CIP 2015 : C23C 14/34 : Pulverización catódica.

CIP2015CC23C23CC23C 14/00C23C 14/34[2] › Pulverización catódica.

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K).

C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00).

C23C 14/34 · · Pulverización catódica.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Revestimiento solar selectivo mejorado de alta estabilidad térmica y proceso para su preparación.

(04/05/2016). Solicitante/s: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Inventor/es: BARSHILIA,HARISH CHANDRA.

Revestimiento solar selectivo mejorado de alta estabilidad térmica, que comprende apilamientos tándem de capas consistentes en una capa intermedia de titanio Ti o cromo seguida por una primera capa absorbedora que comprende aluminio-nitruro de titanio AlTiN, una segunda capa absorbedora que comprende aluminio-oxinitruro de titanio AlTiON depositada sobre la primera capa absorbedora y una tercera capa antirreflectante que comprende aluminio-óxido de titanio AlTiO depositada sobre la segunda capa absorbedora.

PDF original: ES-2583766_T3.pdf

Película protectora, miembro reflectante, y procedimiento de producción para película protectora.

(23/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED. Inventor/es: OKADA, NAOKO, AOMINE,NOBUTAKA, HANEKAWA,HIROSHI, KAWAHARA,HIROTOMO.

Película protectora situada sobre una parte superior de una película metálica para proteger la película metálica que está situada sobre un sustrato de vidrio, comprendiendo la película protectora: una película de sílice; en la que la película de sílice tiene un coeficiente de extinción "k" menor o igual de 1 x 10-4 y un índice de refracción "n" menor o igual de 1,466 a una longitud de onda de 632 nm, y un contenido de carbono menor o igual de un 3 % atómico.

PDF original: ES-2658046_T3.pdf

RECUBRIMIENTOS DE METAL NEGRO PLASMÓNICO FABRICADO MEDIANTE DEPOSICIÓN POR PULVERIZACIÓN CATÓDICA A INCIDENCIA RASANTE.

(05/02/2016). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GARCÍA MARTÍN,José Miguel, PALMERO ACEBEDO,Alberto, ÁLVAREZ MOLINA,Rafael.

Recubrimientos de metal negro plasmónico fabricado mediante deposición por pulverización catódica a incidencia rasante. La presente invención se refiere a materiales recubiertos donde el recubrimiento comprende nanoestructuras de un metal seleccionado de oro, plata, paladio, platino, rutenio, rodio, osmio, iridio, cobre, cromo y cualquiera de sus combinaciones, caracterizado porque más del 45% de las nanoestructuras tienen un diámetro inferior 10 a 50 nm, y la distribución de los diámetros de las nanoestructuras tiene una desviación estándar superior a 5 nm en el intervalo de 0 a 50 nm.

PDF original: ES-2558625_B1.pdf

PDF original: ES-2558625_A1.pdf

Blanco tubular.

(11/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: PLANSEE SE. Inventor/es: LINKE, CHRISTIAN, KOCK, WOLFGANG, DR., WOLF, HARTMUT, ABENTHUNG,Peter, DRONHOFER,ANDRÉ, WILL,TOBIAS.

Blanco tubular de metal refractario o una aleación de metal refractario con un contenido en metal refractario ≥ 50 % atómico que comprende al menos una sección tubular X con al menos por zonas una densidad relativa RDx y al menos una sección tubular Y con al menos por zonas una densidad relativa RDy, en el que al menos una sección tubular X presenta al menos por zonas un diámetro exterior mayor que al menos por zonas una sección tubular Y , caracterizado por que**Fórmula** ≥ 0,001.

PDF original: ES-2555876_T3.pdf

RECUBRIMIENTOS DE METAL NEGRO PLASMÓNICO FABRICADO MEDIANTE DEPOSICIÓN POR PULVERIZACIÓN CATÓDICA A INCIDENCIA RASANTE.

(07/01/2016). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GARCÍA MARTÍN,José Miguel, PALMERO ACEBEDO,Alberto, ÁLVAREZ MOLINA,Rafael.

La presente invención se refiere a materiales recubiertos donde el recubrimiento comprende nanoestructuras de un metal seleccionado de oro, plata, paladio, platino, rutenio, rodio, osmio, iridio, cobre, cromo y cualquiera de sus combinaciones, caracterizado porque más del 45% de las nanoestructuras tienen un diámetro inferior a 50 nm, y la distribución de los diámetros de las nanoestructuras tiene una desviación estándar superior a 5 nm en el intervalo de 0 a 50 nm.

Método para deposición de una capa sobre un filo de cuchilla de afeitar y cuchilla de afeitar.

(06/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: BIC VIOLEX S.A.. Inventor/es: PAPACHRISTOS,VASSILIS, KAROUSSIS,MICHALIS, PISSIMISSIS,DIMITRIS.

Un método para la deposición de una capa sobre un filo de cuchilla de afeitar de una cuchilla de afeitar, teniendo el filo de la cuchilla dos lados que convergen hacia una punta, comprendiendo dicha capa al menos dos componentes, en un recinto que comprende al menos un primer y segundo blancos de pulverización catódica, comprendiendo dichos blancos de pulverización catódica principalmente uno respectivo de dichos componentes a ser depositado en dicho filo y estando adaptados, durante la operación, para liberar dicho componente en el recinto, comprendiendo dicho método una etapa (a) en la que, con la operación de ambos blancos, la cuchilla de afeitar se mueve con relación a dicho primer y segundo blancos para pasar alternativamente en la proximidad de dicho blanco, con su punta dirigida hacia el blanco.

PDF original: ES-2565165_T3.pdf

Depósito en fase de vapor de recubrimiento por inmersión en un plasma de arco a baja presión y tratamiento iónico.

(30/12/2015) Un sistema de recubrimiento que comprende: una cámara de vacío; y un montaje de recubrimiento que incluye: una fuente de vapor que tiene una cara de objetivo con una dimensión larga de fuente de vapor y una dimensión corta de fuente de vapor; un soporte de sustrato para sostener sustratos que van a revestirse de modo que los sustratos estén posicionados en frente de la fuente de vapor, y el soporte de sustrato tiene una dimensión de soporte lineal; un ánodo remoto eléctricamente acoplado al objetivo catódico, y el ánodo remoto tiene una dimensión de ánodo remoto lineal, y la fuente de vapor tiene una dimensión de fuente de vapor lineal; un montaje de cámara catódica que incluye un objetivo catódico,…

Blanco de pulverización catódica de óxido de Sn Zn (Ga).

(16/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: Soleras Advanced Coatings bvba. Inventor/es: DE BOSSCHER, WILMERT, OBERSTE BERGHAUS,JÖRG.

Un blanco de pulverización catódica que tiene un recubrimiento de acabado de una sola pieza de una longitud de al menos 80 cm que comprende una mezcla de óxidos de cinc, estaño y opcionalmente galio, caracterizado por que la mezcla de óxidos comprende óxido de estannato de cinc y la proporción de estaño en dicha mezcla de óxidos respecto a la cantidad total de galio, cinc y estaño es de 15 a 55% en át.

PDF original: ES-2615933_T3.pdf

Guía para corredera de soporte de cabezal de impresión de impresora, procedimiento de obtención de una guía de impresora e instalación para la obtención de esta guía.

(25/11/2015) Guía para corredera de soporte de cabezal de impresión de impresora, procedimiento de obtención de una guía de impresora e instalación para la obtención de esta guía. Guía para corredera de soporte de cabezal de impresión de impresora , siendo la guía una barra alargada por cuya superficie está destinada a deslizarse la corredera , estando la barra tratada superficialmente de modo que presenta una determinada rugosidad máxima (ΔtM), que comprende un recubrimiento de carbono amorfo hidrogenado sobre su superficie, siendo el espesor (to) del recubrimiento superior a la rugosidad máxima (ΔtM). La invención…

Procedimiento para el suministro de impulsos secuenciales de potencia.

(22/04/2015) Procedimiento para el suministro de impulsos de potencia con intervalo escalable del impulso de potencia para el funcionamiento de un cátodo de atomización-PVD, comprendiendo el cátodo de atomización-PVD un primer cátodo parcial y un segundo cátodo parcial, en el que para los cátodos parciales está predeterminada una impulsión de potencia media máxima y en el que la duración de los intervalos del impulso de potencia están predeterminados y el procedimiento comprende las siguientes etapas: a) suministrar un generador con cesión de potencia predeterminada, con preferencia constante al menos después del arranque y después de la expiración de un intervalo de formación de la potencia, b) conexión del generador, c) conexión del primer cátodo parcial en el generador, de manera que el primer cátodo parcial es impulsado con potencia desde el…

Artículos con revestimiento de baja emisividad termotratables.

(22/04/2015) Un artículo revestido que comprende: un revestimiento proporcionado sobre un sustrato de vidrio , comprendiendo dicho revestimiento desde el sustrato de vidrio hacia fuera: a) al menos una capa dieléctrica ; b) una primera capa de contacto ; c) una primera capa reflectante de IR ; d) una segunda capa de contacto , dicha primera capa reflectante de IR estando en contacto con cada una de dicha primera y segunda capa de contacto; e) al menos una capa dieléctrica ; f) una tercera capa de contacto ; g) una segunda capa reflectante de IR ; h) una cuarta capa de contacto , dicha segunda capa reflectante de IR…

RECUBRIMIENTO BIOCOMPATIBLE TIPO MULTICAPA-PELICULA DELGADA COMO TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE SUSTRATOS BIOMÉDICOS Y PROCESO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.

(11/12/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL VALLE. Inventor/es: SEQUEDA OSORIO,Federico, GUTIERREZ MONTES,Jose Oscar, RUDEN MUÑOZ,Alexander.

La presente invención divulga un proceso para la fabricación de un recubrimiento multicapa-película delgada empleado en el tratamiento de sustratos biomédicos y un recubrimiento en forma de multicapa-película delgada (S/TiN/Ti/TiZr) para el tratamiento de sustratos biomédicos empleados en implantes quirúrgicos.

Artículos recubiertos termotratables de baja emisividad calorífica y procedimientos de realización de los mismos.

(27/08/2014) Producto recubierto que comprende: un sistema de capas soportado por un sustrato de cristal, comprendiendo el sistema de capas desde el sustrato hacia el exterior: una capa de nitruro de silicio SixNy enriquecido con Si en la que x/y se encuentra comprendida entre 0, 76 y 1, 5 en por lo menos una parte de la capa; una primera capa de contacto; una capa reflectora de IR.

Procedimiento para la producción de capas de óxidos metálicos de estructura predeterminada mediante vaporización por arco.

(07/05/2014) Procedimiento para la producción de capas, en particular capas estables a altas temperaturas, por medio de vaporización por arco comprendiendo óxidos ternarios y/o mayores de componentes metálicos o semimetálicos, caracterizado porque una síntesis selectiva de estructuras cristalinas deseadas de la capa se consigue determinando la temperatura de formación necesaria para la síntesis de la estructura cristalina deseada y en base al diagrama de fases determina la selección de la composición de los blancos de aleación binarios (o mayores) de tal manera que el diagrama de fases de los componentes presente en la composición seleccionada la transición de…

Artículo revestido que comprende una capa dieléctrica depositada por medio de metalizado por bombardeo atómico.

(02/04/2014) Un artículo revestido que comprende (A) un sustrato (B) una capa dieléctrica depositada, por medio de metalizado por bombardeo atómico, sobre el sustrato que comprende: (i) una primera película dieléctrica seleccionada entre óxido de cinc, óxido de silicio, óxido de estaño, nitruro de silicio, oxinitruro de silicio y estannato de cinc, que tiene cinc en un porcentaje en peso igual y mayor de 10 e igual y menor de 90 y estaño en un porcentaje en peso igual y menor de 90 e igual y mayor de 10, depositada sobre el sustrato (A) y (ii) una segunda película de mejora eléctrica depositada sobre la primera película dieléctrica (i) que es una segunda película de estannato de cinc en donde la segunda película de estannato de cinc tiene cinc dentro del intervalo del 60 al 90 por ciento en peso y estaño en el intervalo del…

Objetivo tubular.

(26/03/2014) Objetivo tubular con 1.1 un tubo soporte cilíndrico, 1.2 un objetivo cilíndrico dividido en como minimo un segmento , que está situado sobre el tubo soporte , 1.3 una capa de unión que está prevista entre el objetivo y el tubo soporte , caracterizado por que el objetivo presenta en paralelo y/u oblicuo a su eje de giro como minimo una ranura .

PROCEDIMIENTO DE DEPOSICIÓN DE NANOPARTÍCULAS METÁLICAS POR DEPOSICIÓN FÍSICA EN FASE DE VAPOR Y PROCEDIMIENTO DE GENERACIÓN DE RUGOSIDADES.

(28/02/2014) Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas por deposición física en fase de vapor y procedimiento de generación de rugosidades. Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas en todo tipo de sustratos por pulverización catódica, donde porque la deposición se realiza a una densidad de potencia entre 0.2-5 W/cm2 a una presión entre 60 y 180 Pa, en presencia de un gas noble. Gracias del procedimiento de la invención es posible depositar nanopartículas sobre cualquier tipo de substrato (polímeros, fibras, silicio...), a bajas temperaturas, en particular a temperatura ambiente, sin limitaciones en el área de deposición y sin restricciones en cuanto al tiempo en el cual se realiza el depósito. Tras la deposición, invirtiendo la polaridad, se pueden realizar rugosidades de escala nanométrica en el sustrato.

PROCEDIMIENTO DE DEPOSICIÓN DE NANOPARTÍCULAS METÁLICAS POR DEPOSICIÓN FÍSICA EN FASE DE VAPOR Y PROCEDIMIENTO DE GENERACIÓN DE RUGOSIDADES.

(06/02/2014). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Inventor/es: ECEIZA MENDIGUREN,Arantxa, FELISBERTO,Marcos, SACCO,Leandro, RUBIOLO,Gerardo, GOYANES,Silvia, KORTABARRIA ALZERREKA,Gardel, MONDRAGON EGAÑA,Iñaki.

Procedimiento de deposición de nanopartículas metálicas en todo tipo de sustratos por pulverización catódica, donde porque la deposición se realiza a una densidad de potencia entre 0.2-5 W/cm.

Procedimiento de elaboración de una diana por proyección térmica.

(06/11/2013) Procedimiento de realización de una diana por proyección térmica, por proyección por plasma por medio de unaantorcha de plasma, incluyendo dicha diana al menos un compuesto elegido entre los metales refractarios, losóxidos resistivos, los óxidos volátiles caracterizado porque se proyecta por proyección térmica sobre al menos unaporción de superficie de la diana, al menos una fracción de dicho compuesto en forma de una composición de polvode dicho compuesto, bajo atmósfera controlada, y porque se utilizan chorros enfriadores criogénicos potentesdirigidos hacia la diana durante su construcción y repartidos alrededor de la antorcha de plasma.

Proceso de metalización a vacío para cromar substratos.

(21/08/2013) Un proceso para revestir un substrato con un acabado cromado estable e uniforme, comprendiendo dicho proceso la secuencia siguiente: a) proporcionar un substrato; b) preparar una superficie de dicho substrato; c) aplicar un revestimiento de base; d) aplicar una primera capa metálica estabilizadora a dicho substrato por medio de una deposición con vapor a vacío, comprendiendo dicha primera capa metálica una mezcla de 50-80% de Níquel y 50-20% de cromo; y e) aplicar una segunda capa metálica sobre dicha primera capa metálica por medio de un método de deposición con vapor a vacío, estando dicha segunda capa metálica por aproximadamente 99% de cromo.

Procedimiento para depositar nanopartículas metálicas por depósito físico en fase vapor.

(04/06/2013) Procedimiento de depósito de nanopartículas metálicas por depósito físico en fase vapor, comprendiendo dichoprocedimiento al menos una etapa de pulverización catódica de un material diana en presencia de un gas neutro enla superficie de un sustrato, en un recinto mantenido a una presión de 15 a 60 Pa, caracterizado porque dicha etapade pulverización catódica se realiza durante un tiempo inferior a 20 segundos.

Artículo recubierto con recubrimiento de baja E con capa reflectada de IR tratada por haz de iones y procedimiento correspondiente.

(15/03/2013) Un procedimiento de fabricación de un artículo recubierto, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio; formar al menos una capa dieléctrica sobre el sustrato; formar una capa reflectante de infrarrojos (IR) que comprende plata sobre el sustrato por encima por lomenos de la primera capa dieléctrica, en el que dicha formación de la capa reflectante de IR comprende (a)depositar por pulverización catódica una porción de capa primera, o capa de siembra, que comprende plata;y ( b) usar una combinación simultánea de un haz de iones y material de plata moviéndose hacia el sustratodesde una diana de pulverización catódica para formar una porción de capa segunda inmediatamente porencima de y en contacto con la porción de capa…

Estructura de blanco de magnetrón cilíndrico y aparato para fijar dicha estructura de blanco a un husillo rotatorio.

(23/05/2012) Una estructura de blanco de magnetrón cilíndrico para su uso en un aparato, fijando dicha estructura deblanco de magnetrón cilíndrico a un husillo, estando adaptada dicha estructura de blanco de magnetrón para serrotada y utilizada para el depósito de capas pulverizadas en una diversidad de grandes sustratos, comprendiendodicho aparato: dicho miembro de husillo que incluye un eje hueco que termina en una porción de brida que tiene unasuperficie terminal, incluyendo dicha superficie terminal una junta tórica en una ranura para junta tóricacircular , teniendo dicha porción de brida un diámetro; dicha estructura de blanco cilíndrico ; y una abrazadera…

Sistema de recubirmiento por metalización por bombardeo atómico y procedimiento de revistimiento por metalización por bombardeo atómico.

(09/05/2012) Un sistema de recubrimiento por metalización por bombardeo atómico que comprende: una cámara de vacío; unos medios para generar un vacío en la cámara de vacío; un sistema de alimentación de gas acoplado a la cámara de vacío; un sistema para confinar y guiar un plasma de gas en el interior de la cámara de vacío; un conjunto objetivo de metalización por bombardeo atómico ubicado en el interior de dicha cámara, teniendo el conjunto objetivo una sección transversal externa circular o no circular definida por una superficie exterior del conjunto objetivo; un sistema de formación de plasma de gas para formar el plasma…

Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas.

(08/05/2012) Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas. La presente invención propone un método para la fabricaciónde elementos ópticos difractivos de una forma simple y económica.Este método incluye los siguientes pasos: (a) situar un substrato transparente próximo a un material blanco, ambos ubicados en elinterior de una cámara, (b) producir la vaporización o sublimación del material blanco, (c) depositar esta fase de vapor sobre elsubstrato, y (d) irradiar de forma concurrente la zona del substrato donde se produce el depósito con una distribución arbitrariade la intensidad luminosa. El depósito presenta funcionalidad óptica difractiva…

Un procedimiento para fabricar una diana de óxido mediante depósito por pulverización catódica que comprende una primera fase y una segunda fase.

(26/04/2012) Un procedimiento para fabricar una diana de 6xido mediante depósito por pulverización catódica, procedimiento que comprende las etapas de - proporcionar un soporte de diana; - aplicar una capa exterior de un material depositable por pulverización catódica sobre el mencionado soporte de diana por proyectar simultaneamente al menos un óxido y al menos un metal, capa exterior que comprende una primera fase y una segunda fase, comprendiendo la mencionada primera fase un óxido de al menos un primer metal y un segundo metal; comprendiendo la mencionada segunda fase un metal en su fase metalica, por lo que el mencionado metal en su fase metalica forma volumenes discretos situados en o entre el mencionado óxido de la mencionada primera fase, comprendiendo la mencionada…

Diana de pulverización catódica para la deposición de una película conductora transparente.

(18/04/2012) Diana de pulverización catódica que contiene un compuesto laminar hexagonal formado por óxido de indioy óxido de zinc y representado por In2O3(ZnO)m en la que m es un número entero de 2 a 7, y del 0,02 al0,2% atómico de un óxido de un tercer elemento que tiene una valencia normal de 4 o 5 más, en la que elóxido del tercer elemento es uno o más óxidos seleccionados del grupo que consiste en SnO2, CeO2, ZrO2,GeO2 y RuO2.

Método para producir capas de óxido metálico mediante vaporización por arco.

(23/03/2012) Método para producir capas de óxido por medio de PVD (iniciales en inglés de deposición física en fase vapor), en particular por medio vaporización por arco catódico, en el cual se vaporiza un blanco metalúrgico en polvo, caracterizado porque, por deposición de una capa de óxido con una composición que está fuera de una composición en la cual los constituyentes metálicos o semi-metálicos, respecto al diagrama de fases, no cruza ningún límite de fase de fases puramente sólidas durante la transición de temperatura ambiente a la fase líquida durante el calentamiento, el blanco metalúrgico en polvo está formado por al menos dos componentes, un primer componente que tiene una primera composición de constituyentes metálicos o semi-metálicos, en la cual…

SUSTRATO CON UNA CAPA DE ORO (111) Y PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION.

(21/10/2010) Substrato con una capa de oro y procedimiento para su preparación. Un substrato con un punto de fusión comprendido entre 1300ºC y 1600ºC con una capa de micromonocristales de oro , dichos micromonocristales presentan terrazas con una área comprendida entre 1.5-10.0 micras al cuadrado y una rugosidad menor que 1 A. Este substrato se fabrica por un procedimiento de preparación que comprende las etapas de deposición de una capa de oro esputerizado y un tratamiento térmico del oro depositado. Los substratos son útiles como soportes para microscopia, como biosensores y como electrodos

LENTE DE BASE POLIMERICA QUE COMPRENDE UNA CAPA ENDURECEDORA, UNA CAPA ABSORBENTE Y MULTICAPA INTERFERENCIAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION CORRESPONDIENTE.

(08/07/2010) Lente de base polimérica que comprende una capa endurecedora, una capa absorbente y multicapa interferencial y procedimiento de fabricación correspondiente. Lente de base polimérica que comprende una capa endurecedora (L), una multicapa interferencial (I) y una capa absorbente (A) intercalada entre ambas. La capa absorbente (A) está formada a partir de un metal, óxido o nitruro de metal, apto para generar una capa transparente mediante una deposición por sputtering, y comprende, adicionalmente, cationes de un metal colorante del grupo formado por aquellos elementos de transición que, en forma oxidada, presenten un…

DISPOSITIVO DE ALIMENTACION DE PIEZAS DE TRABAJO PARA DISPOSITIVO DE LABRADO POR HAZ ELECTRONICO.

(16/06/2007) Dispositivo para labrar una pieza de trabajo con un haz electrónico, con al menos un cañón de haz electrónico , y un dispositivo de alimentación de piezas de trabajo, que está previsto con una cámara de vacío , que presenta al menos una conexión para cada cañón de haz electrónico y al menos una abertura de carga/descarga (3; 3a, 3b), al menos dos dispositivos de sujeción de piezas de trabajo , un dispositivo de movimiento para mover cada uno de los dispositivos de sujeción de piezas de trabajo hasta una posición de carga/descarga correspondiente en al menos una abertura de carga/descarga (3; 3a, 3b) y una posición de labrado en al menos una conexión para el cañón de haz electrónico , y en cada caso un dispositivo de esclusa de piezas de trabajo en cada abertura…

UNA PELICULA DURA PARA HERRAMIENTAS DE CORTE.

(16/05/2007). Solicitante/s: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO. Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., SATOU, TOSHIKI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., MORIKAWA, YASUOMI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., HANAGURI, KOJI, TAKASAGO WORKS IN, TAKAHARA, KAZUKI, TAKASAGO WORKS IN.

Una película dura para herramientas de corte que se compone de (Ti1-a-b-c-d, Ala, Crb, Sic, Bd)(C1-eNe) 0, 5 = a = 0, 8, 0, 06 = b, 0 = c = 0, 1, 0 = d = 0, 1, 0, 01 = c+d = 0, 1, a+b+c+d < 1, 0, 5 = e = 1 (donde a, b, c, y d denotan respectivamente las relacio- nes atómicas de Al, Cr, Si, y B, y e denota la relación atómica de N).

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