CIP-2021 : H01S 5/00 : Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).

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Notas^[n] de H01S 5/00:
Es importante tener en cuenta la Nota (3) después del título de la sección C, dicha Nota indica a qué versión de la tabla periódica de elementos químicos se refiere la CIP. En este grupo, el sistema periódico usado es el sistema de grupo 8 se indica mediante números romanos en la Tabla Periódica en virtud del mismo.

H01S 5/02 · Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.

H01S 5/022 · · Soportes; Encapsulados.

H01S 5/02208 · · · caracterizados por la forma de los encapsulados.

H01S 5/02212 · · · · Tipo CAN, p. ej. encapsulados TO-CAN con emisión a lo largo o en paralelo al eje de simetría.

H01S 5/02216 · · · · De tipo mariposa, es decir, con pines extendidos horizontalmente desde los encapsulados.

H01S 5/02218 · · · Material de los encapsulados; Relleno de los encapsulados.

H01S 5/0222 · · · · Encapsulados rellenos de gas.

H01S 5/02224 · · · · · en los que el gas comprende oxígeno, p. ej. para evitar la contaminación de las facetas emisoras de luz.

H01S 5/02232 · · · · Encapsulados rellenos de líquido.

H01S 5/02234 · · · · Encapsulados rellenos de resina; estando los encapsulados hechos de resina.

H01S 5/02235 · · · Getter o material para absorber la contaminación.

H01S 5/0225 · · · Desacoplamiento de la luz.

H01S 5/02251 · · · · mediante fibras ópticas.

H01S 5/02253 · · · · mediante lentes.

H01S 5/02255 · · · · mediante elementos de deflectores del haz.

H01S 5/02257 · · · · mediante ventanas, p. ej. especialmente adaptadas para retro-reflejar la luz hacia un detector en el interior del encapsulado.

H01S 5/023 · · · Elementos de montaje, p. ej. elementos de submontaje.

H01S 5/0231 · · · · Tubos.

H01S 5/02315 · · · · Elementos de soporte, p. ej. bases o soportes.

H01S 5/0232 · · · · Bastidores de plomo.

H01S 5/02325 · · · · Componentes mecánicamente integrados sobre los elementos de montaje o micro-bancos ópticos.

H01S 5/02326 · · · · · Disposiciones para el posicionamiento relativo de diodos láser y componentes ópticos, p. ej. ranuras en la montura para fijar fibras ópticas o lentes.

H01S 5/0233 · · · Configuración de montaje de chips láser.

H01S 5/02335 · · · · Montajes up-side por arriba, p. ej. montajes epi-side por arriba o montajes de unión superior.

H01S 5/0234 · · · · Montajes up-side por abajo, p. ej. Flip-chip, montajes epi-side por abajo o montajes de unión inferior.

H01S 5/02345 · · · · Wire-bonding.

H01S 5/0235 · · · Métodos para el montaje de chips láser.

H01S 5/02355 · · · · Fijación de chips láser sobre monturas.

H01S 5/0236 · · · · · utilizando un adhesivo.

H01S 5/02365 · · · · · por apriete.

H01S 5/0237 · · · · · por soldadura.

H01S 5/02375 · · · · Colocación de chips láser.

H01S 5/0238 · · · · · utilizando marcas.

H01S 5/02385 · · · · · utilizando luz láser como referencia.

H01S 5/0239 · · · Combinaciones de elementos eléctricos u ópticos.

H01S 5/024 · · Disposiciones para el control térmico.

H01S 5/026 · · Componentes integrados monolíticamente, p. ej. guías de ondas, fotodetectores de monitorización, dispositivos para la excitación (estabilización de la salida del láser H01S 5/06).

H01S 5/028 · · Revestimientos.

H01S 5/04 · Procesos o aparatos para la excitación, p. ej. bombeo (H01S 5/06 tiene prioridad).

H01S 5/042 · · Excitación eléctrica.

H01S 5/06 · Disposiciones para controlar los parámetros de salida del láser, p. ej. actuando sobre el medio activo.

H01S 5/062 · · variando el potencial de los electrodos (H01S 5/065 tiene prioridad).

H01S 5/0625 · · · en láseres con varias secciones.

H01S 5/065 · · Acoplamiento de modos ("mode locking"); Supresión de modos; Selección de modos.

H01S 5/068 · · Estabilización de los parámetros de salida del láser (H01S 5/0625 tiene prioridad).

H01S 5/0683 · · · monitorizando los parámetros ópticos de salida.

H01S 5/0687 · · · · Estabilización de la frecuencia del láser.

H01S 5/10 · Estructura o forma del resonador óptico.

H01S 5/11 · · que comprende una estructura fotónica de banda prohibida.

H01S 5/12 · · teniendo el resonador una estructura periódica, p. ej. en láseres de realimentación distribuida [DFB] (que comprende una estructura fotónica de banda prohibida H01S 5/11; láseres de emisión superficial H01S 5/18).

H01S 5/125 · · · Láseres de reflectores de Bragg distribuidos [DBR].

H01S 5/14 · · Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).

H01S 5/16 · · Láseres del tipo de ventanas, p. ej. con una región de material no absorbente entre la región activa y la superficie reflectora (H01S 5/14 tiene prioridad).

H01S 5/18 · · Láseres de emisión superficial [SE], p. ej. que tienen cavidades tanto horizontales como verticales.

H01S 5/183 · · · que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].

H01S 5/185 · · · que tienen solamente cavidades horizontales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad horizontal [HCSEL] (que comprenden una estructura fotónica de banda prohibida H01S 5/11).

H01S 5/187 · · · · que utilizan reflexión Bragg.

H01S 5/20 · Estructura o forma del cuerpo semiconductor para guiar la onda óptica.

H01S 5/22 · · que tiene una estructura de tipo estriado o en forma de bandas.

H01S 5/223 · · · Estructura de banda enterrada (H01S 5/227 tiene prioridad).

H01S 5/227 · · · Estructura de mesa enterrada.

H01S 5/24 · · que tiene una estructura ranurada, p. ej. con ranuras en V.

H01S 5/30 · Estructura o forma de la región activa; Materiales para la región activa.

H01S 5/32 · · que comprenden uniones PN, p. ej. heteroestructuras o dobles heteroestructuras (H01S 5/34, H01S 5/36 tiene prioridad).

H01S 5/323 · · · en compuestos A _III B _V, p. ej. láser de AlGaAs.

H01S 5/327 · · · en compuestos A _II B _VI, p. ej. láser de ZnCdSe.

H01S 5/34 · · que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).

H01S 5/343 · · · en compuestos A _III B _V, p. ej. láser de AlGaAs.

H01S 5/347 · · · en compuestos A _II B _VI, p. ej. láser de ZnCdSe.

H01S 5/36 · · que comprenden materiales orgánicos.

H01S 5/40 · Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).

H01S 5/42 · · Matrices de láseres de emisión superficial.

H01S 5/50 · Estructuras amplificadoras no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Láser de diodos de alta potencia y procedimiento para la fabricación de un láser de diodos de alta potencia.

(03/04/2019). Solicitante/s: Dilas Diodenlaser GmbH. Inventor/es: KELEMEN,MARC, MORITZ,RUDOLF, GILLY,JÜRGEN, FRIEDMANN,PATRICK.

Láser de diodos de alta potencia con facetas opuestas entre sí, que están construidas respectivamente de un sistema de capas que comprende varias capas amorfas compuestas de silicio y carbono, que contiene tanto una capa de pasivación como también varias capas funcionales que determinan la reflexión, donde los índices de refracción de la capa de pasivación y de las capas funcionales están ajustados a través de un contenido de carbono variable.

PDF original: ES-2733806_T3.pdf

Diodo láser semiconductor.

(16/05/2018) Un diodo láser semiconductor , comprendiendo el diodo láser semiconductor : un sustrato , estando formado el sustrato a partir de una primera pluralidad seleccionada de materiales que es arseniuro de galio (GaAs); una capa semiconductora de tipo n , estando formada la capa semiconductora de tipo n a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una segunda pluralidad de materiales; una capa semiconductora de tipo p , estando formada la capa semiconductora de tipo p a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una tercera pluralidad de materiales, siendo la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo p diferente de la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo n ; y uno o más pozos cuánticos…

Dispositivo para el ajuste de un perfil de haz láser, máquina de mecanizado por láser y procedimiento para la fabricación del dispositivo.

(26/04/2017). Solicitante/s: TRUMPF Laser GmbH. Inventor/es: FUCHS,STEFAN, HUBER,RUDOLF, OLSCHOWSKY,PETER.

Dispositivo para el ajuste de un perfil de haz de un rayo láser, que comprende: un cable de fibra óptica con un recubrimiento protector (7a, 7b) y un conductor de luz en el cual se introduce el rayo láser, un dispositivo de deformación para deformar el conductor de luz en una sección del cable de fibra óptica no provista de recubrimiento protector, dos receptores (4a, 4b) para la sujeción respectiva de un extremo de la sección (7a, 7b) del recubrimiento protector, comprendiendo dichos receptores (4a, 4b) respectivos una apertura (5a, 5b) para conducir el conductor de luz hasta el dispositivo de deformación caracterizado porque el cable de fibra óptica comprende al menos una sección no provista de recubrimiento protector, ya que el dispositivo dispone de una carcasa prevista para cubrir el conductor de luz al menos en dicha sección no provista de recubrimiento protector, y porque los dos receptores están dispuestos en los extremos opuestos de la carcasa.

PDF original: ES-2635054_T3.pdf

Dispositivo láser de semiconductor.

(15/03/2017) Un dispositivo láser de semiconductor que comprende: una base ; un elemento láser de semiconductor proporcionado encima de la base; una tapa proporcionada sobre la base y que aloja el elemento láser de semiconductor, teniendo la tapa un rebaje (13D) formado en una porción superior de la tapa, estando definido el rebaje por una superficie lateral y una parte inferior, y teniendo la tapa un agujero pasante (13C) formado en la parte inferior del rebaje; un miembro de soporte dispuesto en el rebaje y que tiene un agujero pasante (14C) dispuesto encima del agujero pasante de la tapa, siendo un diámetro del agujero pasante del miembro de soporte menor que un diámetro del agujero…

Aparato láser y método para el procesamiento por láser de un material diana.

(01/02/2017) Aparato láser para crear una incisión en un tejido de un ojo humano , comprendiendo: - un adaptador de paciente configurado para establecer una interfaz con la córnea del ojo humano ; - una fuente de láser configurada para generar radiación láser pulsada en impulsiones de duración ultracorta; - un selector configurado para seleccionar grupos de impulsos de la radiación láser, comprendiendo cada grupo de impulsos una pluralidad de impulsos con una frecuencia de repetición de impulsos de al menos 100 MHz, en el que los grupos de impulsos tienen una frecuencia de repetición de grupo de no más de aproximadamente 1 MHz; - un dispositivo de escáner configurado para escanear un punto focal…

Dispositivo de iluminación para un vehículo automóvil así como procedimiento correspondiente.

(28/12/2016) Dispositivo de iluminación para un vehículo automóvil que comprende - un primer faro para proporcionar una primera distribución de luz con una primera zona de apertura y - un segundo faro para proporcionar una segunda distribución de luz con una segunda zona de apertura , - estando construidos los faros primero y segundo de modo que la primera zona de apertura y la segunda zona de apertura se superpongan completamente en una zona predeterminada, y - presentando cada uno de los faros primero y segundo al menos una fuente de luz para proyectar una radiación y un equipo de desviación para desviar la radiación proyectada por la al menos una fuente…

METODO PARA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO OPTICO MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE REPLICACION.

(01/06/2007). Solicitante/s: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Inventor/es: CIRKEL, PETER, A., KARMAN, GERARDUS, P.

Método para fabricación de un dispositivo óptico mediante un procedimiento de replicación que incluye las siguientes etapas: - rellenar el hueco entre un sustrato y un molde con un material polimérico líquido transmisor de luz, - curado del material polimérico para obtener una capa de réplica, - retirar el molde, en el que dicho procedimiento de replicación se repite al menos dos veces utilizando el mismo molde o moldes diferentes y en el que el sustrato, junto con una o más capas de réplica obtenidas durante una o más etapas anteriores del procedimiento de replicación, se utiliza como sustrato para la siguiente etapa del procedimiento de replicación, caracterizado porque en una primera etapa del procedimiento de replicación se obtiene en el sustrato una capa de réplica plana que constituye un capa tampón.