CIP-2021 : H01L 23/16 : Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor,

p. ej. anillos de centrado (H01L 23/42, H01L 23/552 tienen prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/16 · Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor, p. ej. anillos de centrado (H01L 23/42, H01L 23/552 tienen prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

UN SISTEMA DE CAPA DE BLOQUEO SEMICONDUCTOR.

(16/09/1959). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Sistema de capa de bloqueo semiconductorparticularmente un transistor a un diodo a cristal qeu tiene una envoltura a prueba de vaciocaracterizado por el hecho de que el espacio entre la envoltura y el conjunto de capa de bloqueo propiamente dicho contiene arsénico.

UN MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN SISTEMA DE CAPA DE BLOQUEO SEMICONDUCTOR.

(16/05/1959). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Sistema de capa de bloqueo semiconductor, particularmente un transistor o un diodo a cristal que tiene una envoltura a prueba de vacío, caracterizado por el hecho de que el espacio entre la envoltura y el conjunto de capa de bloqueo propiamente dicho contiene arsénico.

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