CIP-2021 : C23C 16/48 : por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.

CIP-2021CC23C23CC23C 16/00C23C 16/48[2] › por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/48 · · por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de obtención de un sustrato provisto de un revestimiento.

(16/08/2017). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: YEH,LI-YA, BILAINE,MATTHIEU.

Procedimiento de obtención de un sustrato provisto sobre al menos una de sus caras con un revestimiento , que comprende una etapa de deposición de dicho revestimiento y posteriormente una etapa de tratamiento térmico de dicho revestimiento con ayuda de una radiación láser principal , el procedimiento se caracteriza por que al menos una parte de la radiación láser principal transmitida a través de dicho sustrato y/o reflejada por dicho revestimiento se redirige en la dirección de dicho sustrato para formar al menos una radiación láser secundaria , siendo no nulo el ángulo formado por la radiación principal y/o la radiación secundaria y la normal al sustrato.

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Aparato para deposición química de vapor por filamento caliente.

(30/10/2013) Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida, un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento, en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas, caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de gas a lo largo de una longitud.

PROCESO DE FABRICACION DE RECUBRIMIENTOS SUPERFICIALES ADHESIVOS.

(16/08/2004) Procedimiento para la fabricación de recubrimientos de buena adherencia sobre un sustrato inorgánico u orgánico, caracterizado porque en una primera etapa a) se somete el sustrato inorgánico u orgánico a una descarga de plasma de baja temperatura, a una descarga corona, a una radiación UV potente o a una radiación electró nica y después se interrumpe la radiación o descarga y en una etapa posterior b) se aplica sobre el sustrato inorgánico u orgánico uno o varios fotoiniciadores que contienen por lo menos una insaturación etilénica, con vacío o a presión normal, para que reaccionen con los sitios radicales que se han formado en él y c1) se recubre el sustrato, provisto de la capa de fotoiniciador,…

RECUBRIMIENTOS DOBLES SI/SIO2 PRODUCIDOS MEDIANTE LASER.

(01/11/2000). Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, LEON FONG,BETTY, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA.

Recubrimientos dobles Si/SiO2 producidos mediante láser. Recubrimientos de silicio/óxido de silicio pueden ser aplicados sobre diferentes materiales y componentes por medio de un método basado en la Deposición Química a partir de Vapor inducida por Láser (LCVD). Este método hace uso de un láser de excímero ArF para irradiar diferentes mezclas de gases precursores introducidos en una cámara de reacción en la que previamente se ha hecho alto vacío. La flexibilidad de este método permite controlar las propiedades físico-químicas y el espesor de los recubrimientos, siendo de especial aplicación en la protección de materiales metálicos contra el ataque de agentes externos, fundamentalmente cuando dichos componentes están sometidos a temperaturas elevadas y atmósferas muy agresivas.

RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS.

(01/11/1995). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA, LEON FONG,BETTY MIREYA, FERNANDEZ FERNANDEZ, MARIA DOLORES.

RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS. RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PUEDEN SER APLICADOS SOBRE MATERIALES Y COMPONENTES METALICOS POR MEDIO DE UN METODO BASADO EN LA DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE VAPOR INDUCIDA POR LAMPARA (LAMP-CVD). ESTOS RECUBRIMIENTOS LES CONFIEREN UNA PROTECCION CONTRA LA CORROSION, OXIDACION, SULFURACION Y CARBURIZACION, FUNDAMENTALMENTE CUANDO DICHOS COMPONENTES O MATERIALES METALICOS ESTAN SOMETIDOS A ALTAS TEMPERATURAS Y ATMOSFERAS MUY AGRESIVAS. POR MEDIO DE ESTE METODO PUEDEN PROTEGERSE COMPONENTES METALICOS (FABRICADOS, POR EJEMPLO, CON ACEROS INOXIDABLES, ACEROS AL CARBONO O ALEACIONES DE NI) DE USO EN INTERCAMBIADORES DE CALOR, CALDERAS O TURBINAS.

COMPOSICION Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

(16/03/1995). Solicitante/s: LUX, BENNO, PROF.DR. Inventor/es: MATTHEWS, BRIAN L.

SE DESCRIBE UN COMPOOND A BASE DE PARTICULAS EN POLVO CONSISTENTE EN UN NUCLEO Y UNA ENVUELTA QUE ES DIFERENTE A LA MATERIA DEL NUCLEO Y ESTA FORMADA POR MATERIA SUPERDURA. EL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN FORMAR LA MATERIA SUPERDURA EN UNA FASE GASEOSA A BAJA PRESION Y A UNA TEMPERATURA POR DEBAJO DE LOS 1200 C.

PROCESO PARA LA REALIZACION DE UN DEPOSITO DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO Y AMORFO SOBRE UN SUSTRATO POLIMERICO ORGANICO.

(01/03/1995). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES. Inventor/es: PERRIN, JEROME, CLAVERIE, PIERRE, FRIEDT, JEAN-MARIE, ROOM 104.

PROCESO PARA LA REALIZACION DE UN DEPOSITO DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO Y AMORFO SOBRE UN SUSTRATO POLIMERICO ORGANICO, ESTE REVESTIMIENTO ESTA CONSTITUIDO POR COMPUESTOS BAJO FORMA DE OXIDO, NITRURO, CARBURO O ALEACIONES DE ESTOS COMPUESTOS, POR DESCOMPOSICION FOTOSENSIBILIZADA EN FASE GASEOSA. SEGUN EL INVENTO, ESTE PROCESO CONSISTE EN UTILIZAR LA DESCOMPOSICION FOTOSENSIBILIZADA DE UN MEDIO GASEOSO QUE INCLUYE LOS PRECURSORES DE LOS ELEMENTOS QUE CONSTITUYEN EL DEPOSITO DEL REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO AMORFO PARA REALIZAR POR EXCITACION FOTONICA DE UNA IMPUREZA PREVIAMENTE INTRODUCIDA EN EL MEDIO, APTA PARA REALIZAR UNA TRANSFERENCIA INDIRECTA DE ENERGIA A LAS MOLECULAS DE ESTE, DE MODO QUE PERMITA LA DESCOMPOSICION DESPUES DEL DEPOSITO DE ESTOS ELEMENTOS SOBRE EL SUSTRATO. EL INVENTO CONCIERNE IGUALMENTE UN REACTOR ADAPTADO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCESO.

RECUBRIMIENTOS CERAMICOS PRODUCIDOS MEDIANTE LASER PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS.

(01/09/1994). Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA, LEON FONG,BETTY MIREYA, FERNANDEZ FERNANDEZ, MARIA DOLORES.

MATERIALES Y COMPONENTES METALICOS PUEDEN SER RECUBIERTOS CON UN MATERIAL CERAMICO, OXIDO DE SILICIO, POR MEDIO DE UN METODO, BASADO EN LA DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE VAPOR INDUCIDA POR LASER (LCVD). ESTE RECUBRIMIENTO CERAMICO LES CONFIERE UNA PROTECCION CONTRA LA CORROSION, OXIDACION, SULFURACION Y CARBURIZACION, FUNDAMENTALMENTE CUANDO DICHOS COMPONENTES O MATERIALES METALICOS ESTAN SOMETIDOS A ALTAS TEMPERATURAS Y ATMOSFERAS MUY AGRESIVAS. POR MEDIO DE ESTE METODO PUEDEN PROTEGERSE COMPONENTES METALICOS (FABRICADOS, POR EJEMPLO, CON ACEROS INOXIDABLES, ACEROS AL CARBONO O ALEACIONES DE NI) DE USO EN INTERCAMBIADORES DE CALOR, CALDERAS O TURBINAS.

APARATO Y METODO PARA TRATAR SUBSTRATOS PLANOS BAJO UNA PRESION REDUCIDA.

(01/08/1994) APARATO Y METODO PARA TRATAR UN SUSTRATO PLANO MAS PARTICULARMENTE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, BAJO PRESION REDUCIDA QUE CONTIENE UNA CAMARA (2A, 2B) DE VACIO PROVISTA CON UN SOPORTE DE SUSTRATO QUE TIENE UN CUERPO (11A) CON MEDIOS DE CALENTAMIENTO Y/O ENFRIAMIENTO Y UNA SUPERFICIE (11B) DE SOPORTE, EN LA CUAL UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS DE INYECCION ESTA PRESENTE COMUNICANDO CON UN ESPACIO DE INYECCION Y UNA ENTRADA SUPLEMENTARIA DE GAS, A TRAVES DE CUYAS ABERTURAS DE INYECCION SE SUMINISTRA UN GAS ENTRE EL SUSTRATO Y LA SUPERFICIE DE SOPORTE PARA FORMAR ENTRE ELLOS UNA ALMOHADA DE…

MAQUINA DE MICRO-RAYO LASER DE INTERVENCION SOBRE OBJETOS DE CAPA DELGADA, EN PARTICULAR PARA EL GRABADO O LA DEPOSICION DE MATERIA POR VIA QUIMICA EN PRESENCIA DE UN GAS REACTIVO.

(16/04/1994). Solicitante/s: FRANCE TELECOM BERTIN & CIE. Inventor/es: GUERN, YVES, AUVERT, GEOFFROY, GEORGEL, JEAN-CLAUDE.

LA MAQUINA, SEGUN EL INVENTO, CONSTA DE UN RECINTO ESTANCO EN EL QUE SE HALLA FIJADO UN OBJETIVO DE MICROSCOPIO QUE RECIBE UN RAYO LASER MEDIANTE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE DE GRAN ESPESOR, Y QUE CONTIENE UN REACTOR FORMADO POR UNA CAJA ESTANCA CUYA TAPA CONSTA DE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE DE POCO ESPESOR BAJO EL CUAL ESTA SITUADO EL OBJETO DE CAPA DELGADA A TRATAR. UNOS ELEMENTOS PERMITEN REALIZAR EL VACIO EN EL RECINTO Y EL REACTOR Y LLEVAR UN GAS REACTIVO AL REACTOR. EL INVENTO SE APLICA EN ESPECIAL EN EL TRATAMIENTO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS, CIRCUITOS HIBRIDOS, ETC.

SOPORTE PARA UNA PIEZA EN FORMA DE DISCO Y CAMARA PARA UN PROCESO DE VACIO.

(01/07/1993). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WAGNER, RUDOLF, HIRSCHER, HANS, DR.

EL INVENTO SE REFIERE A UN SOPORTE: FORMADO POR SALIDAS DE GAS DISTRIBUIDAS POR SU SUPERFICIE Y ORIFICIOS DE RETORNO DE GAS: UTILIZADO PARA LA TRANSMISION DE CALOR POR UNA PIEZA, TRABAJANDO A VACIO Y CARACTERIZADO PORQUE; SE FORMA ENTRE EL SOPORTE Y LA PIEZA UNA CAPA DINAMICA CON GAS; EL GAS DE CONDUCCION DE CALOR ACTUA ENTRE EL SOPORTE Y LA PIEZA Y LA SALIDA DE GAS DESEMBOCA EN UN ESPACI DE DISTRIBUCION CONFORMADO COMO RANURA.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL SOLIDO A PARTIR DE UNA FASE GASEOSA SOBRE UN SUBSTRATO.

(01/06/1986). Solicitante/s: ANICON, INC.

PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR DE RECUBRIMIENTOS NO CONTAMINADOS, ALTAMENTE UNIFORMES, DE ELEMENTOS DE COMPUESTOS SELECCIONADOS, SOBRE SUSTRATOS. CONSISTE EN PONER EN CONTACTO EL SUSTRATO CON GASES REACTIVOS QUE FLUYEN EN DIRECCION PARALELA A LA SUPERFICIE EN LA ZONA DE REACCION DE TEMPERATURA CONTROLADA, SIENDO LA DIFERENCIA DE TEMPERATURA A TRAVES DE LA ZONA DE REACCION INFERIOR A DOS GRADOS. LA TEMPERATURA CONTROLADA EN LA CAMARA DE REACCION SE OBTIENE POR CALENTAMIENTO CON RADIACION DE FUENTES DE CALEFACCION RADIANTE, QUE RODEAN SUSTANCIALMENTE LA CAMARA DE REACCION, ESTANDO LAS PAREDES DE DICHA CAMARA DE REACCION FORMADAS POR UN MATERIAL SUSTANCIALMENTE TRANSPARENTE A LA RADIACION. DE APLICACION EN RECUBRIMIENTOS PROTECTORES SOBRE HERRAMIENTAS CORTANTES.

APARATO PARA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR.

(16/10/1985). Solicitante/s: ANICON, INC.

APARATO PARA LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR QUE TIENE MEDIOS DE CALENTAMIENTO QUE RODEAN SUSTANCIALMENTE A UNA CAMARA DE DEPOSICION INTERNA PARA PROPORCIONAR EN ELLA CONDICIONES DE TEMPERATURA ISOTERMICAS O DE GRADIENTE CONTROLADO CON PRECISION.CONSTA DE UN ALOJAMIENTO ABOVEDADO QUE ES SUSTANCIALMENTE TRANSPARENTE AL CALOR RADIANTE; DE UNA BASE ABOVEDADA TAMBIEN SUSTANCIALMENTE TRANSPARENTE AL CALOR RADIANTE; DE ELEMENTOS CALENTADORES POR RESISTENCIA QUE ESTAN SEPARADOS DE LA RESPECTIVA PARED DEL ALOJAMIENTO ABOVEDADO Y DE LA BASE ABOVEDADA , MEDIANTE UN INTERSTICIO O ESPACIO DE AIRE.

UN APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR.

(01/10/1985). Solicitante/s: ANICON, INC.

APARATOS PARA LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR.CONSTA DE: ELEMENTOS CALEFACTORES RADIANTES QUE RODEAN UNA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION INTERNA PARA PROVEER A LA MISMA CONDICIONES DE TEMPERATURA CONTROLADAS, TENIENDO LA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION INTERNA INSTRUMENTOS DISTRIBUIDORES DE GAS PARA INTRODUCIR GAS DENTRO DE LA CAMARA INTERNA Y ELIMINAR GAS DE LA MISMA, Y APARATOS DE CAMARA DE VACIO QUE RODEAN LA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION INTERNA QUE ESTAN ESPACIADOS DE LAS PAREDES DE LA MISMA PARA MANTENER UN VACIO EN LAS PAREDES.

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