CIP-2021 : H01L 29/08 : con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar,
a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/08 · · · con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.
(13/12/2017) Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo, FET, ,
en el que el segundo transistor de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa que rodea la región de contacto de drenaje modificada,
en el que el transistor de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente…
Un tiristor, un procedimiento de activar un tiristor, y circuitos del tiristor.
(26/10/2016). Solicitante/s: Silergy Corp. Inventor/es: VAN DALEN,ROB, SWANENBERG,MAARTEN, EMMERIK-WEIJLAND,INESZ.
Un tiristor que comprende:
una primera región de un primer tipo de conductividad;
una segunda región de un segundo tipo de conductividad y contiguo a la primera región;
una tercera región del primer tipo de conductividad y contigua a la segunda región;
una cuarta región del segundo tipo de conductividad y que comprende un primer segmento y un segundo segmento separado del primer segmento, el primer segmento y el segundo segmento se encuentran cada uno contiguos a la tercera región;
un elemento resistivo que conecta de manera eléctrica el primer segmento y la tercera región;
un primer contacto contiguo a la primera región;
un segundo contacto contiguo al primer segmento; y un contacto de disparo contiguo al segundo segmento y separado del segundo contacto.
PDF original: ES-2612203_T3.pdf
(01/10/1997). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: BYRNE, GERARD.
SE PROPONE UN TRANSISTOR DE CANAL P CON UN ELECTRODO = DE DRENAJE, ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE BULK, POR LO QUE EL ELECTRODO DE DRENAJE Y EL ELECTRODO DE FUENTE SE CONFORMAN COMO "REGION P" EN UNA BANDEJA-N Y LA BANDEJA SE COLOCA EN LA REGION P AMBIENTAL. EL ELECTRODO DE BULK SE CONECTA SIMULTANEAMENTE A LA CONEXION DE LA BANDEJA Y AL ELECTRODO DE FUENTE, MIENTRAS EL ELECTRODO DE DRENAJE SE CONECTA EN EL POLO (+) POSITIVO DE LA TENSION DE FUNCIONAMIENTO. A TRAVES DE ESTA DISPOSICION CON PEQUEÑAS NECESIDADES SUPERFICIALES SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA SEGURA DEL POLO, ESTOS PIERDEN UNA PEQUEÑA CORRIENTE DESPRECIABLE SOLAMENTE A TEMPERATURA ELEVADA Y SOLAMENTE SE NECESITA UNA UNICA BANDEJA SOBRE LA CUAL PUEDE COLOCARSE TAMBIEN OTROS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
(16/03/1993). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: LIU, YOW-JUANG, CAGNINA, SALVATORE.
SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR GEOMETRICO Y METODO DE FABRICACION. EL FET PUEDE SER OPERADO DESDE UN POTENCIAL DE POLARIZACION QUE FORMA UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL DISPOSITIVO EXCEDIENDO UNA PREDETERMINADA INTENSIDAD DE CAMPO. EL APARATO COMPRENDE UNA PORCION DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, QUE TIENE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y UNA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD ADYACENTE A LA SUPERFICIE PRINCIPAL Y ADAPTADO PARA RECIBIR EL PREDETERMINADO POTENCIAL DE POLARIZACION, LA REGION INCLUYE UNA SUBREGION DE IGUAL TIPO DE CONDUCTIVIDAD Y MENOR CONDUCTIVIDAD, LA SUBREGION ESTA SITUADA ENTRE LA REGION PARA RECIBIR AL MENOS ESA PORCION DEL CAMPO ELECTRICO DIPLO INCLUYENDO Y EXCEDIENDO EL VALOR PREDETERMINADO.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PERFECCIONADO.
(01/02/1979). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un dispositivo semiconductor perfeccionado que tiene un cuerpo semiconductor que comprende un transistor que tiene un emisor contiguo a la superficie, de un primer tipo de conductividad, una base igualmente contigua a la superficie, del tipo de conductividad, y un colector contiguo a la base, del primer tipo de conductividad, estando formada la zona de emisor al menos principalmente por una fila de regiones similares a dedos, a las que se hará referencia a continuación como regiones digitadas de emisor, del primer tipo de conductividad que se extienden sustancialmente paralelas entre sí y en una dirección sustancialmente transversal a la dirección longitudinal de la fila en la zona de base, caracterizado porque, con el fin de obtener una disipación desigual en la dirección longitudinal de la fila, y por tanto una mejora de la uniformidad en la distribución de temperaturas en el cuerpo semiconductor, las zonas digitadas de emisor tienen longitudes diferentes.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/12/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..
Resumen no disponible.