CIP-2021 : H03K 17/0412 : por medidas dispuestas en el circuito de control.

CIP-2021HH03H03KH03K 17/00H03K 17/0412[3] › por medidas dispuestas en el circuito de control.

H ELECTRICIDAD.

H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.

H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M).

H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52).

H03K 17/0412 · · · por medidas dispuestas en el circuito de control.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Control de puerta de transistor bipolar de puerta aislada de alto rendimiento.

(04/03/2020) Un circuito de control de puerta para aplicar un voltaje de puerta a una puerta de un transistor , comprendiendo el circuito de control de puerta: una resistencia de puerta ; un circuito de control activo de puerta , estando el circuito de control activo de puerta configurado para aplicar un primer voltaje a través de la resistencia de puerta a la puerta del transistor para activar el transistor, siendo el primer voltaje mayor que un voltaje de umbral para el transistor, estando el circuito de control activo de puerta configurado además para aplicar un segundo voltaje a través de la resistencia de puerta a la puerta del transistor para desactivar el transistor, siendo el segundo voltaje menor que el voltaje de umbral; en el que: durante la desactivación del transistor,…

Aparato de conmutación eléctrica con un dispositivo de interconexión eléctrica mejorado.

(01/01/2020) Aparato (1, 1') de conmutación eléctrica, que comprende: - al menos dos componentes de potencia , cada uno de los cuales incluye primeros transistores y segundos transistores de potencia , - un dispositivo de control de encendido de los transistores, configurado para emitir una primera señal de control a cada uno de los primeros transistores y una segunda señal de control a cada uno de los segundos transistores , - un dispositivo de interconexión eléctrica que conecta el dispositivo de control de encendido a los componentes de potencia para transmitir la primera y la segunda señales de control al primer y al segundo transistor, el dispositivo de interconexión que…

Arquitectura de unidad de accionamiento que emplea conmutadores de nitruro de galio.

(05/06/2019) Una unidad de accionamiento para accionar un motor , comprendiendo la unidad de accionamiento : una placa de circuito impreso; un primer conmutador de nitruro de galio provisto de un terminal de puerta, un terminal de drenaje y un terminal de fuente, estando el primer conmutador de nitruro de galio montado en un primer lado de la placa de circuito impreso; un segundo conmutador de nitruro de galio provisto de un terminal de puerta, un terminal de drenaje y un terminal de fuente, estando el segundo conmutador de nitruro de galio montado en el primer lado de la placa de circuito impreso; un controlador de compuerta configurado para generar una señal de accionamiento de apagado para apagar el primer conmutador de nitruro de galio y apagar el segundo conmutador…

Circuito de conmutación suave.

(12/10/2016). Solicitante/s: Silergy Corp. Inventor/es: DANIEL,BOBBY, LANGESLAG,WILHELMUS.

Circuito de conmutación que comprende: un transistor de conmutación adaptado para controlar el funcionamiento del circuito de conmutación de acuerdo con una señal de control (DRIVER) aplicada al terminal de control del transistor de conmutación ; un circuito de regulación adaptado para generar la señal de control (DRIVER); y un circuito de detección adaptado para detectar una tensión en el terminal de control cuando el transistor de conmutación se encuentra en un estado OFF y para generar una señal de excitación (VGATENEGSNS) de acuerdo con la tensión detectada, en el que el circuito de regulación está adaptado para generar la señal de control (DRIVER) en base a la señal de excitación (VGATENEGSNS) generada; caracterizado por el hecho de que el circuito de detección comprende una resistencia conectada en serie con un transistor del circuito de regulación.

PDF original: ES-2608797_T3.pdf

Circuito y procedimiento de accionamiento para MOSFET.

(15/06/2016) Un procedimiento de utilización de un circuito para accionar un dispositivo semiconductor de puerta aislada que comprende como un primer terminal una puerta y al menos terminales segundo y tercero , comprendiendo el circuito un dispositivo de almacenamiento de carga y medios de conmutación conectados en un circuito en serie a la puerta del dispositivo semiconductor para aplicar un pulso de carga desde el dispositivo de almacenamiento de carga a la puerta del dispositivo semiconductor a fin de conmutar el dispositivo semiconductor entre uno de un estado cerrado y un estado abierto y el otro del estado cerrado y del estado abierto, caracterizado porque la velocidad de conmutación de los medios de conmutación es menor que 2 ns por lo que la duración del…

Dispositivo semiconductor de puerta aislada de potencia de conmutación rápida.

(27/04/2016). Solicitante/s: AMBIXTRA (PTY) LTD. Inventor/es: VISSER, BAREND, DE JAGER,OCKER CORNELIS.

Un dispositivo de puerta aislada que comprende una fuente conectada a un terminal de fuente de una puerta conectado a un terminal de puerta y medios de capacitancia de entrada que proporcionan la capacidad de entrada (CG) entre el terminal de puerta y el terminal de fuente, los medios de capacidad de entrada comprendiendo o bien un condensador en serie entre la puerta y el terminal de puerta o una capa de aislamiento que tiene un espesor suficiente (dins) entre la puerta y un canal del dispositivo de tal manera que cuando el dispositivo es conmutado entre un estado apagado y un estado encendido, una relación de (Cfiss/Ciiss) entre un valor final de la capacitancia de entrada (Cfiss) cuando el dispositivo está encendido y un valor inicial de la capacitancia de entrada (Ciiss) cuando el dispositivo está apagado es de 1 < Cfiss/Ciiss <2,0.

PDF original: ES-2578678_T3.pdf

Instalación de un circuito para controlar transistores de potencia.

(30/05/2012) Una instalación de un circuito regulado por corriente para controlar por lo menos un transistor desemiconductor de potencia que consiste en un transistor de semiconductor de potencia con una puerta, emisory colector o con una puerta, fuente y drenaje y dos fuentes de corriente regulada , las salidas de las cualesestán conectadas una a la otra y a la puerta y las entradas de las cuales están conectadas a una salida de uncircuito de entrada y una regulación de la tensión de salida , en el que la primera fuente de corrienteregulada es suministrada desde una primera fuente de tensión no regulada (Vcc) y controla la puerta deltransistor de potencia de tal manera que el transistor de potencia es conductor, en el que la segunda fuente decorriente regulada está estructurada con simetría especular con respecto…

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