(22/04/2020) Disposición de circuito para control de un transistor (T1) de compuerta aislada , que tiene un conductor de compuerta para generar una señal de conducción (UTR) entre un polo positivo y un polo negativo , con un primer voltaje de conducción para encender el transistor (T1) durante una fase de encendido (tEIN) y un segundo voltaje de conductor para apagar el transistor (T1) durante una fase de apagado (tAUS), y que tiene un capacitor (C) en paralelo con la trayectoria de fuente-compuerta del transistor (T1), en la que el conductor de compuerta está diseñado para que la señal de conducción (UTR) sea mayor o igual que cero voltios, es proporcionada una inductancia (L) para la formación de un circuito oscilante con el capacitor (C), dicho circuito oscilante está diseñado, cuando el transistor…

(09/04/2014) Procedimiento para determinar la temperatura (T) de un interruptor semiconductor , que tiene una resistencia eléctrica de puerta integrada (RGint), procedimiento que consta de las siguientes etapas: - activación del interruptor de semiconductor aumentando la tensión de puerta-emisor (UGE) del interruptor semiconductor mediante una resistencia eléctrica externa (Rext) conectada a la conexión de resistencia de puerta (GA) del interruptor semiconductor , caracterizado por que el procedimiento además comprende las siguientes etapas: - determinación del tiempo (dt) que la tensión de puerta-emisor (UGE) requiere durante el aumento de la tensión de puerta-emisor (UGE) del interruptor semiconductor , para aumentar de una primera tensión (U1) a una segunda tensión (U2); y - determinación de la temperatura (T) del interruptor semiconductor basándose…

(26/02/2014) Dispositivo de control de compuerta de un transistor de tipo JFET que comprende una compuerta, un drenaje y una fuente, comprendiendo dicho dispositivo: - un circuito de generación de tensión que comprende una salida (out2) conectada a la compuerta (G) del transistor, estando destinado dicho circuito a generar en la salida una tensión compuerta-fuente de referencia (VREF) siguiendo una rampa de tensión predeterminada; caracterizándose el circuito de generación de tensión porque comprende: - un circuito de limitación de tensión que comprende un transistor bipolar (Q3) y unos medios de comparación entre la tensión compuerta-fuente (VGS) del transistor JFET y un valor máximo (VGS_max) predeterminado, estando destinado dicho circuito de limitación a limitar la tensión compuerta-fuente…

(30/05/2012) Una instalación de un circuito regulado por corriente para controlar por lo menos un transistor desemiconductor de potencia que consiste en un transistor de semiconductor de potencia con una puerta, emisory colector o con una puerta, fuente y drenaje y dos fuentes de corriente regulada , las salidas de las cualesestán conectadas una a la otra y a la puerta y las entradas de las cuales están conectadas a una salida de uncircuito de entrada y una regulación de la tensión de salida , en el que la primera fuente de corrienteregulada es suministrada desde una primera fuente de tensión no regulada (Vcc) y controla la puerta deltransistor de potencia de tal manera que el transistor de potencia es conductor, en el que la segunda fuente decorriente regulada está estructurada con simetría especular con respecto…

(01/04/2003) SE DESCRIBE UN CONTROL DE POTENCIA PARA CONTROLAR LA POTENCIA ELECTRICA ALIMENTADA DESDE AL FUENTE DE TENSION A UNA CARGA , QUE COMPRENDE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (21, Q1) PARA HABILITAR O INHABILITAR EL FLUJO DE CORRIENTE DESDE LA FUENTE DE TENSION A LA CARGA, EN RESPUESTA A LA PRESENCIA O AUSENCIA DE UN IMPULSO DE CONTROL DIRIGIDO A LA PUERTA LOGICA DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. ADEMAS, EL CONTROL DE POTENCIA COMPRENDE MEDIOS PARA MEDIR EL CAMBIO DEL POTENCIAL DE PUERTA DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (24, R6, R7), Y PARA PERMITIR O NO PERMITIR UN IMPULSO DE CONTROL SOBRE LA BASE DE LA MEDICION DEL CAMBIO DE POTENCIAL DE LA PUERTA LOGICA. EN EL CONTROL DE POTENCIA, SE PERMITE AL IMPULSO DE CONTROL QUE CONMUTE EL TRANSISTOR DE EFECTO…