CIP 2015 : H01L 21/768 : Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sustrato de pastilla embebida con taladro posterior.

(01/07/2020) Un dispositivo, que comprende: un sustrato que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto, en el que el sustrato es un sustrato central que incluye una capa conductora , una primera capa dieléctrica adyacente a una primera superficie de la capa conductora y una segunda capa dieléctrica adyacente a una segunda superficie opuesta de la capa conductora ; una cavidad definida dentro del sustrato , en el que: la cavidad carece de la primera capa dieléctrica y la capa conductora , y un suelo de la cavidad está definido por la segunda capa dieléctrica ; una pastilla acoplada al suelo de la cavidad , teniendo la pastilla una placa conductora en un lado de la pastilla distal al suelo de la cavidad…

Estructura y procedimiento para una TSV con alivio de tensión.

(17/06/2020) Una pastilla semiconductora que comprende: un sustrato que tiene una cara activa; capas conductoras acopladas a la cara activa; una vía a través de sustrato en una cavidad de vía que se extiende a través del sustrato y que tiene un diámetro sustancialmente constante a través de una longitud de la vía a través de sustrato, comprendiendo la vía a través de sustrato un material de relleno conductor; una primera capa de aislamiento que rodea la vía a través de sustrato y se proporciona en una pared lateral de la cavidad de vía; y una segunda capa de aislamiento que rodea la vía a través de sustrato, la segunda capa de aislamiento formada entre la primera capa de aislamiento y el relleno conductor y que comprende dos partes, una parte rebajada y una parte dieléctrica, en la que la parte dieléctrica…

Esquemas de interconexión posterior a la pasivación en la parte superior de los chips IC.

(26/06/2019) Una estructura de interconexión posterior a la pasivación, que comprende: uno o más circuitos internos que comprenden uno o más dispositivos activos formados en y sobre un sustrato semiconductor ; uno o más circuitos ESD formados en y sobre dicho sustrato semiconductor ; una capa de interconexiones de línea fina que comprende un sistema de metalización de línea fina, formado sobre dicho sustrato semiconductor en una o más capas delgadas de dieléctrico; una capa de pasivación sobre dicha capa de interconexiones de línea fina ; un sistema de metalización grueso y ancho que es una red de interconexión de cables anchos y gruesos formada sobre dicha capa de pasivación, en una o más capas gruesas de dieléctrico , en el que dichas capas gruesas de dieléctrico son más gruesas…

Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.

(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.

Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.

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Dispositivo para el posicionamiento y la puesta en contacto de contactos de prueba.

(22/11/2017) Dispositivo para el posicionamiento y la puesta en contacto de contactos de prueba en un soporte de contactos para producir una disposición de contactos de prueba con una cabeza de contacto que presenta un dispositivo de sujeción de contacto de prueba y al menos un canal de transmisión para la transmisión de energía térmica, estando provista la cabeza de contacto en su extremo de puesta en contacto en la zona de una desembocadura de canal de un alojamiento de contacto de prueba , presentando el alojamiento de contacto de prueba un dispositivo de posicionamiento con al menos una primera superficie de posicionamiento y una segunda superficie de posicionamiento para asentarse posicionando contra un contacto de prueba y para el posicionamiento del contacto de prueba con una zona de absorción para la absorción de…

Proceso para rellenar surcos de contacto en microelectrónica.

(23/08/2017) Proceso para metalizar un elemento de surco de contacto a través de silicio en un dispositivo de circuito integrado semiconductor, comprendiendo dicho dispositivo una superficie que tiene un elemento de surco de contacto en la misma, comprendiendo dicho elemento de surco de contacto una pared lateral que se extiende desde dicha superficie y un fondo, teniendo dicha pared lateral, dicho fondo y dicha superficie un sustrato de metalización sobre las mismas para la deposición de cobre, comprendiendo dicho sustrato de metalización una capa de semilla, comprendiendo el proceso: sumergir dicho sustrato de metalización en una composición de deposición electrolítica…

Procedimiento para formar una imagen conductora sobre una superficie no conductora.

(24/06/2015) Procedimiento para formar una capa conductora sobre una superficie, que comprende realizar las siguientes etapas en orden: activar por lo menos una parte de una superficie del sustrato no conductora; aplicar un campo magnético a la superficie; depositar un complejo de coordinación metálico sobre por lo menos una parte de la parte activada de la superficie; retirar el campo magnético; exponer el complejo de coordinación metálico a una radiación electromagnética; reducir el complejo de coordinación metálico a un metal elemental; eliminar el complejo de coordinación metálico no reducido de la superficie; secar la superficie; y depositar un material conductor sobre la superficie.

Estructura de interconexión basada en nanotubos de carbono redirigidos.

(11/02/2015) Dispositivo electrónico que comprende conexiones eléctricas que se extienden según al menos dos direcciones distintas, estando dichas conexiones realizadas por medio de haces de nanotubos de carbono (CNT) , de los que al menos dos haces de CNT incluyen una parte (8a) cuyo eje está dirigido según una primera dirección, y una parte (8b) cuyo eje está redirigido según una segunda dirección, caracterizado porque la conexión entre los haces de CNT está garantizada mediante superposición sucesiva de los extremos de dichos al menos dos haces de manera a formar una pista de conexión , incluyendo al menos uno de dichos haces de CNT una parte (8a) dentro de un orificio metalizado.

Arquitectura de interconexiones horizontales a partir de nanotubos de carbono.

(15/08/2012) Dispositivo para establecer una conexión eléctrica horizontal entre por lo menos dos bornes de unión eléctricos que comprende nanotubos de carbono horizontales que unen las paredes verticales de dichos bornes de unión, dichos bornes de unión estando realizados con la ayuda de un apilamiento de capas de por lo menos dos materiales, uno que cataliza el crecimiento de los nanotubos y el otro que juega el papel de separador entre las capas de material que cataliza el crecimiento de los nanotubos.

Vía de interconexión de baja resistencia a través de una oblea.

(07/08/2012) Una oblea que comprende una vía de interconexión a través de la oblea desde una cara superior hasta una cara inferior de la oblea , en la que la vía de interconexión a través de la oblea comprendeun agujero de interconexión a través de la oblea que tiene una pared lateral cubierta parcialmente almenos con un primer revestimiento conductor , en la que el agujero de interconexión a través de laoblea comprende al menos una primera porción y una segunda porción que forma un estrechamiento con al menos una pared lateral inclinada superior que se ensancha hacia fuera hacia la cara superioren el agujero de interconexión a través de la oblea caracterizada porque dicha primera porción tiene unapared lateral sustancialmente vertical .

DETERMINACION DE MASA PARA CONTROLES AUTOMATICOS DE PUERTA CORREDIZA Y LEVADIZA.

(16/04/2007). Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Inventor/es: KARL, ANDREAS, MILLER-HIPPER, ANDREAS, SIMMERLEIN-ERLBACHER , EWALD.

Procedimiento para configurar una unidad de control de puerta de un sistema de puerta , moviéndose el sistema de puerta por medio de un dispositivo de accionamiento eléctrico, en donde para configurar la unidad de control de puerta se establece automáticamente la masa (mges) del sistema de puerta , en donde el sistema de puerta se acelera de forma regulada para establecer la masa (mges) del sistema de puerta durante el menos un recorrido controlado y a continuación se vuelve a detener, caracterizado porque en el dispositivo de accionamiento se prefija la tensión de motor (UM), en donde para la aceleración regulada o la nueva detención del sistema de puerta se aumenta o reduce linealmente la tensión de motor (UM), y se determina la masa a partir de datos aquí determinados.

PROCEDIMIENTO DE INTERRUPCION DE PELICULAS METALICAS.

(01/12/2005) Un método para aislar eléctricamente regiones de una película metálica situada sobre una delicada estructura subyacente partiendo la película a lo largo de una línea predeterminada, incluyendo el método las etapas de: a) antes de formar la película metálica, formar una capa inerte, o sustancialmente inerte, sobre la estructura subyacente, al menos en la región de una brecha de aislamiento requerida, b) formar la película metálica sobre la estructura subyacente y la capa inerte, c) formar una serie de agujeros a través de la película metálica por ablación del material desde la película metálica a lo largo de la línea de aislamiento, para separar regiones adyacentes, usar un láser de impulsos de longitud de onda larga, caracterizado por la tasa de repetición…

CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

(16/07/2005) Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos (E1;E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende por lo menos una capa de contacto (P1;P2), comprendiendo…

METODO DE FORMAR CONTACTOS A ZONAS DE FUENTES Y DESAGUES.

(16/12/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.

SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEMICONDUCTORA QUE SE PUEDE APLICAR A LA FORMACION DE CONTACTOS A FUENTES Y DESAGUES, ESPECIALMENTE EN APLICACIONES SRAM. SE FORMAN UN DIELECTRICO (POR EJEMPLO 127) Y UN CONDUCTOR DE POLISILICIO DE RECUBRIMIENTO (POR EJEMPLO 131) Y SE MODELAN EXPONIENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (POR EJEMPLO 123). SE DEPOSITA UNA CAPA DE SILICIURO (POR EJEMPLO 132), ESTABLECIENDO CONTACTO ASI CON LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131), Y EL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123). LA POSTERIOR MODELACION DE LA CAPA DE SILICIO (POR EJEMPLO 132) USANDO UNA MASCARA DURA DE OXIDO PROPORCIONA CONTACTO ELECTRICO ENTRE LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131) Y EL SUSTRATO, SIN PELIGRO DE HACER SURCOS DENTRO DEL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123).

CIRCUITO INTEGRADO CON CONEXION DE CUBETAS.

(16/02/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, WROGE, DANIEL MARK.

CUANDO SE FABRICAN CIRCUITOS LOGICOS CMOS, POR EJEMPLO UN INVERSOR, ES CON FRECUENCIA NECESARIO CONECTAR LAS FUENTES DE LOS TRANSISTORES DE LOS CANALES P Y N A SUS CUBETAS RESPECTIVAS (N Y P, RESPECTIVAMENTE). LA TECNICA ANTERIOR EXIGIA BIEN UNA GRAN VENTANA DE CONTACTO CUBRIENDO TANTO LA FUENTE COMO LAS CUBETAS O BIEN DOS VENTANAS DE CONTACTO DE TAMAÑO ESTANDAR. LA TECNICA DESCRITA AQUI FORMA LA CONEXION UTILIZANDO LA MISMA CAPA DE SILICIURO QUE SE FORMA EN LAS REGIONES FUENTE/DESCARGA, LA CUAL TAMBIEN FORMA UN SILICIURO DE PUERTA EN EL PROCESO DE SILICIURO AUTOALINEADO. ASI, PUEDE EMPLEARSE UNA VENTANA CONVENCIONAL PARA CONECTAR LA UNION DE SILICIURO DE LA CUBETA (Y, POR LO TANTO, LAS REGIONES FUENTE/CUBETA) A UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE CORRIENTE . DE ESTA FORMA SE CONSIGUE AHORRAR ESPACIO Y MAYOR LIBERTAD PARA COLOCAR LA FUENTE ENERGETICA.

PROCEDIMIENTO DE MANDO DEL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS Y UN CIRCUITO INTEGRADO QUE PONE EN OPERACION DICHO PROCEDIMIENTO.

(01/04/1997). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.

EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE D DE LA REGION DEL EMISOR 14 O DEL COLECTOR 15, UNA CONEXION ELECTRICA 22. EL INVENTO SE APLICA ESPECIALMENTE A LA CORRECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (RECONFIGURACION, REDUNDANCIA) Y EN LA PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS MUERTAS INTEGRADAS.

INTERCONEXION DE CIRCUITO INTEGRADO.

(01/08/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: MANOCHA, AJIT SINGH, RANA, VIRENDRA VIR SINGH.

SE PRESENTA UN CIRCUITO INTEGRADO Y EL METODO DE FABRICACION DEL MISMO. LA INVENCION PROPORCIONA UNA CAPA LIMITE DE GRABACION ENTRE UN CIERRE FORMADO EN UNA VIA Y EL TRAZADOR DE RECUBRIMIENTO. LA CAPA ANTERIORMENTE MENCIONADA CUMPLE UNA VARIEDAD DE FUNCIONES, INCLUYENDO LA PROTECCION DEL CIERRE DURANTE EL PROCESO DE ACTUACION DE ACIDO QUE DEFINE EL TRAZADOR.

PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA.

(16/07/1996) ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR , UNA CAPA DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE GRABADO AL AGUAFUERTE SUFICIENTEMENTE PARA PROVEER UNA SUPERFICIE PLANARIZADA EN LA CAPA…

METODO DE FORMACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO CON CONTACTO AUTOALINEADO ENTRE CARACTERISTICAS SEPARADAS ESTRECHAMENTE.

(16/07/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, FAVREAU, DAVID PAUL, BOLLINGER, CHERYL ANNE, STEINER, KURT GEORGE, VITKAVAGE, DANIEL JOSEPH.

SE FORMAN CONTACTOS AUTOALIENADOS PARA REGIONES ENTRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS MEDIANTE UN METODO QUE UTILIZA RELACIONES DE DECAPADO DIFERENCIALES ENTRE DIELECTRICOS PRIMERO Y SEGUNDO DEPOSITADOS SOBRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS.

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