COLOCADA UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE LA ESCLUSA DE SUMINISTRO; UNA ENTRADA DE GAS PARA ADMINISTRAR GAS Y/O VAPOR DENTRO DEL ESPACIO DE TRATAMIENTO; MEDIOS DE BOMBA PARA LLEVAR AL ESPACIO DE TRATAMIENTO, Y MANTENERLO, A SOBREPRESION, Y UNA PARTE DE MESA PARA SOPORTAR LA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA MASA RELATIVA A LAS PARTES QUE LA RODEAN, TAL QUE DURANTE EL TRATAMIENTO PREVALECE UNA TEMPERATURA APROXIMADAMENTE CONSTANTE EN EL ESPACIO DE TRATAMIENTO.

METODO PARA LA FABRICACION DE MONOCRISTALES GRANDES.

(16/02/1997). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: VICHR, MIROSLAV, HOOVER, DAVID SAMUEL.

SE DESCRIBE UN METODO PARA PRODUCIR GRANDES CRISTALES INDIVIDUALES.SE PRODUCE UN CRISTAL INDIVIDUAL DE DIAMANTE DE GRADO ELECTRONICO CON UN GROSOR DE 100-1000 MICRONES Y UN AREA SUSTANCIALMENTE MAYOR DE 1 CM2 Y QUE TIENE UNA ALTA PERFECCION CRISTALINA, QUE PUEDE SER UTILIZADO EN APLICACIONES MECANICAS OPTICAS ,ELECTRONICAS U OTRAS.UNA LAMINA DE DIAMANTE CRISTALINO SE DEPOSITA PRIMERO SOBRE UN CRISTAL PRINCIPAL EN GRANO Y LAS LAMINAS DE DIAMANTE RESULTANTES SE PUEDEN SEPARAR DEL CRISTAL EN GRANO POR MEDIOS FISICOS MECANICOS Y QUIMICOS.EL CRISTAL PRINCIPAL PUEDE RESTAURARSE POR CRECIMIENTO EPITAXIAL CON SU USO REPETIDO COMO CRISTAL EN GRANO EN POSTERIORES OPERACIONES.SE PUEDE LOGRAR UN GRAN CRISTAL PRINCIPAL DE DIAMANTE EN GRANO AL COMBINAR LOS PEQUEÑOS CRISTALES EN GRANO ORIENTADOS POR FUSION EPITAXIAL LATERAL.DESDE AQUI NO HAY LIMITE DE VECES EN QUE SE PUEDEN REPETIR LOS PASOS DE COMBINACION DEL CRISTAL.SE PUEDEN FABRICAR GRANDES SECTORES DE DIAMANTE COMPARABLES EN TAMAÑO A LOS DE SILICONA.

METODOS Y APARATO PARA REVESTIR VIDRIO.

(16/02/1997). Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es: GUTHRIE, ROGER THACKSTON, BARKALOW, RAYMOND WILLIAM.

APARATO MEJORADO PARA REVESTIR ENVASES QUE TENGAN UNA SEPARACION MINIMA ENTRE EL CUERPO Y LA REGION DE ACABADO QUE CONSTA DE UNA CUBIERTA DE REVESTIMIENTO Y DE MEDIOS PARA SUMINISTRAR MATERIALES DE REVESTIMIENTO AL REVESTIMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN QUE UN SUMINISTRO DE AIRE NO TURBULENTO, CONTROLADO SE DIRIGE HACIA ABAJO A TRAVES DEL CHORRO DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO . UN SOPLADOR PROPORCIONA UN AIRE DE PROCESO A UN PLENO Y UNA PLACA ATENUADORA ANGULAR CON UNA PLURALIDAD DE AGUJEROS PEQUEÑOS DISTRIBUYE EL AIRE DE PROCESO DE MANERA UNIFORME, PARA EVITAR QUE SE FORMEN ONDAS ESTACIONARIAS Y REGIONES CON UNA VELOCIDAD DEL AIRE ALTA O BAJA. SE PUEDEN SUPERPONER VARIAS PLACAS ATENUADORAS PARA PERMITIR LA EXTRACCION DE LAS PARTICULAS MEDIANTE EL MOVIMIENTO DE LAS PLACAS, UNAS RESPECTO A OTRAS.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN REVESTIMIENTO DURO EN UN ORIFICIO DE BOQUILLA.

(01/02/1995) LA PRESENTE INVENCION SE DIRIGE A UN PROCESO PARA REVESTIR LAS SUPERFICIES INTERIORES DE UN ORIFICIO EN UN SUBSTRATO QUE FORMA UNA BOCA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE DE LECHADA. EN UNA EJEMPLIFICACION ESPECIFICA, LA BOCA ES PARTE DE UN SISTEMA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE PARA METER UNA LECHADA DE CARBON-AGUA EN UN GRAN MOTOR DIESEL MULTICILINDRICO DE VELOCIDAD MEDIA. CON EL OBJETO DE RETARDAR LA EROSION DEL ORIFICIO, SE COLOCA EL SUBSTRATO EN UNA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (DVQ). SE HACE PASAR UN GAS DE LA REACCION EN UNA CAMARA A UNA TEMPERATURA DE GAS POR DEBAJO DE SU TEMPERATURA DE REACCION Y…

METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.

(01/11/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.

UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.

PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA.

(16/08/1994) COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: (A) LA PREPARACION DE UN SUSTRATO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA MEDIANTE LA IRRADIACION SELECTIVA DE LA SUPERFICIE DE UN MIEMBRO DE BASE CON UN HAZ DE ENERGIA DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA O UN HAZ DE ELECTRONES A TRAVES DE UNA ATMOSFERA DE UN GAS REACTIVO PARA CONSEGUIR REGIONES DONDE LOS NUCLEOS DE CRISTAL SE FORMAN SELECTIVAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE; (B) FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE DICHO SUSTRATO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESPECIES ACTIVADAS (A) FORMADAS POR DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO (SX) CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNAS ESPECIES ACTIVADAS (B) FORMADAS DE UNA SUSTANCIA QUIMICA (B) PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES MUTUA Y QUIMICAMENTE REACTIVA CON LAS ESPECIES (A) EN EL INTERIOR DEL ESPACIO FORMADO EN LA PELICULA, EN EL CUAL DICHO SUSTRATRO ES DISPUESTO…

UTIL DE CORTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

(01/01/1994). Solicitante/s: KRUPP WIDIA GMBH. Inventor/es: KONIG, UDO.

PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA AL IMPACTO Y A LA FRACTURA DE LOS ENCASTRES CORTANTES DEL METODO ANTERIOR SE PROPONE QUE SUS SUPERFICIES DE CORTE, EN PARTICULAR LAS SUPERFICIES PRINCIPALES, QUE ESTAN SUJETAS AL MAYOR TENSOR Y A TENSIONES DE COMPRESION DURANTE EL CORTE NO DEBERIAN ESTAR REVESTIDOS. EL REVESTIMIENTO SE APLICA SOLO EN LA REGION DEL CORTE CORTANTE EFECTIVO, PREFERENTEMENTE POR PLASMA CVD.

PERFECCIONAMIENTOS EN LOS DISPOSITIVOS DE CORREDERA REGULADORA CON DIAFRAGMA.

(16/06/1960) Perfeccionamientos en los dispositivos de corredera reguladora diafragmática, para regular el paso de medios fluidos, granulados, gaseosos y similares fluyentes, con elementos diafragmáticos introducibles por todos lados en el canal de paso, transversalmente a la pared de ese canal, por una o varias aberturas, por ejemplo una ranura periférica, de la mencionada pared, elementos diafragmáticos que en todas las posiciones de regulación, con excepción de la posición enteramente cerrada, dejan una abertura de paso semejante sin lugares angostos o a manera de ranuras, por ejemplo una abertura de paso poligonal o redonda en posición esencialmente concéntrica en el canal, corredera que se caracteriza por el hecho de que existen medios que excluyen, tanto dentro como fuera de la…