CIP 2015 : H05H 1/00 : Producción del plasma; Manipulación del plasma (aplicación de la técnica del plasma a reactores de fusión termonuclear G21B 1/00).

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H05H 1/02 · Disposiciones para confinar el plasma por medio de campos eléctricos o magnéticos; Disposiciones para calentar el plasma (óptica electrónica H01J).

H05H 1/03 · · utilizando campos electrostáticos.

H05H 1/04 · · utilizando campos magnéticos sustancialmente generados por la descarga en el plasma.

H05H 1/06 · · · Dispositivos de retención longitudinal.

H05H 1/08 · · · Dispositivos de retención theta.

H05H 1/10 · · utilizando solamente campos magnéticos aplicados.

H05H 1/11 · · · utilizando una configuración en aguja (H05H 1/14 tiene prioridad).

H05H 1/12 · · · en donde el recinto forma un bucle cerrado.

H05H 1/14 · · · en donde el recinto es recto y tiene un espejo magnético.

H05H 1/16 · · utilizando campos eléctricos o magnéticos.

H05H 1/18 · · · en donde los campos oscilan a muy altas frecuencias, p. ej. en la banda de microondas.

H05H 1/20 · · Calefacción óhmica.

H05H 1/22 · · para calefacción por inyección.

H05H 1/24 · Producción del plasma.

H05H 1/26 · · Antorchas de plasma.

H05H 1/28 · · · Disposiciones para el enfriamiento.

H05H 1/30 · · · utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas (H05H 1/28 tiene prioridad).

H05H 1/32 · · · utilizando un arco (H05H 1/28 tiene prioridad).

H05H 1/34 · · · · Detalles, p. ej. electrodos, toberas.

H05H 1/36 · · · · · Disposiciones de circuitos (H05H 1/38, H05H 1/40 tienen prioridad).

H05H 1/38 · · · · · Guiado o centrado de electrodos.

H05H 1/40 · · · · · utilizando campos magnéticos aplicados, p. ej. para enfocar o para hacer girar el arco.

H05H 1/42 · · · · con disposiciones para la introducción de materiales en el plasma, p. ej. polvo, líquido (pulverización electrostática, aparatos de pulverización con medios para cargar eléctricamente el pulverizante B05B 5/00).

H05H 1/44 · · · · utilizando varias antorchas.

H05H 1/46 · · utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas (H05H 1/26 tiene prioridad).

H05H 1/48 · · utilizando un arco (H05H 1/26 tiene prioridad).

H05H 1/50 · · · y utilizando campos magnéticos aplicados, p. ej. para enfocar o para hacer girar el arco.

H05H 1/52 · · utilizando hilos explosivos o espinterómetros (H05H 1/26 tiene prioridad; espinterómetros en general H01T).

H05H 1/54 · Aceleradores de plasma.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Aparato de esterilización por plasma que produce radicales hidroxilo.

(27/01/2016) Aparato de esterilizacion que comprende un aplicador que tiene un zona de generacion de radicales hidroxilo y una salida para dirigir los radicales hidroxilo generados fuera de la zona de generacion de radicales hidroxilo hacia una zona a esterilizar; un recinto para confinar los radicales hidroxilo en la zona a esterilizar; un generador de potencia conectado para suministrar energia de microondas o de RF en la zona de generacion de radicales hidroxilo; y un generador de neblina conectado para suministrar agua nebulizada en la zona de generacion de radicales hidroxilo, caracterizado por que: el aplicador comprende un conjunto coaxial conectado para recibir la energia de microondas o de RF procedente del generador de potencia, teniendo el conjunto coaxial: un conductor externo…

Sistema de esterilización por plasma mediante microondas y aplicadores para el mismo.

(14/01/2016) Aparato de esterilización por plasma que comprende: una pluralidad de aplicadores coaxiales , teniendo cada uno de la pluralidad de aplicadores coaxiales una región de generación de plasma encerrada y una salida para dirigir el plasma fuera de la región de generación de plasma hacia una superficie a esterilizar; un generador de radiación de microondas conectado para suministrar energía de microondas; un divisor de potencia conectado para dividir la energía de microondas procedente del generador de microondas entre la pluralidad de aplicadores de plasma coaxiales , comprendiendo el generador de radiación de microondas un controlador dispuesto de manera ajustable para controlar la…

PROCEDIMIENTO Y REACTOR PARA LA OBTENCIÓN DE NANOPARTÍCULAS.

(25/06/2012) Procedimiento y reactor para la obtención de nanopartículas. Se usa el reactor de plasma de la Fig.1, que tiene una cámara de vacío 3, una cámara de plasma 4 provista de un cátodo, un canal de recolección 5 cuyas paredes actúan como ánodo, una entrada de gases 1 a la cámara de vacío 3, y una entrada de gases 2 a la cámara de plasma 4. Se realiza el vacío deseado, se inicia la excitación del plasma y se modula con pulsos rectangulares, se introduce silano diluido en argón, sincronizando el flujo del gas de arrastre con la modulación de plasma de manera que la presión total sea constante, y finalmente se recolectan las nanopartículas.…

SOPLETE DE PLASMA.

(16/06/1999) LA ANTORCHA DE VAPOR/PLASMA DE ARCO ELECTRICO TIENE UN ALOJAMIENTO QUE ACOMODA COAXIALMENTE DISPUESTOS EN EL MISMO UN ANODO DE BOQUILLA Y UN CATODO HECHO DE FORMA RAPIDA EN UN DISPOSITIVO DE SUJECION. EL ALOJAMIENTO COMUNICA, POR MEDIO DE UN CONECTOR DE TUBO LLENO CON UN MATERIAL POROSO CONDUCTOR DEL CALOR, CON UN CONTENEDOR. EL CONTENEDOR ESTA LLENO CON UN MATERIAL ABSORBENTE DE LA HUMEDAD QUE CIRCUNDA UN TUBO QUE CORRE A TRAVES DEL MISMO Y ESTA HECHO DE UN MATERIAL CONDUCTOR DEL CALOR. EL TUBO TIENE UNA PESTAÑA EN SU EXTREMO QUE MIRA HACIA EL ANODO DE LA BOQUILLA. LA PESTAÑA ESTA PROVISTA DE CONDUCTOS SOBRE SU SUPERFICIE DEL EXTREMO QUE MIRA HACIA EL ANODO DE LA BOQUILLA. EL DISPOSITIVO DE SUJECION DEL CATODO SE ACOMODA EN EL TUBO Y ESTA ELECTRICAMENTE AISLADO DEL MISMO. UN MANGUITO HECHO DE MATERIAL CONDUCTOR DEL CALOR SE INTERPONE ENTRE EL ANODO…

METODO Y APARATO PARA DETERMINAR PARAMETROS ABSOLUTOS DE PLASMA.

(01/01/1998). Solicitante/s: ADOLF-SLABY-INSTITUT , FORSCHUNGSGESELLSCHAFT FUR PLASMATECHNOLOGIE, UND MIKROSTRUKTURIERUNG MBH. Inventor/es: KLICK, MICHAEL, DR.

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO Y APARATO PARA DETERMINAR PARAMETROS ABSOLUTOS DE PLASMA EN PLASMAS DE BAJA PRESION DE RADIOFRECUENCIA (RF) NO SIMETRICA. DE ACUERDO CON EL METODO DE LA PRESENTE INVENCION, LA CORRIENTE DE DESCARGA DE RADIOFRECUENCIA GENERADA EN UN REACTOR DE PLASMA SE MIDE EN FORMA DE SEÑALES ANALOGICAS EN UNA PORCION DEL REACTOR QUE ACTUA COMO ELECTRODO DE TIERRA, LAS SEÑALES ANALOGICAS SE CONVIERTEN EN SEÑALES DIGITALES Y LOS PARAMETROS DE PLASMA DESEADOS SE EVALUAN DESDE LAS SEÑALES DIGITALES POR MEDIO DE UN ALGORITMO MATEMATICO. EL APARATO DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION COMPRENDE UN ELECTRODO DE MEDIDA QUE ESTA COLOCADO DE FORMA AISLADA EN UN REBORDE O RECESO DE LA PARED DEL REACTOR QUE ACTUA AL MENOS COMO UNA PARTE DEL ELECTRODO DE TIERRA. LA INVENCION PUEDE UTILIZARSE CON RESPECTO A UN ATAQUE QUIMICO DE PLASMA EN EL CAMPO TECNICO DE LA TECNOLOGIA SEMICONDUCTORA.

COPIADORA DE CORTE POR PLASMA PERFECCIONADA.

(01/12/1992). Solicitante/s: TEJIDOS METALICOS E INSTALACIONES, S.A. Inventor/es: SECO GARCIA, TOMAS.

COPIADORA DE CORTE POR PLASMA PERFECCIONADA, QUE SIENDO DEL TIPO DE LAS QUE INCORPORAN UN CUERPO BASE EN EL QUE SE DEFINE UNA PLATAFORMA SUPERIOR ADECUADAMENTE SOBREELEVADA PARA DEFINIR UN OPTIMO NIVEL DE TRABAJO PARA EL EQUIPO DE CORTE, EL CUAL ES CAPAZ DE DESPLAZARSE LIBREMENTE DENTRO DE UN IMAGINARIO PLANO VERTICAL, ACCIONADO MANUALMENTE Y CON EL CONCURSO DE UNA PLANTILLA, ESENCIALMENTE SE CARACTERIZA PORQUE EL SOPORTE PARA EL CITADO EQUIPO DE CORTE ESTA DOTADO DE MEDIOS DE FIJACION, CON CARACTER AMOVIBLE, PARA CUALQUIER EQUIPO DE CORTE CONVENCIONAL SUSCEPTIBLE DE TRABAJAR CONJUNTA E INDEPENDIENTEMENTE CON LA COPIADORA, HABIENDOSE PREVISTO QUE A TAL EFECTO DICHO SOPORTE INCORPORE UN ALOJAMIENTO DE IMPLANTACION PARA EL EQUIPO DE CORTE Y DE FIJACION CON LA COLABORACION DE UN PRISIONERO U OTRO ELEMENTO DE APRIETE SIMILAR.

PROCEDIMIENTO E INSTALACION PARA TRATAR LA SUPERFICIE DE OBJETOS.

(16/11/1991). Solicitante/s: J. REYDEL S.A. Inventor/es: DESSAUX, ODILE, MUTEL, BRIGITTE, SZARZYNSKI, STEPHAN.

EL PROCEDIMIENTO PERMITE TRATAR LA SUPERFICIE DE OBJETOS DE MATERIA PLASTICA A FIN DE DEVOLVERLE ADHERENCIA FRENTE A UN REVESTIMIENTO DE POLIMERO. SE COLOCAN DICHOS OBJETOS EN UNA CAMARA EN LA QUE SE FORMA UN PLASMA DE NITROGENO POR DESCARGA DE MICROONDAS, QUE CONTIENE ESENCIALMENTE ATOMOS DE NITROGENO Y MOLECULAS DE NITROGENO ESCITADOS Y SENSIBLEMENTE DESPROVISTO DE IONES Y ELECTRONES LIBRES. APLICACION A LOS TRATAMIENTOS DE SUPERFICIE POR PLASMA.