CIP-2021 : H01L 21/321 : Postratamiento.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Partículas abrasivas para pulido químico-mecánico.
(04/09/2013) Composición abrasiva para pulir substratos, que comprende:
una pluralidad de partículas abrasivas de sílice coloidal con una distribución polidispersa del tamaño de partículacuya mediana en volumen es de 20 hasta 100 nanómetros, un valor de la amplitud en volumen superior o igual aunos 20 nanómetros, el cual se mide restando el tamaño de partícula d10 del tamaño de partícula d90, mediante elempleo de microfotografías de transmisión electrónica, y una fracción de dichas partículas mayores de 100nanómetros inferior o igual al 20% en volumen de las partículas abrasivas.
SUSPENSION PARA EL PULIDO QUIMICO-MECANICO DE SUSTRATOS DE COBRE.
(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: CABOT CORPORATION. Inventor/es: KAUFMAN, VLASTA BRUSIC, KISTLER, RODNEY C., WANG, SHUMIN.
UNA LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO QUE CONTIENE UN AGENTE FORMADOR DE PELICULAS, UN OXIDANTE TAL COMO PEROXIDO DE HIDROGENO DE UREA, UN AGENTE COMPLEJANTE TAL COMO OXALATO AMONICO O ACIDO TARTARICO, UN ABRASIVO Y UN TENSIOACTIVO OPCIONAL. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA LA UTILIZACION DE LA COMPOSICION DE LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO PARA RETIRAR DE UN SUSTRATO CAPAS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE COBRE, TITANIO Y NITRURO DE TITANIO.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UNA ESTRUCTURA ESTRATIFICADA CON UNA CAPA DE SILICIURO.
(16/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: MANTL, SIEGFRIED.
LA INVENCION SE REFIERE A UNA ESTRUCTURA DE CAPAS CON UNA CAPA DE SILICIUROS QUE SE FORMA SOBRE UNA SUPERFICIE QUE CONTIENE SILICIO. LA FINALIDAD DE LA INVENCION ES REALIZAR UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE QUE ADMITA UNA APLICACION PARA FABRICAR COMPONENTES SIN LOS INCONVENIENTES RESULTANTES DEL ESTADO ACTUAL DE LA TECNICA. PARA CONSEGUIRLO, ES PRECISO QUE UNA PARTE COMO MINIMO DE LA CAPA DE SILICIUROS SE DISPONGA DESPLAZADA EN SENTIDO PERPENDICULAR FRENTE A LA PARTE RESTANTE DE LA CAPA DE SILICIUROS. DE ESTA MANERA PUEDEN REALIZARSE DIFERENTES COMPONENTES ELECTRONICOS CON UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE.
PROCEDIMIENTO PARA PULIMENTACION MECANICA-QUIMICA Y UNA CAPA DE MATERIAL CONDUCTOR DE ALUMINIO O ALEACION DE ALUMINIO.
(16/03/2004). Solicitante/s: CLARIANT (FRANCE) S.A.. Inventor/es: JACQUINOT, ERIC, LETOURNEAU, PASCAL, RIVOIRE, MAURICE.
Un procedimiento para la pulimentación mecánica-química de una capa de un material conductor de aluminio o aleación de aluminio usado en la industria de los semiconductores microelectrónicos, caracterizado porque dicha capa de aluminio o aleación de aluminio se abrade usando una composición abrasiva que comprende una suspensión acuosa alcalina de partículas de sílice coloidal individualizadas no conectadas entre sí mediante enlaces siloxano, un hidróxido de tetraalquilamonio y un agente oxidante.
COMPOSICION Y LECHADA UTILES PARA EL PULIDO QUIMICO-MECANICO DE METALES.
(01/11/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CABOT CORPORATION. Inventor/es: MUELLER, BRIAN, L., GRUMBINE, STEVEN K., STREINZ, CHRISTOPHER C.
UNA COMPOSICION PRECURSORA PULIDORA QUIMICO-MECANICA QUE CONTIENE AL MENOS UN CATALIZADOR QUE TIENE MULTIPLES ESTADOS DE OXIDACION Y AL MENOS UN ESTABILIZADOR, SIENDO UTIL LA COMPOSICION CUANDO SE MEZCLA CON UN AGENTE OXIDANTE ANTES DE SU USO PARA ELIMINAR CAPAS METALICAS A PARTIR DE UN SUSTRATO. TAMBIEN SE DESCRIBE UNA COMPOSICION PULIDORA QUIMICO-MECANICA QUE COMPRENDE UN AGENTE OXIDANTE Y AL MENOS UN CATALIZADOR QUE TIENE MULTIPLES SITIOS DE OXIDACION, SIENDO UTIL LA COMPOSICION CUANDO SE COMBINA CON UN ABRASIVO O UNA ALMOHADILLA ABRASIVA PARA ELIMINAR LAS CAPAS METALICAS DE UN SUSTRATO.
