CIP 2015 : H01L 21/60 : Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras,

para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

CIP2015HH01H01LH01L 21/00H01L 21/60[4] › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de conexión de un chip a una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo de tarjeta con chip sin contacto.

(05/03/2019) Procedimiento de conexión de un chip sobre una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo tarjeta con chip sin contacto que comprende un chip y una antena dispuestos sobre un soporte de material deformable no elástico, comprendiendo dicha antena unos bornes de conexión también deformables y no elásticos y siendo obtenida por impresión de una tinta conductora sobre dicho soporte, comprendiendo dicho procedimiento las etapas siguientes: - posicionar el chip provisto de bornes de conexión de material no deformable sobre dicho soporte de manera que dichos bornes de conexión del chip estén frente a los bornes de conexión de la antena, y - ejercer una presión sobre dicho chip de manera que dichos bornes de conexión deformen dicho soporte…

Aleación de soldadura sin plomo.

(27/02/2019). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: TACHIBANA,KEN, NOMURA,HIKARU.

Una aleación de soldadura sin plomo para unir un electrodo de Cu que contiene una capa de revestimiento chapado de Ni, teniendo la aleación de soldadura una composición de aleación que consiste en 31 a 59 % en masa de Bi, 0,3 a 1,0 % en masa de Cu, 0,01 a 0,06 % en masa de Ni, y al menos un elemento seleccionado entre el grupo que consiste en 0,001 a 0,07 % en masa de P y 0,001 a 0,03 % en masa de Ge, y un resto de Sn en el que la aleación de soldadura tiene un punto de fusión de 185 grados C o menos, una resistencia a la tracción de 70 MPa o más y una elongación del 65 % o más.

PDF original: ES-2702152_T3.pdf

Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos.

(03/08/2016) Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una capa separadora que se apoya en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una pluralidad de terminales para su conexión a una pluralidad de zonas terminales de contacto de un sustrato al cual el conjunto va a ser montado, estando dispuestos dichos terminales separados sobre la capa separadora y al menos parte de dichos terminales recubriendo una superficie de dicha pluralidad de superficies del chip semiconductor, de forma que dichos terminales yacen dentro de la periferia de…

Bola de soldadura sin plomo.

(11/05/2016). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: YOSHIKAWA,SHUNSAKU, YAMANAKA,YOSHIE, TACHIBANA,KEN, NOMURA,HIKARU.

Una bola de soldadura sin plomo que se instala para su uso como un electrodo en una superficie posterior de un sustrato de módulo para una BGA o un CSP a soldarse a una placa de circuito impresa usando una pasta de soldadura, teniendo la bola de soldadura una composición de soldadura que consiste en un 1,6 - 2,9 % en masa de Ag, un 0,7 - 0,8 % en masa de Cu y un 0,05 - 0,08 % en masa de Ni, opcionalmente al menos uno de los siguientes (i) y (ii) y un remanente de Sn: (i) al menos un elemento seleccionado de Fe, Co y Pt en una cantidad total de un 0,003 - 0,1 % en masa y (ii) al menos un elemento seleccionado de Bi, In, Sb, P y Ge en una cantidad total de un 0,003 - 0,1 % en masa.

PDF original: ES-2665854_T3.pdf

Método para sellar y poner en contacto sustratos utilizando luz láser y módulo electrónico.

(06/05/2015) Un método para fundir y poner en contacto eléctrico un primer sustrato aislante (28A) que tiene al menos una primera capa conductora (29A) sobre el con al menos un segundo sustrato aislante (28B) que tiene al menos una segunda capa conductora (29B) sobre el, que comprende - apilar el primer y el segundo sustrato de tal forma que se forme una zona de interfaz entre ellos, que comprende - una zona de contacto eléctrico en la cual al menos una primera capa conductora (29A) está situada enfrente de al menos una segunda capa conductora (29B) y está al menos parcialmente alineada con ella y - una zona de fusión del sustrato en la cual los sustratos aislantes (28A, 28B) están uno enfrente del…

Conector de chip de circuito y método de conexión de un chip de circuito.

(26/02/2014) Una etiqueta de identificación por radiofrecuencia (RFID), que comprende: un primer sustrato, con un primer elemento de antena y un segundo elemento de antena dispuestos sobre el primer sustrato, en el que el primer elemento de antena está aislado eléctricamente respecto del segundo elemento de antena ; caracterizada por: un segundo sustrato , con un primer panel de contacto y un segundo panel de contacto dispuestos sobre el segundo sustrato ; el primer panel de contacto estando aislado eléctricamente respecto del segundo panel de contacto ; y un circuito integrado acoplado al primer y al segundo paneles de contacto, en el que…

ACOPLADOR DE ANTENA Y SOPORTE PARA TERMMINALES DE RADIOTELEFONIA MOVIL.

(16/04/2007) Soporte para una terminal de radiotelefonía móvil , donde el soporte con una interfase para la conexión de una antena externa , en especial una antena para un vehículo automotor, y con una estructura de acoplamiento para el acoplamiento electromagnético de señales HF entre el soporte y la antena de una terminal de radiotelefonía móvil que se encuentra en el soporte y donde la estructura de acoplamiento se dispuso de modo tal en el soporte , que estando colocada la terminal de radiotelefonía móvil , la estructura de acoplamiento se ubica por debajo de la terminal de radiotelefonía móvil próximo a la terminal…

FILM ADHESIVO ELECTROCONDUCTOR, TERMOPLASTICO Y TERMOACTIVABLE.

(16/02/2006). Solicitante/s: BEIERSDORF AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PFAFF, RONALD, ENGELDINGER, HANS, KARL.

Film adhesivo electroconductor, termoplástico y termoactivable que contiene: i) un polímero termoplástico en una proporción del 30 hasta el 89, 9% en peso ii) una o varias resinas taquificantes en una proporción del 5 hasta el 50% en peso y/o iii) resinas epoxi con endurecedores, y eventualmente con acelerantes, en una proporción del 5 hasta el 40% en peso, iv) esferas de vidrio plateadas en una proporción del 0, 1 hasta el 40% en peso, v) de modo que el diámetro de las esferas de vidrio es, como mínimo, igual al espesor del film adhesivo.

LAMINA ADHESIVA TERMOPLASTICA Y TERMOACTIVABLE, ELECTROCONDUCTIVA.

(16/08/2004). Solicitante/s: BEIERSDORF AG. Inventor/es: PFAFF, RONALD.

Lámina adhesiva conductora, termoactivable para implantar móculos eléctricos en tarjetas que contiene un polímero termoplástico, un adhesivo, una resina epoxi, partículas metalizadas y partículas espaciadoras duras con un alto punto de fusión. Lámina adhesiva electroconductora, termoactivable a base de polímero termoplástico, resina adhesiva, resina epoxi y partículas metalizadas, contiene también partículas espaciadoras no deformables que no se funden a al temperatura de enlace de la lámina. Lámina adhesiva electroconductora, termoplástica, termoactivable que contiene: (i) al menos un 30% en peso de polímero termoplástico, (ii) de 5 a 50% en peso de resina(s) adhesiva(s), (iii) de 5 a 40% en peso de resinas epoxi con endurecedores y opcionalmente también aceleradores, (iv) de 0,1 a 40% en peso de partículas metalizadas y (v) de 1 a 10% en peso de partículas espaciadoras que no se deforman o lo hacen solo con dificultad y que no se funden a la temperatura de enlace de la lámina.

METODO PARA INTERCONECTAR UN DISPOSITIVO ELECTRONICO UTILIZANDO UN MEDIO PORTADOR DE SOLDADURA, RETIRABLE.

(16/11/2000). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: JIN, SUNGHO, MCCORMACK, MARK THOMAS.

SEGUN LA INVENCION, SE ADHIERE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO QUE TIENE UNA O MAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO A UNA RED DE PARTICULAS DE SOLDADURA TRANSFERIBLES QUE HAY SOBRE UNA LAMINA DE SOPORTE RETIRABLE . EL SOPORTE SE RETIRA, MEDIANTE DISOLUCION, POR EJEMPLO, DEJANDO LA SOLDADURA SELECTIVAMENTE ADHERIDA A LAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO. EN UN ASPECTO PREFERENTE DE LA INVENCION, EL MEDIO DE SOPORTE DE LA SOLDADURA ES SOLUBLE EN AGUA Y LAS PARTICULAS DE SOLDADURA CONTIENEN UNAS PARTICULAS MAGNETICAS REVESTIDAS CON UNA SOLDADURA. LA APLICACION DE UN MATERIAL MAGNETICO MIENTRAS EL MEDIO SE SECA O SE CURA, HACE QUE SE PRODUZCA UNA RED REGULAR DE LAS PARTICULAS REVESTIDAS CON LA SOLDADURA. MEDIANTE LA UTILIZACION DE ESTE METODO, SE PUEDEN INTERCONECTAR FACILMENTE DISPOSITIVO QUE TIENEN UNAS ESTRUCTURAS DE CONTACTO MAS PEQUEÑAS DE LO NORMAL.

PROCEDIMIENTO PARA CONECTAR UNA CONEXION ELECTRICA DE UN COMPONENTE DE CIRCUITO IMPRESO NO EMPAQUETADO CON UNA BANDA CONDUCTORA SOBRE UN SUBSTRATO.

(01/11/2000). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: GRUNWALD, WERNER, HAUG, RALF, SEYFFERT, MARTIN, HAUSCHILD, FRANK-DIETER.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA UNION DE UNA CONEXION ELECTRICA SOBRE UN COMPONENTE IC NO EMPAQUETADO A UNA PISTA CONDUCTORA SOBRE UN SUBSTRATO . SE APLICA UN RECUBRIMIENTO FACILMENTE NO METALIZABLE A LA SUPERFICIE DE UNA CONEXION ELECTRICA A SER CONTACTADA. LA SUPERFICIE DE LA CONEXION A SER CONTACTADA SE DISPONE A UNA DISTANCIA Y EN FRENTE DE UNA SUPERFICIE DE TIERRA Y LA SUPERFICIE A SER CONTACTADA A FIN DE LLENAR EL ESPACIO LIBRE ENTRE LAS DOS SUPERFICIES A SER CONTACTADAS.

UNION DE CHIPS A UN SUSTRATO.

(16/10/1999) UN PROCESO PARA UNIR UNA MICROPASTILLA VOLANTE A UN SUSTRATO QUE COMPRENDE LA COLOCACION DE LA PASTILLA VOLANTE POR ENCIMA DEL SUSTRATO . ESTA TIENE UNA CARA ACTIVA PROVISTA DE UNAS PROTUBERANCIAS CONDUCTORAS, DE MANERA QUE SU CARA ACTIVA SE ENCUENTRA ORIENTADA HACIA EL SUSTRATO . LA MICROPASTILLA VOLANTE ESTA COLOCADA SOBRE EL SUSTRATO DE TAL FORMA QUE LAS PROTUBERANCIAS SE ENCUENTRAN ALINEADAS CON UN MODELO DE UNION SOBRE EL SUSTRATO . UN CUERNO ULTRASONICO SE BAJA, Y TIENE UNA SUPERFICIE PLANA QUE CONTACTA CON EL LADO TRASERO DE LA MICROPASTILLA VOLANTE. SE APLICA FUERZA A TRAVES DEL CUERNO ULTRASONICO SOBRE EL LADO TRASERO DE LA MICROPASTILLA VOLANTE, LA CUAL ES NORMAL AL SUSTRATO ,…

PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN CIRCUITOS DE CONTACTO.

(16/01/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.

UN CONTACTO AUTOALINEADO AL SUSTRATO (EJ. 1) QUE SE ENCUENTRA EN LA REGION QUE HAY ENTRE DOS ELECTRODOS DE COMPUERTA (EJ. 3) SE FORMA A BASE DE DEPOSITAR UNA CAPA DIELECTRICA CONFORME (EJ. 13) Y DARLE FORMA PARA FORMAR UNA VENTANA DE CONTACTO (EJ. 17). LOS ELEMENTOS CONDUCTORES DEL ELECTRODO DE COMPUERTA (EJ. 3) NO ENTRAN EN CONTACTO DEBIDO A LA DIFERENCIA EN LAS VELOCIDADES DE ATAQUE ENTRE LOS ELEMENTOS DIELECTRICOS CONFORMES (EJ. 13) Y LOS ELEMENTOS AISLANTES (EJ. 11) DE LA ESTRUCTURA DE COMPUERTA (EJ. 3).

TRANSISITOR DE EFECTO DE CAMPO CON ATENUADOR DE ATERRIZAJE.

(01/11/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, LIU, CHUN-TING, LIU, RUICHEN.

SE FABRICA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON UNA CAPA DE ATENUADOR DE VENTANA (POR EJEMPLO 9) QUE ESTA DIBUJADO USANDO UN DIELECTRICO DIBUJADO (POR EJEMPLO 11) CON SEPARACION SUBLITOGRAFICA COMO UNA MASCARA GRABADA. LOS ATRIBUTOS DESEABLES DEL TRANSISTOR COMPRENDE UNA PEQUEÑA CAPACITANCIA DE UNIO.

CONTACTO DE PUERTA DE POLISILICIO AUTO-ALINEADO.

(01/10/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE.

SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ. 21) FORMANDO CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15) ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5), QUE TIENE UNA CAPA SUPERIOR DE NITRURO (EJ. 11), Y LAS ZONAS DE OXIDO DEL CAMPO (EJ. 3). SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) POR OXIDACION Y MORDENTADO DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) Y LAS CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15). SE PUEDE DEPOSITAR UNA CAPA DE OXIDO (EJ. 31) ANTES DEL MORDENTADO. EL ULTIMO PASO ABRE UN CONTACTO DE PUERTA, PERO NO EXPONE EL SILICIO EN LA CLAVIJA (EJ. 15) A CAUSA DE LAS DISTINTAS VELOCIDADES DE OXIDACION DE LA CLAVIJA DE POLISILICIO (EJ. 15), Y EL MATERIAL (EJ. 11) DE LA PARTE SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) CREA CAPAS DE OXIDO QUE TIENEN DISTINTOS ESPESORES. AHORA SE EXTRAE EL NITRURO Y SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) RESPECTO A LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5).

PROCESO DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, EN PARTICULAR PARA EL TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE.

(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, LIEVIN, JEAN-LOUIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH.

PROCESO DE TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE, EN PARTICULAR DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR. SEGUN ESTE PROCESO SE LLEVA UNA RESINA DE PROTECCION UTILIZADA PARA EL LITOGRABADO A FLUIR BAJO EL EFECTO DE SU TENSION SUPERFICIAL PARA AUMENTAR SU ESPESOR ALREDEDOR DE UN SALIENTE SOBRE LA QUE SE DEBE FORMAR UNA VENTANA . LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE LOS LASERES SEMICONDUCTORES.

METODO DE FABRICACION DE PERLAS DE SOLDADURA Y PERLAS DE SOLDADURA FORMADAS MEDIANTE EL MISMO.

(01/11/1997) LA BASE DE LAS COMBAS DE SOLDADURA SE PRESERVA CONVIERTIENDO EL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ENTRE LA COMBADURA DE SOLDADURA Y EL TERMINAL DE CONTACTO EN UN MATERIAL INTERMETALICO ENTRE LA SOLDADURA Y EL COMPONENTE SOLDABLE DEL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ANTES DE EFECTUAR EL ATAQUE QUIMICO A LA PARTE METALICO DE DEBAJO DE LA SOLDADURA. EL MATERIAL INTERMETALICO ES RESISTENTE A LOS AGENTES DE ATAQUE QUIMICO QUE SE UTILIZAN PARA ATACAR QUIMICAMENTE EL METAL DE DEBAJO DE LA SOLDADURA ENTRE LOS TERMINALES DE CONTACTO. DE ESTA FORMA, SE PRODUCE UN RECORTE MINIMO DE LAS COMBADURAS DE LA SOLDADURA, Y SE PRESERVA SU TAMAÑO. LA SOLDADURA PUEDE ELECTRODEPOSITARSE SOBRE EL MATERIAL METALICO DE DEBAJO…

PROCESO Y DISPOSITIVO DE INTERCONEXION DE CIRCUITOS INTEGRADOS EN TRES DIMENSIONES.

(16/10/1997). Solicitante/s: THOMSON-CSF. Inventor/es: LEROY, MICHEL, VAL, CHRISTIAN.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO Y UN DISPOSITIVO PARA LA INTERCONEXION DE PLACAS SEMICONDUCTORAS APILADAS, CONTENIENDO CADA UNA DE LAS PLACAS UN CIRCUITO INTEGRADO. POR ESTE PROPOSITO, LAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (P) ESTAN APILADAS Y HECHAS SOLIDARIAS UNAS DE OTRAS. EN UN MODO DE REALIZACION, SUS BORNES DE CONEXION ESTAN CADA UNO CONECTADOS MEDIANTE UN HILO (F) A UNA CARA CUALQUIERA DEL APILAMIENTO SALVO UNA (B), DESTINADA A ESTAR EN CONTACTO CON UN CIRCUITO IMPRESO. LA CONEXION DE LAS PLACAS ENTRE SI Y DE ESTAS ULTIMAS CON EL CIRCUITO IMPRESO, SE REALIZA SOBRE LAS CARAS (F SUB V, F SUB S, F SUB L) DEL APILAMIENTO.

CIRCUITO DE CONTACTO INTEGRADO.

(16/10/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE HA DESCUBIERTO UN METODO DE FABRICACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE LA FORMACION DE UNA CAPA ADICIONAL (E. G., 23, 25) DE SILICONA EN LAS APERTURAS EN CONTACTO, QUE SON RELLENADAS CON ALUMINIO (E. G., 21). LA CAPA ADICIONAL DE SILICONA (E. G., 23, 25), ES PUESTA ADYACENTE A LA CAPA DE ALUMINIO, PARA PROVEER SILICONA PARA SU INTERDIFUSION DENTRO DEL ALUMINIO, Y ASI PODER EVITAR LA PERFORACION EN LA UNION. LA SILICONA ADICCIONAL PUEDE SER IMPLANTADA POR IONES, O POR CAPAS FORMADAS SEPARADAMENTE (E. G., 23, 25).

SOPORTE DE CHIP CON REVESTIMIENTO PROTECTOR PARA LA SUPERFICIE CON CIRCUITOS.

(16/11/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: FREY, BRENDA DIANE, JOSEPH, CHARLES ARNOLD, OLSHEFSKI, FRANCIS JOHN, WILSON, JAMES WARREN.

SE PRESENTA UN SOPORTE DE CHIP QUE COMPRENDE UN SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP Y AL MENOS UN CHIP SEMICONDUCTOR MONTADO EN UNA CONFIGURACION DE CHIP DE VUELO, A TRAVES DE UNA S BOLAS DE SOLDADURA, SOBRE UNA SUPERFICIE CIRCUITADA DEL SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP. LAS BOLAS DE SOLDADURA SON ENCAPSULADAS EN UN PRIMER ENCAPSULANTE QUE TIENE UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN EPOXI. ADEMAS, AL MENOS UNA PARTE DE LA CIRCUITERIA SOBRE LA SUPERFICIE CIRCUITADA ESTA ENCAPSULADA EN UN SEGUNDO ENCAPSULANTE QUE TIENEN UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN URETANO, Y CUYA COMPOSICION ES ELEGIDA DE MANERA QUE EL SEGUNDO ENCAPSULANTE EXHIBA UN MODULO DE ELASTICIDAD QUE ES IGUAL O INFERIOR A 69.106 N/M2 CONSIGUIENTEMENTE, EL SEGUNDO ENCAPSULANTE NO EXHIBE NI GRIETAS INTERNAS, NI GRIETAS DE ENTRECARAS EN LA INTERCONEXION CON EL PRIMER ENCAPSULANTE, NI EL SEGUNDO ENCAPSULADO SE DELAMINA A PARTIR DE LA SUPERFICIE CIRCUITADA, CUANDO EL SOPORTE DE CHIP ES CICLADO TERMICAMENTE.

METODO DE FORMACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO CON CONTACTO AUTOALINEADO ENTRE CARACTERISTICAS SEPARADAS ESTRECHAMENTE.

(16/07/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, FAVREAU, DAVID PAUL, BOLLINGER, CHERYL ANNE, STEINER, KURT GEORGE, VITKAVAGE, DANIEL JOSEPH.

SE FORMAN CONTACTOS AUTOALIENADOS PARA REGIONES ENTRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS MEDIANTE UN METODO QUE UTILIZA RELACIONES DE DECAPADO DIFERENCIALES ENTRE DIELECTRICOS PRIMERO Y SEGUNDO DEPOSITADOS SOBRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS.

CIRCUITOS INTEGRADOS CON UN DIELECTRICO PLANARIZADO.

(01/04/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: HILLS, GRAHAM WILLIAM, HUTTEMANN, ROBERT DONALD, OLASUPO, KOLAWOLE R.

UN CIRCUITO INTEGRADO ESTA HECHO MEDIANTE UNA TECNICA QUE PROPORCIONA, UNA FUENTE, DE SOBRE PUERTA ELECTRONICA DIELECTRICA PLANAR, Y PARTES DE DRENAJE, SIN SOBRE-GRABADO DE LA PARTE DE CONTACTO DE LA PUERTA. EN EL PROCESO, LAS VENTANAS DE CONTACTO ESTAN GRABADAS EN EL DIELECTRICO CONFORMADO ANTES DEL PASO PLANARIZADOR, DE TAL MANERA QUE EL GROSOR DEL GRABADO ES EL MISMO PARA LA PUERTA, QUE PARA LAS VENTANAS DE NACIMIENTO/DRENAJE. ENTONCES, UN POLIMERO SACRIFICADOR PLANARIZANTE, (P.EJ. UN FOTORESISTENTE) ES DEPOSITADO PARA CUBRIR EL DIELECTRICO CONFORMADO Y LLENAR LAS VENTANAS GRABADAS. FINALMENTE SE HACE UNA GRABACION PLANARIZADORA, Y ES REMOVIDO EL POLIMERO DE LAS VENTANAS DE CONTACTO. UN DIELECTRICO PLANARIZADO SE CONSIGUE SIN UNA EXCESIVA GRABACION EN LAS VENTANAS DE PUERTAS ELECTRONICAS.

METODO PARA LA UNION AUTOMATICA DE CINTAS.

(16/01/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DAVISON, KERRY LEEDS.

LA UNION AUTOMATICA DE UNA CINTA DE SOLDADURA DE LAS CONEXIONES A UN CHIP INTEGRADO SE REALIZA USANDO UN DISPOSITIVO TERMICO DE CARA APLANADA Y TEMPERATURA CONSTANTE Y USANDO UNA LAMINA DE SUJECCION PARA MANTENER LAS CONEXIONES EN CONTACTO CON EL CHIP INTEGRADO.

SOPORTE DE CIRCUITO INTEGRADO DE ALTA DENSIDAD Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

(01/04/1995). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: DEHAINE, GERARD.

SOBRE EL SOPORTE TAB , QUE CONSTA DE UNA ARAÑA TAB ENCOLADA EN UN SUBSTRATO PREFORMADO Y DOTADA DE PATAS CUYOS EXTREMOS ILB DESCANSAN EN UN MARCO AISLANTE , ESTE MARCO ES UN ELEMENTO UNIDO A LAS PATAS, INDEPENDIENTE DEL SUBSTRATO Y DE MENOR ESPESOR QUE EL DE ESTE.

CONEXION MULTIPLE OPTICO-ELECTRICA.

(01/11/1994). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: LOSCH, KURT, DR., FLORJANCIC, MATJAZ, DR.

PARA LA CONEXION DE UN CHIPS CONTENIENDO ELEMENTOS DE CONSTRUCCION OPTICOS CON UN SUBSTRATO SE PRODUCEN ELEMENTOS DE CONEXION OPTICOS Y ELECTRICOS EN UN SOPORTE INTERMEDIO FLEXIBLE Y SEGUN EL PROCEDIMIENTO CONOCIDO DE FONDO DE FIL PARA CONEXIONES ELECTRICAS SE CONECTA TANTO CON ELEMENTOS DE CIERRE DEL CHIPS COMO TAMBIEN CON VIAS CONDUCTORAS O CONDUCTORES DE ONDAS OPTICOS SOBRE EL SUBSTRATO. SI LOS ELEMENTOS DE CONEXION OPTICOS ESTAN COLOCADOS ESPACIALMENTE ENTRE LOS ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICOS . SE MANTENDRAN Y JUSTICARAN LAS CONEXIONES DE SOLDADURA PRODUCIDAS A AMBOS LADOS DE LOS ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICOS. EN EL SOPORTE INTERMEDIO FLEXIBLE PUEDEN PREVERSE, JUNTO A CIERRES DE ADAPTADOR DE PRUEBA ELECTRICOS, CURVAS DE PRUEBA OPTICA QUE CONECTAN UNAS CON OTRAS LAS ENTRADAS Y SALIDAS OPTICAS Y LAS SUPRIMEN EN POSTERIORES PROCESOS DE ESTAMPACION.

CONTACTO EN UN HUECO DE CONTACTO DE UN SEMICONDUCTOR Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.

(16/10/1994) UN CONTACTO ESTABLE, DE BAJA RESISTENCIA, SE FORMA EN UN HUECO DE CONTACTO EN UNA CAPA AISLANTE , POR EJEMPLO DIOXIDO DE SILICIO, FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR , POR EJEMPLO SILICIO, HASTA UNA PARTE DE UN AREA IMPURIFICADA EN DICHA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR. EL CONTACTO COMPRENDE: A) UNA CAPA DE ADHESION Y CONTACTO , DE TITANIO, FORMADA A LO LARGO DE LAS PAREDES DE LA CAPA AISLANTE Y EN CONTACTO CON LA PORCION DEL AREA IMPURIFICADA, B) UNA CAPA DE BARRERA FORMADA SOBRE LA CAPA ADHERENTE DE CONTACTO Y C) UN MATERIAL CONDUCTOR FORMADO SOBRE LA CAPA DE BARRERA Y QUE LLENA EL REFERIDO HUECO DE CONTACTO. UNA LAMINA PATRON DE METAL FORMA UN CONTACTO OHMICO INTERCONECTADO CON OTROS DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS EXTERNOS.…

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN INTERCONECTORES DE METAL MULTINIVEL.

(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: COCHRAN, WILLIAM T., HILLS, GRAHAM W., GARCIA, AGUSTIN M., YEH, JENN L.

SE DESCRIBE UNA DISPOSICION METALICA AUTOALINEADA, AUTOPLANAR DE INTERCONEXIONES MULTINIVEL QUE USA UNAS VENTANAS AUTOALINEADAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LAS TRINCHERAS SE GRABAN DENTRO DE UN DIELECTRICO Y ENTONCES, USANDO UNA CAPA DE PARADA DEL GRABADO SOBRE EL TECHO DEL DIELECTRICO SE PREVIENE EL GRABADO NO DESEADO DEL DIELECTRICO, LAS VENTANAS AUTOALINEADAS QUE EXPONEN LAS PORCIONES DE SUBSTRATO SE GRABAN EN EL DIELECTRICO . LAS VENTANAS AUTOALINEADAS SE PUEDEN FORMAR TAMBIEN SIN UNA MASCARA.

METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/08/1993). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN. Inventor/es: JOSQUIN, WILHELMUS J.M.J.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE CONSTA DE UN CIRCUITO CON UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA ZONAS DE ELECTRODOS DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA. EL ADULTERANTE PARA LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO VA EN EL CUERPO DEL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE UNA ABERTURA EN UNA CAPA DE ENMASCARAMIENTO , ABERTURA QUE SE REDUCE MEDIANTE BORDES DE MATERIAL DE PASIVACION. LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO ESTA CONECTADA A UNA CAPA CONDUCTORA QUE SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA Y LOS BORDES HASTA LA ABERTURA DE TAMAÑO REDUCIDO. ESTA PUEDE DERIVARSE DE LA ABERTURA DE ADULTERACION SIN TOMAR EN CUENTA UNA TOLERANCIA DE ALINEAMIENTO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA COMPRENDERA UN PATRON DE MATERIAL CONDUCTOR ELECTRICO DE GEOMETRIA CERRADA QUE RODEA TOTALMENTE LA ABERTURA.

PROCEDIMIENTO DE CONEXION POR LASER DE UN CONDUCTOR A UNA REGION DOPADA DEL SUBSTRATO DE UN CIRCUITO INTEGRADO, Y CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA ESTE PROCEDIMIENTO.

(01/06/1992). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.

EL CONDUCTOR 15 A UNIR A LA REGION DOPADA 12 DEL SUBSTRATO 11 PRESENTA UN BORDE 15A SOBRE EL CUAL SE DIRIGE EL HAZ LASER 20 REGULADO PARA CREAR DEFINITIVAMENTE UNA ZONA DE POCA RESISTENCIA ELECTRICA 19 EN LA CAPA DIELECTRICA 13 QUE SEPARA EL CONDUCTOR DE LA REGION DOPADA. LA INVENCION SE APLICA ESPECIALMENTE A LA PROGRAMACION POR LASER DE MEMORIAS AVERIADAS Y CIRCUITOS INTEGRADOS DEFECTUOSOS CON OBJETO DE SU REPARACION.

TRANSDUCTOR MULTICAPA CON CONTACTOS POSTIZOS Y METODO PARA LA INCORPORACION DE DICHOS CONTACTOS.

(01/01/1992). Ver ilustración. Solicitante/s: VAISALA OY. Inventor/es: LEHTO, ARI, LAHDENPERA, JUHA, KUISMA, HEIKKI.

TRANSDUCTOR MULTICAPA CON CONTACTOS POSTIZOS Y METODO PARA LA INCORPORACION DE DICHOS CONTACTOS. LA INVENCION DA A CONOCER UN NUEVO TRANSDUCTOR MULTICAPA (1') CON CONTACTOS POSTIZOS Y UN METODO PARA LA INCORPORACION DE DICHAS AREAS DE CONTACTO (5') DEL TRANSDUCTOR. DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION, LAS ARES DE CONTACTO (5') QUEDAN CONSTITUIDAS EN LA SUPERFICIE LATERAL DEL TRANSDUCTOR POR DEPOSITO DE METAL UTILIZANDO DEPOSITO BASADO EN RAYOS LASER, BOMBARDEO IONICO U OTRO METODO DE METALIZACION ADECUADO. EN VIRTUD DEL NUEVO METODO DE REALIZACION DE LAS AREAS DE CONTACTO, EL TAMAÑO DEL TRANSDUCTOR (1') PUEDE SER REDUCIDO Y EL TRANSDUCTOR (1') PUEDE QUEDAR UNIDO A UNA PLACA DE CIRCUITO UTILIZANDO TECNOLOGIAS DE MONTAJES SUPERFICIALES.

UN APARATO PARA INTERCONEXION MICROELECTRONICA.

(01/08/1988). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY. Inventor/es: PATRAW, NILS E.

SE DESCRIBE UN APARATO PARA PROPORCIONAR INTERCONEXIONES MICROELECTRONICAS INTRAPLAQUITAS Y ENTRE PLAQUITAS EN UNA CONFIGURACION DE CIRCUITO INTEGRADO ULTRADENSA. UN CONJUNTO DE PLAQUITA Y ESTRUCTURA MESA DE ACOPLAMIENTO DE PLAQUITA INCLUYE UN MIEMBRO DE ESTRUCTURA MESA QUE TIENE UNA SUPERFICIE SUPERIOR DE ESTRUCTURA MESA PLANA Y PAREDES LATERALES . EL PERIMETRO DE LA ESTRUCTURA MESA TIENE UNA PLURALIDAD DE MUESCAS CADA UNA DE LAS CUALES ESTA RECUBIERTA CON UNA CAPA CONDUCTORA. LAS MUESCAS ESTAN ACOPLADAS ELECTRICAMENTE A TERMINALES CONDUCTORES DE ACOPLAMIENTO DE ESTRUCTURA MESA A TRAVES DE PISTAS CONDUCTORAS . UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA QUE TIENE UNA SUPERFICIE SUPERIOR PORTADORA DE CIRCUITOS ACTIVOS PUEDE UNIRSE AL FONDO DEL MIEMBRO DE ESTRUCTURA MESA CON UN ADHESIVO DE RESINA EPOXIDICA.

UN METODO DE FORMAR UNA UNION DE ALAMBRE ENTRE UN LUGAR DE CONTACTO EN UN MICROCIRCUITO ELECTRONICO Y UN CONDUCTOR DE CONEXION.

(16/11/1982). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA UNION DE ALAMBRE ENTRE UN PUNTO DE CONTACTO DE UN MICROCIRCUITO ELECTRONICO Y UN CONDUCTOR DE CONEXION. EN EL EXTREMO DE UN ALAMBRE DE ALUMINIO QUE SE COLOCA EN EL INTERIOR DE UNA CAMARA CON ELECTRODOS (11 Y 13), FORMA UNA BOLA POR LA ACCION DE UNA DESCARGA EN PRESENCIA DE UN GAS PROTECTOR QUE SE INYECTA A TRAVES DE UN CONDUCTO . A CONTINUACION SE UNE EL ALAMBRE AL PUNTO DE CONEXION DEL MICROCIRCUITO POR MEDIO DE LA BOLA FORMADA Y EL OTRO EXTREMO DEL MISMO AL CONDUCTOR DE CONEXION.

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