CIP-2021 : H01L 21/00 : Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

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H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.

Notas^[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02 - H01L 21/67 .

H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.

H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.

H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.

H01L 21/06 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.

H01L 21/08 · · · · Preparación de la placa de soporte.

H01L 21/10 · · · · Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.

H01L 21/103 · · · · · Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.

H01L 21/105 · · · · · Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.

H01L 21/108 · · · · · Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.

H01L 21/12 · · · · Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.

H01L 21/14 · · · · Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.

H01L 21/145 · · · · · Envejecimiento.

H01L 21/16 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.

H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A _III B _V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.

Notas^[n] de H01L 21/18:
El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A _III B _V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado

H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.

H01L 21/205 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.

H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/228 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/26 · · · · Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.

H01L 21/261 · · · · · para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.

H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).

H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.

H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/28 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.

H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/288 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/30 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).

H01L 21/301 · · · · · para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).

H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.

H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.

H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.

H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).

H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.

H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.

H01L 21/3115 · · · · · · · Dopado de las capas aislantes.

H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/314 · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.

H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.

H01L 21/3215 · · · · · · · · Dopado de las capas.

H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.

H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).

H01L 21/326 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).

H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.

H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.

H01L 21/33 · · · · · teniendo los dispositivos tres o más electrodos.

H01L 21/331 · · · · · · Transistores.

H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.

H01L 21/334 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.

H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.

H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.

H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.

H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.

H01L 21/339 · · · · · Dispositivos de transferencia de carga.

H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.

H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.

H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/38 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.

H01L 21/383 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/385 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/388 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/40 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/42 · · · · Bombardeo por radiaciones.

H01L 21/423 · · · · · por radiaciones de energía elevada.

H01L 21/425 · · · · · · que producen una implantación de iones.

H01L 21/426 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/428 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/44 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.

H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/445 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/447 · · · · · que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/449 · · · · · que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/46 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).

H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/463 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.

H01L 21/465 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).

H01L 21/467 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/469 · · · · · · para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.

H01L 21/47 · · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/471 · · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.

H01L 21/475 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/4757 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/4763 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/477 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).

H01L 21/479 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).

H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/50 · · · Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/52 · · · · Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.

H01L 21/54 · · · · Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.

H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.

H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.

H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

H01L 21/603 · · · · · implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/607 · · · · · implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/62 · · los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.

H01L 21/64 · Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.

H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.

H01L 21/67 · Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.

H01L 21/673 · · que utilizan portadores especialmente adaptados.

H01L 21/677 · · para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.

H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.

H01L 21/683 · · para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).

H01L 21/687 · · · que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.

H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).

H01L 21/71 · · Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).

H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.

H01L 21/76 · · · Realización de regiones aislantes entre los componentes.

H01L 21/761 · · · · Uniones PN.

H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.

H01L 21/763 · · · · Regiones semiconductoras policristalinas.

H01L 21/764 · · · · Espacios de aire.

H01L 21/765 · · · · por efecto de campo.

H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.

H01L 21/77 · · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común (memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM o sus procesos de fabricación multi-etapa H01L 27/115).

H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).

H01L 21/782 · · · · para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).

H01L 21/784 · · · · · siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.

H01L 21/786 · · · · · siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.

H01L 21/822 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8222 · · · · · · Tecnología bipolar.

H01L 21/8224 · · · · · · · que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.

H01L 21/8226 · · · · · · · que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.

H01L 21/8228 · · · · · · · Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.

H01L 21/8229 · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8232 · · · · · · Tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8234 · · · · · · · Tecnología MIS.

H01L 21/8236 · · · · · · · · Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.

H01L 21/8238 · · · · · · · · Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.

H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).

H01L 21/8244 · · · · · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).

H01L 21/8246 · · · · · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).

H01L 21/8248 · · · · · · Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8249 · · · · · · · Tecnología bipolar y MOS.

H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8254 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8256 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 o H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8258 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 o H01L 21/8256.

H01L 21/84 · · · · · siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/86 · · · · · · siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..

H01L 21/98 · · Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable.

(01/07/2020) Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo de fijación a una temperatura de medición predeterminada por medio de un dispositivo calefactor eléctrico (HE) con una potencia calefactora (PW) predeterminada y un dispositivo de refrigeración (11a, 11b, 11c), mediante el que se conduce un fluido (F) para la refrigeración, con una potencia de refrigeración (PK) predeterminada; colocación del lado posterior (R) de una oblea de semiconductor en un lado de apoyo (AF) del dispositivo de fijación atemperable ; posado de una tarjeta de sondas (7', 7a) en el lado frontal (O) de la oblea de semiconductor ; realización…

Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad.

(05/11/2019) Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer sustrato plano; al menos dos electrodos coplanarios dispuestos sobre la primera superficie plana del primer sustrato plano; una capa dieléctrica , teniendo la capa dieléctrica unas superficies planas primera y segunda opuestas, estando la segunda superficie de la capa dieléctrica próxima a y en un mismo plano con la primera superficie del primer sustrato plano, estando la capa dieléctrica compuesta de material dieléctrico; un primer pocillo de reacción (10A) y un segundo pocillo de reacción…

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones.

(08/03/2019) Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: • proporcionar una base de carrusel que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje de carrusel (A20); • proporcionar a lo largo de la periferia de y sobre dicha base de carrusel al menos dos soportes (22; 22a) planetarios, cada uno que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje planetario (A22; A22a) paralelo a dicho eje de carrusel; • generar una nube (CL; BI; BPL; PL) que comprenda iones y que tenga, considerado en un plano transversal perpendicular a dicho carrusel y dichos ejes planetarios, un eje…

Método mejorado para el grabado de microestructuras.

(03/10/2018). Solicitante/s: Memsstar Limited. Inventor/es: O\'HARA,Anthony, LEAVY,MICHAEL, PRINGLE,GRAEME, MCKIE,ANTHONY.

Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: a) transformar un material de grabado dentro de una cámara sellada desde un primer estado en un vapor de material de grabado; b) emplear un gas portador para la cámara sellada para transportar el vapor de material de grabado desde la cámara sellada y a continuación, suministrar el vapor de material de grabado a la cámara de proceso ; y c) controlar la cantidad de vapor de material de grabado dentro de la cámara de proceso controlando la velocidad de bombeo de vacío desde la cámara de proceso , caracterizado por que se selecciona una velocidad a la cual se suministra el vapor de material de grabado a la cámara de proceso en respuesta a una velocidad de grabado deseada y una velocidad de retirada del vapor de material de grabado desde la cámara de proceso.

PDF original: ES-2684551_T3.pdf

MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO.

(25/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA. Inventor/es: HÄBERLE TAPIA,Patricio, ORELLANA GÓMEZ,Christian.

Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico ; - incorporar dichas dos láminas de cobre al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio ; - calentar las dos láminas de cobre mediante un calentador por inducción electromagnética a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior de dicha cámara cilíndrica de vidrio ; - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre ; - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas.

(19/07/2017). Solicitante/s: BIOARRAY SOLUTIONS LTD. Inventor/es: BANERJEE, SUKANTA, SEUL, MICHAEL, HUANG,HUI, HONG,YE, CHAU,CHIU WO, YANG,JIACHENG.

Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas respectivas situadas sobre el mismo y que tiene límites de separación entre dichas regiones de chip delineadas, en el que dicha al menos una matriz de perlas comprende un conjunto de perlas biofuncionalizadas aseguradas sobre la superficie del sustrato de oblea de semiconductor (L1) mediante estructuras superficiales elevadas o rebajadas, y en el que las perlas biofuncionalizadas están ópticamente codificadas, en el que las estructuras superficiales elevadas o rebajadas están dimensionadas cada una para acomodar no más de una perla.

PDF original: ES-2649962_T3.pdf

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.

(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada; un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ; una capa de ánodo para recolectar agujeros; una capa de cátodo para recolectar electrones; en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos.

(12/10/2016). Solicitante/s: H.E.F. Inventor/es: POIRSON, JEAN-MARC, FOUREZON,GILLES.

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes módulos (M) son idénticos e independientes, - los diferentes módulos están yuxtapuestos y alineados de tal modo que están en comunicación, - cada módulo se compone de dos niveles superpuestos y alineados, - uno de los niveles (A) de cada módulo presenta una cámara de tratamiento en vacío (C), - el otro nivel (B) de cada módulo sirve como cámara de transferencia y presenta unos medios de transferencia de un sustrato hacia una de las diferentes cámaras o desde una cámara hacia otra cámara, situada o aguas abajo o aguas arriba, o situada directamente al lado o separada por al menos un módulo, - los medios de transferencia están destinados para permitir, mientras que un sustrato se encuentra en una cámara de tratamiento, la transferencia de otro sustrato hacia otra cámara para someterlo a otro tratamiento.

PDF original: ES-2601388_T3.pdf

Método para lavar y/o secar una cámara de replicación electroquímica de modelos (ECPR), y mandriles y conjuntos de mandril correspondientes.

(08/06/2016). Solicitante/s: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Inventor/es: MÖLLER,PATRIK, FREDENBERG,MIKAEL, LINDGREN,LENNART, SVENSSON,STEFAN, CHAUVET,JEAN-MICHEL, SANTOS,ANTONIO.

Un mandril destinado a asegurar un sustrato o un electrodo maestro durante un proceso de replicación electroquímica de modelos (ECPR), que comprende una superficie de interacción con un electrodo maestro o un sustrato; medios de aseguramiento para asegurar el sustrato o el electrodo maestro en dicha superficie de interacción ; una superficie de mandril que rodea circularmente a la superficie de interacción ; y al menos una entrada de secado o lavado y al menos una salida de secado o lavado en dicha superficie de mandril, estando posicionadas dicha al menos una entrada de secado o lavado y dicha al menos una salida de secado o lavado , una en relación con otra, en lados opuestos de la superficie de interacción.

PDF original: ES-2590130_T3.pdf

Dispositivo de procesamiento y procedimiento para procesar productos de procesamiento apilados.

(13/04/2016) Dispositivo de procesamiento para procesar productos de procesamiento apilados con una cámara de procesamiento evacuable para recibir un gas de proceso , que comprende un dispositivo de templado , para mantener por lo menos una región parcial de una pared de la cámara de procesamiento a una temperatura predeterminada, un dispositivo de transporte de gas para crear un circuito de flujo de gas en la cámara de procesamiento mediante convección forzada, un dispositivo de calentamiento dispuesto en el circuito de flujo de gas creado por el dispositivo de transporte de gas para calentar el gas, y un dispositivo de guiado de gas , que está diseñado para recibir el apilamiento de productos de procesamiento y está dispuesto en la cámara de procesamiento de modo que por…

Dispositivo óptico para lámpara basada en LED.

(10/06/2015) Un dispositivo óptico para distribuir emisiones radiantes de un emisor de luz, comprendiendo el dispositivo óptico: una sección de transferencia ; y una sección de eyección situada sobre la sección de transferencia , pudiendo dicha sección de transferencia accionarse para su colocación sobre un emisor de luz y accionarse para transferir una emisión radiante desde dicho emisor de luz a dicha sección de eyección , estando dicha sección de eyección conformada de tal modo que la emisión se redistribuye externamente en un ángulo sólido, caracterizado porque dicha sección de eyección tiene una superficie…

Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.

(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende: dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor , siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga; estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.

(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes: formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ; formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ; atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ; eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y atacar químicamente tres de dichas cuatro…

Control del comportamiento electromecánico de estructuras en un dispositivo de sistemas microelectromecánicos.

(17/09/2014) Un aparato de MEMS, que comprende: un sustrato ; un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato ; una capa transparente , estando ubicada la capa transparente sobre el electrodo , y comprendiendo la capa transparente SiO2; una capa de captura de carga, estando ubicada la capa de captura de carga sobre la capa transparente e incluye un material que tiene una densidad de captura de carga para manipular la acumulación de la carga sobre la capa transparente , y en el que la capa de captura de carga sirve de capa barrera de ataque químico y es resistente a XeF2; un…

Sistema de bobinas parciales para la simulación de bobinas circulares para dispositivos de vacío.

(23/04/2014) Cámara de tratamiento por vacío con disposición de bobinas para crear un campo magnético en la cámara en donde la disposición de bobinas comprende como mínimo una primera bobina parcial y una segunda bobina parcial, en donde la primera bobina parcial y la segunda bobina parcial se encuentran en sección transversal una junto a otra, preferentemente en un plano, de tal manera que como mínimo cada una zona parcial de la primera bobina sigue esencialmente el trayecto de una zona parcial de la segunda bobina, en donde la distancia de la primera zona parcial a la segunda zona parcial es como mínimo un tamaño aproximado menor que la sección transversal de una bobina parcial y en…

Deposición química en fase vapor a presión atmosférica.

(05/03/2014) Un procedimiento para revestir un sustrato a presión atmosférica, que comprende las etapas de: mezclar una masa controlada de material semiconductor y una corriente de gas inerte; vaporizar el material semiconductor a presión sustancialmente atmosférica calentando la mezcla de material semiconductor y corriente de gas inerte para crear una mezcla fluida que tiene una temperatura por encima de la temperatura de condensación del material semiconductor; dirigir la mezcla fluida a sustancialmente la presión atmosférica sobre el sustrato que tiene una temperatura por debajo de la temperatura de condensación del material semiconductor; y depositar una capa del material semiconductor sobre una superficie del sustrato.

Dispositivo y procedimiento de texturización mecánica de una oblea de silicio destinada a constituir una célula fotovoltaica.

(19/02/2014) Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad de puntas de carburo de tungsteno y un soporte que comprende una pluralidad de alojamientos adaptados cada uno para alojar con deslizamiento una punta de carburo de tungsteno y medios para mantener apoyada cada una de la pluralidad de puntas contra la oblea de silicio según una fuerza constante independiente de las variaciones de grosor de dicha oblea.

Aparato de tratamiento en vacío.

(11/12/2013) Un aparato de tratamiento en vacío que comprende: • un recipiente de tratamiento en vacío , que comprende un elemento de bloqueo de carga entre uninterior (i) de dicho recipiente y un exterior (e) de dicho recipiente , de tal manera que dichoelemento de bloqueo de carga comprende una disposición de válvula externa (1a, 1b) entre uncompartimiento de dicho elemento de bloqueo de carga y dicho exterior (e), y una disposición de válvulainterna entre dicho compartimiento y el resto de dicho interior (i), de tal modo que dicho elemento debloqueo de carga se ha concebido como un elemento de bloqueo de carga en ambos sentidos, obidireccional,…

Conjunto de laminación.

(30/10/2013) Un conjunto de soporte para el alojamiento temporal de uno o más laminados de células solares mientrasdichos laminados solares son transportados a través de una planta de laminación, comprendiendo dicholaminado de células solares: una capa de células solares de material de silicio, una capa de encapsulación superior y una inferior dematerial de EVA que cubren la parte superior y la parte inferior de dicha capa de células solares, una capa de protección superior e inferior que cubren dichas capas de encapsulación superior e inferior,respectivamente, teniendo dicha capa de encapsulación una temperatura de fusión específica y unatemperatura de curado específica, siendo dicha temperatura de fusión inferior a dicha temperatura de curado, ycomprendiendo dicho conjunto de soporte: una carcasa de soporte de…

Procedimiento para la fabricación de un elemento de construcción semiconductor con una zona superficial dopada selectivamente empleando difusión por fuera y correspondiente elemento de construcción semiconductor.

(29/10/2013) Procedimiento para fabricar un elemento de construcción semiconductor con una zona superficial dopada selectivamente, que presenta: Preparar un substrato portador semiconductor dopado ; Producir una capa de separación en una superficie del substrato portador semiconductor; Precipitar una capa semiconductora dopada sobre la capa de separación; Disolver la capa semiconductora dopada del substrato portador semiconductor; en el cual los parámetros de proceso, que comprenden al menos un parámetro del grupo temperatura de proceso, desarrollo de la temperatura de proceso y duración del proceso, se eligen de manera que mediante difusión de cuerpo sólido dopantes de la capa de separación se difunden en la capa semiconductora precipitada,…

Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de substratos.

(24/10/2013) Procedimiento para el tratamiento de substratos, particularmente para la fabricación de módulos fotovoltaicos, dondeen una etapa del procedimiento se eliminan capas resistentes de los substratos mediante pulverizaciones ohumedecimiento con ayuda de una solución de proceso introducida en un ciclo, donde los substratos en primerlugar se humedecen o rocían en un módulo de extracción principal y luego en un módulo de extracción sucesivo con la solución de proceso y la solución de proceso se acumula en recipientes bajo de los módulos, donde para elmódulo de extracción principal y el módulo de post-extracción o sucesivo respectivamente al menos se prevé unrecipiente…

Un material dieléctrico artificial y un procedimiento de fabricación del mismo.

(21/06/2013) Un material dieléctrico artificial que comprende: una pluralidad de partículas adheridas juntas, comprendiendo la pluralidad de partículas un material dieléctrico;yal menos una fibra conductora incorporada en cada partícula de la pluralidad de partículas; caracterizado porque cada partícula de la pluralidad de partículas comprende una matriz de fibras conductoras .

Procedimiento e instalación de puesta al desnudo de la superficie de un circuito integrado.

(03/06/2013) Procedimiento de puesta al desnudo de un circuito integrado por ablación de una envoltura de polímero querecubre inicialmente el circuito integrado, caracterizado por el hecho de que comprende una aplicacióncombinada de una radiación láser y de un plasma sobre la envoltura que recubre inicialmente el circuitointegrado, realizándose la aplicación co 5 mbinada en un mismo recinto .

Procedimiento de evaluación del envejecimiento de un conjunto electrónico.

(02/04/2013) Procedimiento de evaluación del envejecimiento por fatiga a vibración de un conjunto electrónico, en el que- se miden una o varias magnitudes cinemáticas en uno o varios puntos particulares que experimentan elmovimiento vibratorio, caracterizado porque: - se establece un modelo dinámico que relaciona las magnitudes cinemáticas medidas y unas tensionesmecánicas experimentadas en unos puntos críticos con relación a la fatiga a vibración, denominándose estemodelo observador de estado, - se infiere de las tensiones mecánicas calculadas según el observador de estado un estado de daño decada uno de los puntos críticos, estados de daño que caracterizan el envejecimiento que se persigue, - se integra la cadena medidas cinemáticas - observador de estado - cálculo de los estados de daño en undispositivo…

Aparato de procesamiento húmedo usando un menisco de fluído.

(23/01/2013) Un aparato para realizar un proceso de menisco de fluido sobre un objeto , teniendo el objeto una primerasuperficie y una segunda superficie, que comprende: (a) por lo menos un depósito de contención que contiene un fluido que forma un menisco de fluido (b) un accesorio de sujeción para sujetar el objeto de tal modo que por lo menos una porción del meniscode fluido está en contacto con y se transfiere a por lo menos una porción de la segunda superficie del objeto; y (c) un elemento de interacción de fluido configurado para interactuar con la por lo menosuna porción del menisco de fluido que se transfirió a la segunda superficie; caracterizado porque el elemento de interacción de fluido está configurado para proporcionar un gas sobrepor lo menos una porción de la primera superficie del…

Tarjeta de transacción de carbono.

(16/01/2013) Una tarjeta de transacción, que comprende: una lámina sustancialmente plana que tiene una superficie frontal , una superficie trasera y un bordeperiférico continuo ; una banda magnética , en la superficie trasera, almacenando la banda magnética información que es legible porun lector magnético, comprendiendo la información una serie de dígitos a partir 5 de los cuales el lector de tarjetasmagnéticas puede obtener información acerca de una cuenta asociada con la tarjeta o de un titular de la tarjeta;en la que al menos una porción de la lámina plana es de carbono; caracterizada porque la superficie frontal incluye bandas entrelazadas de cadenas repetidas de las palabras "BLACK CARD" todo en letrasmayúsculas, lo que proporciona a la superficie…

Procedimiento y dispositivo para romper discos de semiconductores o sustratos similares.

(03/05/2012) Procedimiento para romper discos u obleas de semiconductores, así como láminas de cerámica y vidrio, o sustratos similares, a lo largo de líneas de rotura controlada que se extienden de forma rectilínea y están marcadas con una ligera incisión en la cara superior del disco semiconductor, utilizando una cuña de rotura dispuesta en la cara inferior del disco semiconductor o similar de forma alineada con la correspondiente línea de rotura controlada y al menos un contrasoporte que se apoya en la cara superior del disco semiconductor o similar y provoca una contrapresión en el momento en el que la cuña presiona contra la cara inferior del…

Fuente de luz de estado sólido de alta eficacia y métodos de uso y fabricación.

(04/04/2012) Un sistema para inducir una transformación de material predeterminada en un material diana predeterminado, comprendiendo el sistema: - un sustrato acoplado termicamente a un disipador de calor y circuito excitador para proporcionar potencia a una disposición de dispositivos que emiten luz de estado sólido dispuesta superficialmente sobre el sustrato, produciendo el sistema una densidad de potencia de salida de la luz de al menos aproximadamente 50 mW/cm2 caracterizado por que el sistema es capaz de producir luz en una longitud de onda menor que aproximadamente 425 nm y el sistema comprende ademas al menos un elemento óptico que incluye una disposición de microlente reflectiva, refractiva o difractiva que colima la salida de la luz.

Procedimiento de desmontaje de obleas, dispositivo de desmontaje de obleas, y máquina de desmontaje y transferencia de obleas.

(28/03/2012) Procedimiento de liberación de obleas en el cual se libera la oblea más superior de un laminado de oblea obtenido por laminado de muchas o una pluralidad de obleas, que comprende las etapas de: presionar la oblea más superior a lo largo de una dirección de un eje desplazado un ángulo en el intervalo de 15 a 75 grados desde un eje de la línea de hábito del cristal de la oblea más superior en sentido horario o antihorario; doblar hacia arriba la parte periférica de la oblea posición más superior para producir un esfuerzo de flexión en la oblea más superior en la dirección del eje desplazado por el ángulo; introducir un fluido en un espacio entre la superficie inferior de la oblea más superior y la superficie superior…

Procedimiento y dispositivo para la fabricación de módulos fotovoltaicos.

(21/03/2012) Dispositivo para el ensamblaje automático de los componentes de elementos fotovoltaicos en un proceso de fabricación que se desarrolla de forma continua, en el que diferentes partes de las instalaciones colaboran en una secuencia determinada, con las siguientes características: a) al menos 2 líneas de fabricación para el suministro sincronizado de sustratos, b) al menos 2 puentes de equipamiento (A, B) para el ensamblaje de sustratos, láminas y cristales de vidrio, c) un dispositivo de apilamiento para una alimentación de láminas y una cinta transportadora para la alimentación de cristales de vidrio, d) dispositivos para el centrado y aspiración de las láminas sobre un bastidor de transporte de láminas así como para el centrado y aspiración de las placas de vidrio sobre un bastidor de transporte…

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA DETECTAR ANOMALÍAS DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR.

(13/03/2012) Procedimiento para detectar anomalías en un sustrato semiconductor, tal como microfisuras penetrantes o no penetrantes, en particular en un sustrato de silicio policristalino, que comprende las etapas de: a) proporcionar un sustrato semiconductor, b) realizar una imagen de inspección I del sustrato iluminando el sustrato con una retroiluminación que tiene longitudes de onda dentro del intervalo del infrarrojo cercano, de manera que dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes son menos transparentes que el sustrato o no son transparentes, c) generar una imagen K a partir de a imagen I por procesamiento de imagen, d) generar la imagen B por binarización de la imagen K, e) examinar la imagen I usando la imagen B para determinar las localizaciones de dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes en el sustrato…

PROCEDIMIENTO PARA REDUCIR LA RUGOSIDAD DE SUPERFICIES NO AMORFAS DE CUERPOS SOLIDOS.

(18/08/2011) Procedimiento para reducir la rugosidad de superficies no amorfas de cuerpos sólidos.El objeto principal de la presente invención es reducir la rugosidad de superficies no amorfas de cuerpos sólidos a los valores más bajos posibles, en el umbral de la corrugación atómica, sin reducir sus calidades cristalinas con el fin de que preserven sus propiedades funcionales. Para ello, se define un procedimiento donde un flujo pulsado de material a ser depositado se dirige hacia la superficie sólida cuya rugosidad se pretende disminuir, a la vez que se modula periódicamente la temperatura de la superficie a una frecuencia similar que aquella usada para el flujo pulsado

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