(19/06/2019) Instalación de purificación de un material, que comprende un recinto que contiene una atmósfera a una presión inferior o igual a 100 Pa y que contiene: - un conjunto de crisoles al menos en parte apilados según una dirección de apilamiento (D), incluyendo cada crisol una cámara destinada a contener el material en el estado fundido y un conducto de evacuación del material en el estado fundido fuera de la cámara, incluyendo el conjunto al menos unos primer, segundo y tercer crisoles, estando el primer crisol al menos en parte a plomo del segundo crisol y estando en contacto con el segundo crisol, desembocando el conducto de evacuación del primer crisol en el…

(05/04/2019) Aparato para el tratamiento continuo de dos líquidos fundidos inmiscibles que tienen diferentes densidades, caracterizado por que el aparato comprende al menos un canal de reacción helicoidal de extremos abiertos dispuesto dentro de un alojamiento sustancialmente vertical, un medio para el suministro continuo del líquido con la mayor densidad al extremo abierto superior de dicho canal de reacción helicoidal y un medio para el suministro continuo del líquido con la menor densidad al extremo abierto inferior de dicho canal de reacción helicoidal, un medio para la retirada continua del líquido con la mayor densidad en el extremo abierto inferior de dicho canal de reacción helicoidal…

(26/10/2018) Procedimiento de control de la densidad y/o de la porosidad de una muestra de silicio, incluyendo este procedimiento: * un posicionamiento de esta muestra de silicio, inicialmente en forma granular o de polvo, en un horno, * determinación de las condiciones de temperatura de sinterización y de presión parcial de las especies oxidantes para ejecutar una etapa de sinterización, * una sinterización sin carga de esta muestra, por tratamiento térmico de este a al menos una temperatura de sinterización y al menos una presión parcial de especies oxidantes, permaneciendo la temperatura de sinterización inferior a la temperatura de fusión de la muestra, estando la temperatura de sinterización y la presión parcial de especies oxidantes dirigidas durante la sinterización para…

(11/04/2018) Un dispositivo de purificación de silicio para separar y eliminar las impurezas evaporadas de la masa fundida de silicio generadas por calentamiento y fusión del silicio a presiones inferiores a 500 Pa, comprendiendo el dispositivo una cámara de procesado que incluye un crisol que contiene el silicio , un medio de calentamiento , un medio de reducción de presión y un medio de condensación de impurezas para refrigerar y condensar el vapor de impurezas que se evapora de la superficie líquida de la masa fundida de silicio , caracterizado por que el dispositivo de purificación de silicio comprende además un medio de recepción y contención de impurezas para recibir y contener las impurezas, estando preparado el medio de recepción y contención de impurezas tal que durante el procesado de purificación de silicio,…

(22/02/2017) Procedimiento de producción de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, que comprende los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial a un material de carga de silicio en terrones en una atmósfera controlada sobre un fondo móvil dentro del espacio de fusión de un crisol refrigerado por agua, crear un baño de silicio fundido y posteriormente fundir y moldear el silicio fundido con la forma del espacio de fusión, cristalizar un lingote de silicio multicristalino y enfriar de manera controlable el lingote de silicio usando un conjunto de equipo de calentamiento, poner fin a los pasos de fusión y moldeo cuando el contenido de impurezas en el silicio fundido llegue a ser crítico, y repetir los pasos del procedimiento comenzando por los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial al material de carga de…

(10/08/2016) Un método para producir un lingote de silicio a partir de un electrodo de silicio en un proceso de purificación de Refusión por Arco en Vacío de Electrodo Consumible (Consumable Electrode Vacuum Arc Remelt (CEVAR)) realizado en un crisol de fondo abierto de CEVAR dispuesto en un horno de CEVAR , el método comprende: calentar el electrodo de silicio a una temperatura de calentamiento inferior al punto de fusión del electrodo de silicio y disminuir la resistividad de electrodo, antes de la iniciación del proceso de purificación de CEVAR para formar un electrodo de silicio precalentado que tenga una resistividad que permita la iniciación del proceso de CEVAR; fundir el electrodo de silicio precalentado mediante el proceso de purificación de CEVAR para formación de un lingote de silicio…

(25/05/2016) Procedimiento para la purificación de fragmentos de silicio policristalino en un baño de purificación de carácter ácido que comprende un circuito de ácido en el que se hace circular ácido, comprendiendo la purificación varios ciclos de purificación, en donde en el caso de cada uno de los ciclos de purificación se consume una determinada cantidad de ácido, estando depositadas las respectivas cantidades de consumo de cada uno de los ciclos de purificación en un sistema de dosificación controlado por ordenador como parámetros de la instalación, en donde por medio de un integrador del sistema de dosificación, las cantidades de ácido consumidas en cada uno de los ciclos de purificación se suman en un consumo global de ácido en el baño de…

(14/01/2015) Un proceso para purificar silicio de calidad metalúrgica de baja pureza, que contiene al menos uno de los siguientes contaminantes Al, As, Ba, Bi, Ca, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ti, V, Zn, Zr y B, y obtener un silicio policristalino sólido de alta pureza, comprendiendo dicho proceso las etapas de: (a) introducir una masa fundida de silicio de calidad metalúrgica de baja pureza en un molde, presentando dicho molde una pared inferior aislada, paredes laterales aisladas y una parte superior abierta; (b) solidificar la masa fundida por medio de solidificación unidireccional a partir de la parte superior abierta hacia dicha pared inferior aislada de dicho molde, mientras se agita la masa fundida de forma electromagnética; (c)…

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

(11/06/2014) Metodo para purificar silicio, comprendiendo el metodo: (a) formar un primer liquido fundido a partir de silicio y un metal disolvente seleccionado del grupo de cobre, esteño, zinc, antimonio, plata, bismuto, aluminio, cadmio, galio, indio, magnesio, plomo, una aleación de los mismos, y combinaciones de los mismos; (b) poner en contacto el primer liquido fundido con un primer gas, para proporcionar desecho y un segundo liquido fundido, y para crear un remolino del primer liquido fundido o el segundo liquido fundido; (c) poner en contacto el remolino con oxigeno para proporcionar desecho adicional; (d) separar el desecho y el…

(07/05/2014) Procedimiento de purificación de silicio por exposición de silicio líquido a un plasma , caracterizado por que el silicio fluye de manera continua en un canal de tal manera que su superficie libre esté expuesta al plasma , siendo la relación entre el tiempo de exposición al plasma y el grosor del silicio en el canal tal que las impurezas tengan el tiempo de difundirse hacia la superficie para ser volatilizadas y eliminadas

(23/04/2014) Un silicio policristalino que contiene trozos machacados de silicio policristalino, teniendo por lo menos un 90 % de los trozos machacados un tamaño de 10 hasta 40 mm, caracterizado por unas proporciones de partículas de polvo fino de silicio más pequeñas que 15 ppmw para unos tamaños de partículas más pequeños que 400 μm, más pequeñas que 14 ppmw para unos tamaños de partículas más pequeños que 50 μm, más pequeñas que 10 ppmw para unos tamaños de partículas más pequeños que 10 μm y más pequeñas que 3 ppmw para unos tamaños de partículas más pequeños que 1 μm, y caracterizado además por unas impurificaciones superficiales con metales más grandes o iguales que 0,1 ppbw y más pequeñas o iguales que 100 ppbw.

(12/02/2014) Procedimiento para el tratamiento de material de silicio contaminado en superficie presente en una mezcla demateriales tal como piezas de silicio, granulado de silicio inclusive fracciones de plaquitas y/o granulado esféricos,en particular material de silicio con una contaminación superficial de 1 ppb - 1000 ppm, en particular 10 ppm - 1000ppm, con respecto al peso de silicio, que comprende las etapas de procedimiento, en cualquier orden a) retirar material que se adhiere a la superficie del material de silicio mediante tamizado de la mezcla demateriales por medio de una tela de tamiz, b) separar partículas gruesas eléctricamente conductoras de la mezcla de materiales y c) retirar material extraño visualmente perceptible y material de silicio fuertemente oxidado de la mezcla demateriales.

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

(18/12/2013) Un aparato de fabricación de un sustrato de silicio usando colada continua, que comprende: una unidad de crisol configurada para recibir silicio en bruto y que tiene un puerto de descarga que penetra enuna pared lateral de la misma y está dispuesta en una dirección horizontal; una unidad calefactora que se proporciona en una pared exterior y en una superficie inferior externa de la unidadde crisol y que calienta la unidad de crisol para fundir el silicio en bruto en la unidad de crisol y formar siliciofundido; una unidad de colada que cuela el silicio fundido, descargado por medio del puerto de descarga de la unidad decrisol, hasta formar un sustrato…

(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.

(09/10/2013) Molino de corte para triturar material de silicio acicular policristalino fracturado que contiene partículas quepresentan una relación de aspecto A1 con 5< A1 ≤ 30 y/o fractura de oblea de Si formada de partículas en forma deplaquetas, caracterizado por que el molino de corte presenta un espacio interior revestido con silicio, carburo de tungsteno y/o materialsintético, por que el molino de corte presenta un cuerpo de rotación configurado como columna de bordesmúltiples que del lado del espacio interior del molino de corte está revestido con silicio o presenta silicio y por queextendidas de manera paralela a los bordes longitudinales del cuerpo de rotación están dispuestas cuchillas dispuestas en el área de giro del cuerpo de rotación en el espacio interior…

(13/12/2011) Instalación de purificación de un material semiconductor que comprende al menos un recinto que contiene una atmósfera de al menos un gas neutro, y que comprende, en el recinto: un crisol destinado a contener el material semiconductor en estado fundido; una antorcha de plasma destinada a eliminar impurezas del material semiconductor fundido en el crisol; y un sistema de confinamiento destinado a delimitar un volumen de confinamiento entre el crisol y la antorcha de plasma, comprendiendo el sistema de confinamiento un sistema de evacuación de compuestos gaseosos y/o de partículas procedentes de la purificación del silicio fundido, caracterizada porque el sistema de evacuación comprende al menos una abertura de aspiración que presenta una porción cilíndrica que se prolonga mediante una porción ensanchada que desemboca en el volumen…

(27/04/2011) Procedimiento de elaboración de silicio de calidad fotovoltaica a partir de silicio metalúrgico afinado con oxígeno o con cloro y que contiene menos de 500 ppm de elementos metálicos, que comprende: - la refusión del silicio afinado, bajo atmósfera neutra, en horno eléctrico equipado con un crisol caliente, - la transferencia del silicio refundido, para realizar un afinado con plasma, en un horno eléctrico equipado con un crisol caliente, - el afinado con plasma del silicio refundido con, como gas plasmágeno, una mezcla de argón y de por lo menos un gas que pertenece al grupo constituido por el cloro, el flúor, el ácido clorhídrico y el ácido fluorhídrico, conteniendo la mezcla de 5 a 90% de argón, - la colada bajo atmósfera controlada en una lingotera en la que se realiza una solidificación segregada

(15/10/2010) Proceso para la purificación de fragmentos de silicio policristalino hasta un contenido de metales inferior a 100 ppb en peso, caracterizado porque se introducen fragmentos de polisilicio en una solución acuosa de purificación constituida por 0,1 a 60% en peso de HF y 0,1 a 50% en peso de H2O2, y el resto hasta 100% en peso por H2O, se retira esta solución acuosa de purificación y los fragmentos de polisilicio así obtenidos se lavan con agua muy pura y se secan a continuación