CIP-2021 : C23C 14/34 : Pulverización catódica.

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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento.

C23C 14/34 · · Pulverización catódica.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE DEPOSICIÓN DE NANOPARTÍCULAS METÁLICAS POR DEPOSICIÓN FÍSICA EN FASE DE VAPOR Y PROCEDIMIENTO DE GENERACIÓN DE RUGOSIDADES.

(28/02/2014) Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas por deposición física en fase de vapor y procedimiento de generación de rugosidades. Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas en todo tipo de sustratos por pulverización catódica, donde porque la deposición se realiza a una densidad de potencia entre 0.2-5 W/cm2 a una presión entre 60 y 180 Pa, en presencia de un gas noble. Gracias del procedimiento de la invención es posible depositar nanopartículas sobre cualquier tipo de substrato (polímeros, fibras, silicio...), a bajas temperaturas, en particular a temperatura ambiente, sin limitaciones en el área de deposición y sin restricciones en cuanto al tiempo en el cual se realiza el depósito. Tras la deposición, invirtiendo la polaridad, se pueden realizar rugosidades de escala nanométrica en el sustrato.

PROCEDIMIENTO DE DEPOSICIÓN DE NANOPARTÍCULAS METÁLICAS POR DEPOSICIÓN FÍSICA EN FASE DE VAPOR Y PROCEDIMIENTO DE GENERACIÓN DE RUGOSIDADES.

(06/02/2014). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Inventor/es: ECEIZA MENDIGUREN,Arantxa, FELISBERTO,Marcos, SACCO,Leandro, RUBIOLO,Gerardo, GOYANES,Silvia, KORTABARRIA ALZERREKA,Gardel, MONDRAGON EGAÑA,Iñaki.

Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas en todo tipo de sustratos por pulverización catódica, donde porque la deposición se realiza a una densidad de potencia entre 0.2-5 W/cm.

Procedimiento de elaboración de una diana por proyección térmica.

(06/11/2013) Procedimiento de realización de una diana por proyección térmica, por proyección por plasma por medio de unaantorcha de plasma, incluyendo dicha diana al menos un compuesto elegido entre los metales refractarios, losóxidos resistivos, los óxidos volátiles caracterizado porque se proyecta por proyección térmica sobre al menos unaporción de superficie de la diana, al menos una fracción de dicho compuesto en forma de una composición de polvode dicho compuesto, bajo atmósfera controlada, y porque se utilizan chorros enfriadores criogénicos potentesdirigidos hacia la diana durante su construcción y repartidos alrededor de la antorcha de plasma.

Proceso de metalización a vacío para cromar substratos.

(21/08/2013) Un proceso para revestir un substrato con un acabado cromado estable e uniforme, comprendiendo dicho proceso la secuencia siguiente: a) proporcionar un substrato; b) preparar una superficie de dicho substrato; c) aplicar un revestimiento de base; d) aplicar una primera capa metálica estabilizadora a dicho substrato por medio de una deposición con vapor a vacío, comprendiendo dicha primera capa metálica una mezcla de 50-80% de Níquel y 50-20% de cromo; y e) aplicar una segunda capa metálica sobre dicha primera capa metálica por medio de un método de deposición con vapor a vacío, estando dicha segunda capa metálica por aproximadamente 99% de cromo.

Procedimiento para depositar nanopartículas metálicas por depósito físico en fase vapor.

(04/06/2013) Procedimiento de depósito de nanopartículas metálicas por depósito físico en fase vapor, comprendiendo dichoprocedimiento al menos una etapa de pulverización catódica de un material diana en presencia de un gas neutro enla superficie de un sustrato, en un recinto mantenido a una presión de 15 a 60 Pa, caracterizado porque dicha etapade pulverización catódica se realiza durante un tiempo inferior a 20 segundos.

Artículo recubierto con recubrimiento de baja E con capa reflectada de IR tratada por haz de iones y procedimiento correspondiente.

(15/03/2013) Un procedimiento de fabricación de un artículo recubierto, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio; formar al menos una capa dieléctrica sobre el sustrato; formar una capa reflectante de infrarrojos (IR) que comprende plata sobre el sustrato por encima por lomenos de la primera capa dieléctrica, en el que dicha formación de la capa reflectante de IR comprende (a)depositar por pulverización catódica una porción de capa primera, o capa de siembra, que comprende plata;y ( b) usar una combinación simultánea de un haz de iones y material de plata moviéndose hacia el sustratodesde una diana de pulverización catódica para formar una porción de capa segunda inmediatamente porencima de y en contacto con la porción de capa…

Estructura de blanco de magnetrón cilíndrico y aparato para fijar dicha estructura de blanco a un husillo rotatorio.

(23/05/2012) Una estructura de blanco de magnetrón cilíndrico para su uso en un aparato, fijando dicha estructura deblanco de magnetrón cilíndrico a un husillo, estando adaptada dicha estructura de blanco de magnetrón para serrotada y utilizada para el depósito de capas pulverizadas en una diversidad de grandes sustratos, comprendiendodicho aparato: dicho miembro de husillo que incluye un eje hueco que termina en una porción de brida que tiene unasuperficie terminal, incluyendo dicha superficie terminal una junta tórica en una ranura para junta tóricacircular , teniendo dicha porción de brida un diámetro; dicha estructura de blanco cilíndrico ; y una abrazadera…

Sistema de recubirmiento por metalización por bombardeo atómico y procedimiento de revistimiento por metalización por bombardeo atómico.

(09/05/2012) Un sistema de recubrimiento por metalización por bombardeo atómico que comprende: una cámara de vacío; unos medios para generar un vacío en la cámara de vacío; un sistema de alimentación de gas acoplado a la cámara de vacío; un sistema para confinar y guiar un plasma de gas en el interior de la cámara de vacío; un conjunto objetivo de metalización por bombardeo atómico ubicado en el interior de dicha cámara, teniendo el conjunto objetivo una sección transversal externa circular o no circular definida por una superficie exterior del conjunto objetivo; un sistema de formación de plasma de gas para formar el plasma…

Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas.

(08/05/2012) Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas. La presente invención propone un método para la fabricaciónde elementos ópticos difractivos de una forma simple y económica.Este método incluye los siguientes pasos: (a) situar un substrato transparente próximo a un material blanco, ambos ubicados en elinterior de una cámara, (b) producir la vaporización o sublimación del material blanco, (c) depositar esta fase de vapor sobre elsubstrato, y (d) irradiar de forma concurrente la zona del substrato donde se produce el depósito con una distribución arbitrariade la intensidad luminosa. El depósito presenta funcionalidad óptica difractiva…

Un procedimiento para fabricar una diana de óxido mediante depósito por pulverización catódica que comprende una primera fase y una segunda fase.

(26/04/2012) Un procedimiento para fabricar una diana de 6xido mediante depósito por pulverización catódica, procedimiento que comprende las etapas de - proporcionar un soporte de diana; - aplicar una capa exterior de un material depositable por pulverización catódica sobre el mencionado soporte de diana por proyectar simultaneamente al menos un óxido y al menos un metal, capa exterior que comprende una primera fase y una segunda fase, comprendiendo la mencionada primera fase un óxido de al menos un primer metal y un segundo metal; comprendiendo la mencionada segunda fase un metal en su fase metalica, por lo que el mencionado metal en su fase metalica forma volumenes discretos situados en o entre el mencionado óxido de la mencionada primera fase, comprendiendo la mencionada…

Diana de pulverización catódica para la deposición de una película conductora transparente.

(18/04/2012) Diana de pulverización catódica que contiene un compuesto laminar hexagonal formado por óxido de indioy óxido de zinc y representado por In2O3(ZnO)m en la que m es un número entero de 2 a 7, y del 0,02 al0,2% atómico de un óxido de un tercer elemento que tiene una valencia normal de 4 o 5 más, en la que elóxido del tercer elemento es uno o más óxidos seleccionados del grupo que consiste en SnO2, CeO2, ZrO2,GeO2 y RuO2.

Método para producir capas de óxido metálico mediante vaporización por arco.

(23/03/2012) Método para producir capas de óxido por medio de PVD (iniciales en inglés de deposición física en fase vapor), en particular por medio vaporización por arco catódico, en el cual se vaporiza un blanco metalúrgico en polvo, caracterizado porque, por deposición de una capa de óxido con una composición que está fuera de una composición en la cual los constituyentes metálicos o semi-metálicos, respecto al diagrama de fases, no cruza ningún límite de fase de fases puramente sólidas durante la transición de temperatura ambiente a la fase líquida durante el calentamiento, el blanco metalúrgico en polvo está formado por al menos dos componentes, un primer componente que tiene una primera composición de constituyentes metálicos o semi-metálicos, en la cual…

SUSTRATO CON UNA CAPA DE ORO (111) Y PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION.

(21/10/2010) Substrato con una capa de oro y procedimiento para su preparación. Un substrato con un punto de fusión comprendido entre 1300ºC y 1600ºC con una capa de micromonocristales de oro , dichos micromonocristales presentan terrazas con una área comprendida entre 1.5-10.0 micras al cuadrado y una rugosidad menor que 1 A. Este substrato se fabrica por un procedimiento de preparación que comprende las etapas de deposición de una capa de oro esputerizado y un tratamiento térmico del oro depositado. Los substratos son útiles como soportes para microscopia, como biosensores y como electrodos

LENTE DE BASE POLIMERICA QUE COMPRENDE UNA CAPA ENDURECEDORA, UNA CAPA ABSORBENTE Y MULTICAPA INTERFERENCIAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION CORRESPONDIENTE.

(08/07/2010) Lente de base polimérica que comprende una capa endurecedora, una capa absorbente y multicapa interferencial y procedimiento de fabricación correspondiente. Lente de base polimérica que comprende una capa endurecedora (L), una multicapa interferencial (I) y una capa absorbente (A) intercalada entre ambas. La capa absorbente (A) está formada a partir de un metal, óxido o nitruro de metal, apto para generar una capa transparente mediante una deposición por sputtering, y comprende, adicionalmente, cationes de un metal colorante del grupo formado por aquellos elementos de transición que, en forma oxidada, presenten un…

DISPOSITIVO DE ALIMENTACION DE PIEZAS DE TRABAJO PARA DISPOSITIVO DE LABRADO POR HAZ ELECTRONICO.

(16/06/2007) Dispositivo para labrar una pieza de trabajo con un haz electrónico, con al menos un cañón de haz electrónico , y un dispositivo de alimentación de piezas de trabajo, que está previsto con una cámara de vacío , que presenta al menos una conexión para cada cañón de haz electrónico y al menos una abertura de carga/descarga (3; 3a, 3b), al menos dos dispositivos de sujeción de piezas de trabajo , un dispositivo de movimiento para mover cada uno de los dispositivos de sujeción de piezas de trabajo hasta una posición de carga/descarga correspondiente en al menos una abertura de carga/descarga (3; 3a, 3b) y una posición de labrado en al menos una conexión para el cañón de haz electrónico , y en cada caso un dispositivo de esclusa de piezas de trabajo en cada abertura…

UNA PELICULA DURA PARA HERRAMIENTAS DE CORTE.

(16/05/2007). Solicitante/s: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO. Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., SATOU, TOSHIKI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., MORIKAWA, YASUOMI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., HANAGURI, KOJI, TAKASAGO WORKS IN, TAKAHARA, KAZUKI, TAKASAGO WORKS IN.

Una película dura para herramientas de corte que se compone de (Ti1-a-b-c-d, Ala, Crb, Sic, Bd)(C1-eNe) 0, 5 = a = 0, 8, 0, 06 = b, 0 = c = 0, 1, 0 = d = 0, 1, 0, 01 = c+d = 0, 1, a+b+c+d < 1, 0, 5 = e = 1 (donde a, b, c, y d denotan respectivamente las relacio- nes atómicas de Al, Cr, Si, y B, y e denota la relación atómica de N).

PROCESO DE PLASMA PARA EL TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE SUBSTRATOS DE SILICONA.

(16/05/2007). Solicitante/s: HARTEC GESELLSCHAFT FUR HARTSTOFFE UND DUNNSCHICHTTECHNIK MBH & CO. KG. Inventor/es: RIBEIRO, CARLOS, DIPL.-ING., SCHAFER, RUDIGER, DR.

Proceso de plasma para tratar superficies de substratos de silicona, que consiste en introducir en una cámara de proceso el substrato a tratar, desgasificarlo, extraer continuamente los gases residuales de la cámara de proceso mediante bombas de vacío y activar el substrato, exponiendo su superficie a un plasma generado mediante una descarga eléctrica de gas en el vacío, y eligiendo la energía y el tiempo de acción del plasma sobre la superficie del substrato de manera que su energía superficial se incremente significativamente debido a la modificación de las moléculas próximas a la superficie, a fin de que los substratos de silicona tratados superficialmente de esta forma puedan recubrirse directamente, caracterizado porque la activación con el plasma tiene lugar a una presión de 10-3 hasta 10-2 mbar.

METODO DE FABRICACION DE UNA PLETINA DE FIJACION, PIEZA PARTIDA RECORTADA Y PLETINA CORRESPONDIENTE.

(16/03/2007) Procedimiento de fabricación de una pletina de fijación que comprende, en una sola pieza, una placa de base y un cuerpo tubular, que comprende las etapas consistentes en: - recorte de una pieza de partida de chapa de modo que éste defina una parte central de forma general rectangular flanqueada por dos partes laterales que comprenden un ala denominada media bordeada lateralmente por una aleta bordeada a su vez, en el lado de la parte central , por una ranura (16A, 17A), estando provista cada aleta , en su lado libre perpendicular a la ranura (16A, 17A) de, al menos, una lengüeta adaptada para penetrar en una abertura rectangular de la otra ala ;…

PROCEDIMIENTO DE CROMADO.

(01/12/2006). Solicitante/s: ANALISI TECNOLOGICA INNOVADORA PER A PROCESSOS INDUSTRIALS COMPETITIUS, S.L. Inventor/es: BENELMEKKI ERRETBY,MARIA, RIERA GINER,MONTSE.

Procedimiento de cromado. La presente invención proporciona un procedimiento para aplicar un recubrimiento con acabado de cromo electrolítico sobre la totalidad o parte de la superficie de un artículo termoplástico, metálico o de aleación metálica, que comprende las etapas de: (a) preparación del artículo termoplástico, metálico, o de aleación metálica; (b) aplicación de una capa base polimérica sobre dicho artículo, (c) curado de dicha capa base polimérica, y (d) depósito de una monocapa de cromo sobre el artículo recubierto con la capa base polimérica curada; caracterizado porque el curado de dicha capa base polimérica de la etapa (c) se realiza a una temperatura de entre 30 y 80ºC. Dicho recubrimiento confiere a dichos artículos la apariencia de cromo electrolítico, así como resistencia frente a la corrosión química y a las agresiones externas debidas a cambios climáticos y a las fricciones mecánicas causadas por el uso diario.

REACTIVACION DE UN BLANCO DE PULVERIZACION CATODICA DE TANTALO.

(16/11/2006) Un método para reactivar un blanco de pulverización catódica de tántalo consumido, que comprende las etapas: proporcionar un blanco de pulverización catódica de tántalo usado que tiene una placa de pulverización catódica de tántalo y una placa de soporte, en donde una cara del blanco de dicha placa de pulverización catódica de tántalo incluye una o más porciones de área superficial consumida; proporcionar un polvo de tántalo; suministrar selectivamente un polvo de tántalo para rellenar parcialmente o completamente cada una de dichas una o más porciones de área superficial consumida de la placa de tántalo para formar porciones rellenas; y aplicar un haz de energía radiante de alta potencia de corta duración localmente a dichas…

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN REVESTIMIENTO DE SUPERFICIE SELECTIVA SOLAR.

(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY OF SYDNEY. Inventor/es: ZHANG, QI-CHU, MILLS, DAVID.

REVESTIMIENTO SUPERFICIAL SOLAR SELECTIVO DEPOSITADO EN UN PANEL SOLAR . EL REVESTIMIENTO DE SUPERFICIE CONSISTE EN UNA ESTRUCTURA DE TRES CAPAS CON UNA CAPA INTERNA EN FORMA DE CAPA DE REVESTIMIENTO DE METAL PULIDO REFLECTORA DE LOS RAYOS INFRARROJOS, UNA CAPA DE REVESTIMIENTO QUE ABSORBE LA ENERGIA SOLAR , DEPOSITADA ENCIMA DE LA CAPA DE REVESTIMIENTO REFLECTORA, Y UNA CAPA SUPERFICIAL ANTI-REFLECTANTE . EL REVESTIMIENTO ABSORBENTE SE DEPOSITA COMO CERMET, TIPICAMENTE UN CERMET DE NITRURO DE TUNGSTENO Y ALUMINIO, FORMADO POR DEPOSICION SIMULTANEA DE MATERIAL EN EL PRIMER Y SEGUNDO ELECTRODO METALICO (23 Y 24) EN PRESENCIA DE UN GAS QUE REACCIONA CON EL METAL QUE COMPONE EL SEGUNDO ELECTRODO Y BASICAMENTE NO REACCIONA CON EL METAL QUE FORMA EL PRIMER ELECTRODO , ES DECIR, EL REVESTIMIENTO ABSORBENTE DE LA ENERGIA SOLAR SE FORMA POR DEPOSICION SIMULTANEA DE MATERIALES DEL PRIMER Y SEGUNDO ELECTRODO (23 Y 24) EN PRESENCIA DE UN GAS QUE REACCIONA SOLAMENTE CON EL METAL DE UNO DE LOS ELECTRODOS.

PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO DE UNA GOMA DE LIMPIAPARABRISAS.

(16/06/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: VOIGT, JOHANNES, LEUTSCH, WOLFGANG, RAUSCHNABEL, JOHANNES, FORGET, JEANNE.

La invención se refiere a un procedimiento para el revestimiento de una rasqueta limpiaparabrisas de caucho hecha de un material elastomérico. Según el procedimiento de la invención, el revestimiento se lleva a cabo por medio de un proceso CVD y/o por medio de un proceso PVD durante los cuales los vapores que recubren el material se generan y se activan utilizando técnicas térmicas, de plasma y/o láser. Se forman capas protectoras resistentes al desgaste que exhiben buenas características de deslizamiento sobre la superficie de la rasqueta limpiaparabrisas de caucho.

BLANCO DE BOMBARDEO ATOMICO Y METODOS DE OBTENCION DEL MISMO.

(16/04/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. BEKAERT S.A.. Inventor/es: HARTIG, KLAUS, VANDERSTRAETEN, JOHAN.

Un blanco de bombardeo atómico, que comprende: a) un soporte adaptado para conectarse funcionalmente a una fuente de alimentación de bombardeo atómico; b) una capa externa de un material que puede someterse a bombardeo atómico portado por el soporte, comprendiendo el material que puede someterse a bombardeo atómico una mezcla de zinc y un segundo metal que tiene un punto de fusión inferior al del zinc, aplicándose el zinc y el segundo metal pulverizando simultáneamente por plasma metal de zinc y un segundo metal para crear la capa externa del material que puede someterse a bombardeo atómico, de tal forma que el zinc y el segundo metal estén presentes en el material que puede someterse a bombardeo atómico en forma metálica y estén dispuestos como volúmenes diferenciados del segundo metal en una matriz de zinc, por lo que el segundo metal no está sustancialmente aleado con el zinc.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN ANTICATODO TUBULAR.

(01/03/2006) Procedimiento para producir un anticátodo tubular para instalaciones de pulverización catódica, en donde el anticátodo tubular está formado por un tubo interior metálico de un primer material con un primer punto de fusión TS1 de 900 K y por un tubo exterior metálico que circunda concéntricamente el tubo interior, de un segundo material con un segundo punto de fusión TS2 de = 800 K, y en donde el diámetro interior del tubo exterior se une fijamente con el diámetro exterior del tubo interior en unión positiva de forma y mecánicamente, caracterizado porque el tubo exterior se forma mediante colada del segundo material en estado fundido en una coquilla de fundición cilíndrica…

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA REVESTIR UN SUBSTRATO.

(01/07/2005). Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE, WEYMEERSCH, ALAIN, LUCAS, STEPHANE.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUSTRATO QUE SE DESPLAZA A TRAVES DE UN RECINTO , CONSISTIENDO ESTE PROCEDIMIENTO EN FORMAR EL REVESTIMIENTO POR UNA EVAPORACION SEGUIDA DE UNA CONDENSACION Y POR UNA PULVERIZACION CATODICA SIMULTANEA DE ESTE ELEMENTO A PARTIR DE UNA DIANA SOBRE EL SUSTRATO Y EN AJUSTAR LA RELACION DE LAS CANTIDADES DEL ELEMENTO QUE SE EVAPORAN Y PULVERIZAN SIMULTANEAMENTE ACTUANDO SOBRE EL APORTE DE ENERGIA A LA DIANA.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA FUENTE DE EVAPORACION.

(01/04/2005). Solicitante/s: PLANSEE AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WILHARTITZ, PETER, SCHINAUER, STEFAN, POLCIK, PETER.

Procedimiento para la fabricación de una fuente de evaporación para la separación física de vapor, compuesta por un blanco que, además de uno o varios componentes más, contiene un componente de aluminio y una placa trasera unida al blanco, de un material de mejor conductividad térmica que el blanco, fabricándose el blanco mediante prensado en frío de una mezcla de los componentes individuales en polvo y posterior conformación a temperaturas por debajo de los puntos de fusión de los componentes individuales bajo flujo hasta alcanzar una densidad de al menos el 98% de la densidad teórica, caracterizado porque la placa trasera también se prensa a partir de material de partida en polvo junto con los componentes del blanco en fracciones de polvo laminadas una encima de otra, y después se conforma.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISCOS MAGNETICOS RECUBIERTOS DE UNA PELICULA FINA Y DISCO MAGNETICO DE LA PELICULA FINA ASI OBTENIDA.

(01/02/2005). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. Inventor/es: MULLER, MANFRED, BUCHBERGER, HANS, SCHNEIDER, HANS-HERMANN, BAUR, HEINZ, LEHNERT, KARL-HEINZ, GOEDICKE, KLAUS, WINKLER, TORSTEN, JUNGHAHNEL, MICHAEL, BLUTHNER, RALF.

El proceso conocido en el que se aplica un revestimiento de base y sobre este el revestimiento magnético y finalmente un revestimiento superior, tiene la desventaja de que la resistencia a la corrosión no es adecuada: hay defectos. No es inconcebible que sea posible que el agua se difunda dentro del sustrato.De acuerdo con la invención, una capa barrera e interpone entre el sustrato y el revestimiento base chisporroteo impulsado de frecuencia media a una frecuencia de 10 a 200 kHz y una longitud de impulso para impulsar una relación de pausa de 5:1 a 1:10.La invención encuentra su aplicación preferentemente en discos magnéticos duros de alta densidad de almacenamiento.

PROCEDIMIENTO Y APARATO DE PRODUCCION DE REVESTIMIENTOS DE BAJA EMISIVIDAD A BASE DE PLATA SIN UTILIZACION DE CAPAS DE IMPRIMACION METALICAS.

(01/11/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: PPG INDUSTRIES OHIO, INC.. Inventor/es: ARBAB, MEHRAN, FINLEY, JAMES, J..

Un método de formación de un artículo revestido transparente, que comprende las etapas de: (i) depositar por pulverización una primera capa metálica reflexiva infrarroja sobre un substrato transparente ; y (ii) pulverizar un cátodo cerámico conductor en una atmósfera inerte que contiene un porcentaje bajo de oxígeno y que controla el contenido de oxígeno en dicha atmósfera que es mayor de cero hasta 20 % en volumen de oxígeno para depositar una primera capa cerámica de óxido metálico bonificado con metal sobre la primera capa metálica reflexiva infrarroja.

DIANA PARA UN DISPOSITIVO DE PULVERIZACION CON CATODO PARA LA PRODUCCION DE CAPAS DELGADAS.

(16/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: LEYBOLD SYSTEMS GMBH. Inventor/es: JUNG, MICHAEL, KREMPEL-HESSE, JORG, DR., ADAM, ROLF.

EN UNA PANTALLA PARA UN MECANISMO DE PULVERIZACION DE CATODOS PARA LA FABRICACION DE CAPAS FINAS EN UN SUSTRATO MEDIANTE PLASMA EN UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO AL VACIO, REALIZANDOSE LA PANTALLA A MODO DE PLACA, PREFERENTEMENTE DE FORMA CILINDRICA CIRCULAR O PARALELEPIPEDA Y DISPONIENDOSE EN LA CARA OPUESTA AL SUSTRATO DE LA PANTALLA UN SISTEMA MAGNETICO CON FUENTES DE DISTINTA POLARIZACION QUE FORMAN, AL MENOS, UN TUNEL CERRADO DE LINEAS DE CAMPO CURVADAS A MODO DE ARCO, SE PRACTICAN EN LA SUPERFICIE DE LA PANTALLA ORIENTADA HACIA EL SUSTRATO, UNAS RANURAS O MUESCAS FORMADAS POR DOS SECCIONES SEMICIRCULARES Y DOS SECCIONES RECTAS QUE CONSTITUYEN RESPECTIVAMENTE UNA PISTA CERRADA OVAL, DISPONIENDOSE VARIAS DE ESTAS MUESCAS CIRCULARES U OVALADAS A MODO DE PISTA CONCENTRICAMENTE LAS UNAS RESPECTO A LAS OTRAS Y LIMITANDOSE DICHAS MUESCAS POR MEDIO DE DOS SUPERFICIES INCLINADAS PLANAS (4A, 4B; 5A, 5B,...) CON INCLINACIONES IGUALES O DIFERENTES ( AL O BE ) HACIA EL PLANO DEL SUSTRATO E.

METODO DE OBTENCION DE OXIDOS CONDUCTORES ELECTRICOS Y TRANSPARENTES MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA.

(01/05/2004) Método para la obtención de óxidos conductores eléctricos y transparentes mediante pulverización catódica. Consiste en depositar óxido de indio dopado con estaño y óxido de zinc dopado con aluminio, sobre substratos de vidrio sin calentar intencionadamente, mediante la técnica de pulverización catódica. Comprende las siguientes etapas: Preparación de los substratos mediante desengrasado, lavado en baño de ultrasonidos, aclarado con agua desionizada y secado mediante chorro de aire. Introducción de los substratos a recubrir en una cámara de pulverización catódica, y bombardeo de los mismos con iones Ar{sup,+}. Preparación de blancos de óxido de indio dopado con estaño o de óxido de zinc dopado con aluminio mediante bombardeo con iones Ar{sup,+}. Recubrimiento…

SISTEMA DE PULVERIZACION QUE UTILIZA UN MAGNETRON CILINDRICO ROTATIVO ALIMENTADO ELECTRICAMENTE UTILIZANDO CORRIENTE ALTERNA.

(01/04/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: LEHAN, JOHN, BYORUM, HENRY, HILL, RUSSEL, J., ROUGH, J., KIRKWOOD.

UN SISTEMA DE DEPOSICION CATODICA CON ALIMENTACION DE CORRIENTE ALTERNA DE 10 KHZ A 100 KHZ, BASADO EN DOS MAGNETRONES CILINDRICOS GIRATORIOS . LOS MAGNETRONES CILINDRICOS GIRATORIOS , CUANDO SE UTILIZAN PARA DEPOSITAR UNA CAPA DIELECTRICA SOBRE UN SUSTRATO , ELIMINAN EL MATERIAL DIELECTRICO DEPOSITADO EN EL ANTICATODO . DE ESTE MODO SE EVITA QUE UNA CAPA DIELECTRICA SOBRE EL ANTICATODO ACTUE COMO CONDENSADOR Y SE PUEDE CONTRIBUIR A EVITAR LA FORMACION DE ARCOS ELECTRICOS. ADEMAS, ES POSIBLE INSTALAR EN SERIE UN CONDENSADOR QUE LIMITA LA IMPEDANCIA EN EL CIRCUITO ELECTRICO ENTRE LOS ANTICATODOS A TRAVES DEL TRANSFORMADOR PARA REDUCIR LA FORMACION DE ARCOS ELECTRICOS. EL VALOR DE ESTE CONDENSADOR LIMITADOR DE LA IMPEDANCIA ES MUCHO MAYOR QUE EL CONDENSADOR UTILIZADO PARA CONECTAR LA ALIMENTACION ELECTRICA AL ANTICATODO EN SISTEMAS DE DEPOSICION CATODICA DE RADIOFRECUENCIA.

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN MEDIO DE REGISTRO DE INFORMACION OPTICA Y MEDIO DE REGISTRO DE INFORMACION OPTICA PRODUCIDO POR EL PROCESO.

(16/03/2004) Un medio de registro de información óptico que puede eliminar la necesidad del procedimiento de inicialización. Se forma una capa asistida de cristalización comprendiendo un material dado sobre un sustrato sobre un lateral del mismo, y se forma una capa de registro comprendiendo la aleación de Ge-Sb-Te directamente sobre la capa . Ya que la capa de registro cristaliza inmediatamente después de la formación de la película, no es necesario el procedimiento de inicialización para el medio de registro de información óptica obtenido. Ejemplos del material de la capa asistida de cristalización incluyen primeramente materiales que tienen una estructura cristalina en el sistema de cristalización cúbico de cara centrada. Ejemplos del mismo incluye en segundo…

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